【选型】1200V SIC场效应管P3M12040K4用于直流充电桩模块电源，导通内阻低至40mΩ

时间： 2022-07-14 来源：世强

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直流充电桩模块电源一般都为PFC+LLC的拓扑结构，为了降低系统损耗从而提高转换效率一般都会尽量选择导通内阻较小的功率开关管，同时当前充电桩模块电源正在向高频化趋势演变；故对于LLC部分的功率开关管高频性能以及导通内阻的要求日益增高；派恩杰推出的SIC场效应管 P3M12040K4具有漏源耐压值高，导通内阻小，开关频率高的特点；本文就P3M12040K4从功能性能参数以及封装大小方面进行分析，从而讨论其在直流充电桩模块电源中应用的优势。

1、P3M12040K4性能参数如下：

表1. P3M12040K性能参数

由上表可知，P3M12040K漏源耐压值高达1200V，满足直流充电桩800V左右的母线电压要求；漏极电流@25℃时高达63A，能满足整机较大功率密度要求；导通内阻低至40mΩ，有效降低导通时的开关损耗，有利于提升整机转换效率；同时导通延迟时间低至17.1ns，关断延迟时间低至28.3ns，有效提升系统开关频率，减小储能器件的体积；工作温度范围-55℃~175℃，完全满足工业设计要求。

2、P3M12040K4封装尺寸如下：

图1. P3M12040K封装尺寸

由上图可知，P3M12040K为TO-247-4封装，有效降低源极寄生电感对于开关频率的不利影响，保证系统高频化设计要求。

综上所述，P3M12040K作为功率开关管用于直流充电桩模块电源内的LLC部分，对于系统效率提升，以及在系统高频化趋势方面具备一定的优势。

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派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

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直流充电桩模块电源项目中，DC-DC部分采用LLC拓扑；目前在找1200V，40A左右的SIC 场效应管，请问是否有合适的国产品牌推荐？

你好，可以评估一下派恩杰的SIC方案，P3M12040K4；此方案漏源耐压值高达1200V，导通内阻低至40mΩ，故漏极电流平均值高达63A；详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/2868013.html。

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派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。

碳化硅MOS 碳化硅SBD 氮化镓三极管

代理服务线上商城技术资料

国产派恩杰MOSFET经过大量TDDB实验，提供万年使用寿命级别器件

TDDB作为一种评测栅氧可靠性的实验方法，可以检测、评价MOSFET的栅氧质量，基于实验数据还可建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型。派恩杰作为国内前沿的SiC MOSFEET供应商，每一批量产MOSFET都经过了大量TDDB实验，建立了精确的寿命预测模型。

2021-03-05 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核！

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