【选型】1200V SIC场效应管P3M12040K4用于直流充电桩模块电源，导通内阻低至40mΩ

时间： 2022-07-14 来源：世强

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直流充电桩模块电源一般都为PFC+LLC的拓扑结构，为了降低系统损耗从而提高转换效率一般都会尽量选择导通内阻较小的功率开关管，同时当前充电桩模块电源正在向高频化趋势演变；故对于LLC部分的功率开关管高频性能以及导通内阻的要求日益增高；派恩杰推出的SIC场效应管 P3M12040K4具有漏源耐压值高，导通内阻小，开关频率高的特点；本文就P3M12040K4从功能性能参数以及封装大小方面进行分析，从而讨论其在直流充电桩模块电源中应用的优势。

1、P3M12040K4性能参数如下：

表1. P3M12040K性能参数

由上表可知，P3M12040K漏源耐压值高达1200V，满足直流充电桩800V左右的母线电压要求；漏极电流@25℃时高达63A，能满足整机较大功率密度要求；导通内阻低至40mΩ，有效降低导通时的开关损耗，有利于提升整机转换效率；同时导通延迟时间低至17.1ns，关断延迟时间低至28.3ns，有效提升系统开关频率，减小储能器件的体积；工作温度范围-55℃~175℃，完全满足工业设计要求。

2、P3M12040K4封装尺寸如下：

图1. P3M12040K封装尺寸

由上图可知，P3M12040K为TO-247-4封装，有效降低源极寄生电感对于开关频率的不利影响，保证系统高频化设计要求。

综上所述，P3M12040K作为功率开关管用于直流充电桩模块电源内的LLC部分，对于系统效率提升，以及在系统高频化趋势方面具备一定的优势。

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2022-09-27 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

P3M12040K4 N沟道增强型SiC MOS

描述- 该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M12040K4型号SiC MOSFET器件。该器件属于N沟道增强型，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作、超小Qgd等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关模式电源等应用。

型号- P3M12040K4

Apr. 2024 - 派恩杰 - 数据手册 - Ver. C.2 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势

2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。

2023-11-15 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

P3M12040K4 SiC MOS N沟道增强模式

描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M12040K4 SiC MOS场效应晶体管。这款器件采用增强型模式，具有高阻断电压和低导通电阻的特点，适用于高频操作。它通过了AEC-Q101认证，适用于提高系统效率、增加功率密度、减少散热器和系统成本的多种应用。

型号- P3M12040K4

Dec. 2021 - 派恩杰 - 数据手册 - Ver. 1.3 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【应用】派恩杰650V碳化硅场效应管P3M06060G7用于伺服驱动器，导通阻抗60mΩ

有客户在设计一款总线型的伺服产品，考虑到开关频率和导通阻抗因素，打算采用四颗SIC MOS来做H桥，要求功率管的耐压650/40A，导通阻抗越小越好。本文给客户推荐了一款派恩杰的碳化硅场效应管P3M06060G7，拥有650V的漏源击穿电压和44A输出电流。

2023-04-25 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【产品】采用TO-220-3封装的增强型N沟道碳化硅场效应晶体管P3M06300T3，漏源电压为650V

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2022-05-31 - 新产品代理服务技术支持采购服务

650V/60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低

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2021-10-20 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

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型号- P3D06010I2,P3M06060T3,P2D06010T2,P3M173K0T3,P3D06008I2,P4D06010T2,P3M06500D5,P3M12080K4,P3M12080K3,P3D06010T2,P3M06040K4,P3M173K0F3,P3M06040K3,P3M12040K4,P3M12017K4,P3M06060K3,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3M12025K4,P3M171K0K4,P3M171K0K3

2021.05 - 派恩杰 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务