【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C

时间： 2019-11-23 来源：丽正国际

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丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。

RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。

在T_A=25°C时，RM2305C可以承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为-3A，漏极脉冲电流最大额定值为-15A，最大功率耗散为1.7W，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻典型值为74℃/W。上升时间典型值为35ns，下降时间典型值为10ns。

产品特性
•V_DS =-20V,I_D =-4.1A

R_DS(ON) <95mΩ @ V_GS=-1.8V

R_DS(ON) <75mΩ @ V_GS=-2.5V

R_DS(ON) <52mΩ @ V_GS=-4.5V

•高功率和优秀的载流能力

•无铅产品

•表面贴装

应用领域

PWM应用
负载开关
电源管理
无卤素
P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：RM2305CV

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