【选型】1200V SIC场效应管P3M12040K4用于直流充电桩模块电源，导通内阻低至40mΩ
直流充电桩模块电源一般都为PFC+LLC的拓扑结构，为了降低系统损耗从而提高转换效率一般都会尽量选择导通内阻较小的功率开关管，同时当前充电桩模块电源正在向高频化趋势演变；故对于LLC部分的功率开关管高频性能以及导通内阻的要求日益增高；派恩杰推出的SIC场效应管P3M12040K4具有漏源耐压值高，导通内阻小，开关频率高的特点；本文就P3M12040K4从功能性能参数以及封装大小方面进行分析，从而讨论其在直流充电桩模块电源中应用的优势。
1、P3M12040K4性能参数如下：
表1. P3M12040K性能参数
由上表可知，P3M12040K漏源耐压值高达1200V，满足直流充电桩800V左右的母线电压要求；漏极电流@25℃时高达63A，能满足整机较大功率密度要求；导通内阻低至40mΩ，有效降低导通时的开关损耗，有利于提升整机转换效率；同时导通延迟时间低至17.1ns，关断延迟时间低至28.3ns，有效提升系统开关频率，减小储能器件的体积；工作温度范围-55℃~175℃，完全满足工业设计要求。
2、P3M12040K4封装尺寸如下：
图1. P3M12040K封装尺寸
由上图可知，P3M12040K为TO-247-4封装，有效降低源极寄生电感对于开关频率的不利影响，保证系统高频化设计要求。
综上所述，P3M12040K作为功率开关管用于直流充电桩模块电源内的LLC部分，对于系统效率提升，以及在系统高频化趋势方面具备一定的优势。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由万勇提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】国产SIC场效应管P3M171K0G7用于电池化成设备中的辅助电源部分，漏源耐压值高达1700V
派恩杰推出的P3M171K0G7，不但漏源极耐压值高达1700V，同时漏极电流高达7A，本文就P3M171K0G7从性能参数以及封装大小方面进行分析，从而讨论其作为功率开关用于辅助电源领域的优势。
器件选型 发布时间 : 2022-06-23
【选型】碳化硅场效应管P3M06040K3用于汽车单体DC-DC项目，漏极平均电流值高达68A
汽车单体DC-DC项目中，为了实现逆变时的软开关故一般采用移相全桥拓扑，移相全桥结构可实现零电压开关（ZVS）所以可减小功率开关管的开关应力降低开关时的功率损耗；移相全桥拓扑中将至少使用4颗功率开关管如IGBT或者SIC MOSFET；推荐使用派恩杰的碳化硅场效应管P3M06040K3，其具有导通内阻小，漏极过流能力强的特点。
器件选型 发布时间 : 2023-06-10
【选型】群芯微光耦驱动器QX3120-CUL-S用于直流充电桩模块电源，脉宽失真低至100ns
直流充电桩模块电源开发过程中隔离型DC-DC变换过程中常常适用LLC拓扑，群芯微推出的光耦驱动QX3120-CUL-S，采用光电隔离技术，具备峰值驱动电流高达3A，最大脉宽脉宽失真低至100ns的特点。
器件选型 发布时间 : 2022-05-29
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
|
产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage(V)
|
Package
|
RDS(ON) @25℃(mΩ)
|
Current Rating(A)
|
Qgd(nC)
|
Output Capacitance(pF)
|
Max Junction Temperature(℃)
|
|
P3M06025K3
|
碳化硅场效应管
|
650V
|
TO247-3
|
25mΩ
|
97A
|
34.7nC
|
297pF
|
175℃
|
选型表 - 派恩杰 立即选型
派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势
2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。
原厂动态 发布时间 : 2023-11-15
【应用】派恩杰650V碳化硅场效应管P3M06060G7用于伺服驱动器，导通阻抗60mΩ
有客户在设计一款总线型的伺服产品，考虑到开关频率和导通阻抗因素，打算采用四颗SIC MOS来做H桥，要求功率管的耐压650/40A，导通阻抗越小越好。本文给客户推荐了一款派恩杰的碳化硅场效应管P3M06060G7，拥有650V的漏源击穿电压和44A输出电流。
应用方案 发布时间 : 2023-04-25
650V/60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低
目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品，国内厂商派恩杰半导体也推出了该产品。本文主要介绍派恩杰针对650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能的测试结果。
原厂动态 发布时间 : 2021-10-20
PNJ Company Profile
型号- P3D06010I2,P3M06060T3,P2D06010T2,P3M173K0T3,P3D06008I2,P4D06010T2,P3M06500D5,P3M12080K4,P3M12080K3,P3D06010T2,P3M06040K4,P3M173K0F3,P3M06040K3,P3M12040K4,P3M12017K4,P3M06060K3,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3M12025K4,P3M171K0K4,P3M171K0K3
直流充电桩模块电源项目中，DC-DC部分采用LLC拓扑；目前在找1200V，40A左右的SIC 场效应管，请问是否有合适的国产品牌推荐？
你好，可以评估一下派恩杰的SIC方案，P3M12040K4；此方案漏源耐压值高达1200V，导通内阻低至40mΩ，故漏极电流平均值高达63A；详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/2868013.html。
技术问答 发布时间 : 2022-12-26
国产派恩杰MOSFET经过大量TDDB实验，提供万年使用寿命级别器件
TDDB作为一种评测栅氧可靠性的实验方法，可以检测、评价MOSFET的栅氧质量，基于实验数据还可建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型。派恩杰作为国内前沿的SiC MOSFEET供应商，每一批量产MOSFET都经过了大量TDDB实验，建立了精确的寿命预测模型。
原厂动态 发布时间 : 2021-03-05
派恩杰获国家级专精特新“小巨人”企业认定，开启第三代半导体领域新篇章！
派恩杰半导体，自2018年9月3日创立至2024年9月3日，一路走来，风雨兼程，时光帮我们铭记历史，“芯”光帮派恩杰证明辉煌，365个往昔的日日夜夜汇成了派恩杰的六年，2024年9月3日是派恩杰的6周岁生辰，同时又有些特别，派恩杰在六周年之际获得了国家级专精特新“小巨人”企业认定，这标志着派恩杰半导体又一座里程碑的矗立。
原厂动态 发布时间 : 2024-09-06
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论