【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C

时间： 2019-11-23 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。

RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。

在T_A=25°C时，RM2305C可以承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为-3A，漏极脉冲电流最大额定值为-15A，最大功率耗散为1.7W，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻典型值为74℃/W。上升时间典型值为35ns，下降时间典型值为10ns。

产品特性
•V_DS =-20V,I_D =-4.1A

R_DS(ON) <95mΩ @ V_GS=-1.8V

R_DS(ON) <75mΩ @ V_GS=-2.5V

R_DS(ON) <52mΩ @ V_GS=-4.5V

•高功率和优秀的载流能力

•无铅产品

•表面贴装

应用领域

PWM应用
负载开关
电源管理
无卤素
P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：RM2305CV

订购信息

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】-30V/-20A表贴DFN3.3X3.3封装的P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3

丽正国际P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3，VDS = -30V，ID = -20A，采用先进的Trench Technology技术，达到超低的RDS（ON）和低总栅极电荷，适合负荷开关或PWM控制应用。

新产品发布时间 : 2019-11-01

【产品】-20V/-2.6A P沟道增强型功率MOSFET RM2301E，采用SOT-23封装

丽正国际推出的RM2301E是一款P沟道增强型功率MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，同时可以在低至2.5V的栅极电压下运行，非常适合用于负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM2301E可以承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±10V，可以承受漏极连续电流最大额定值为-2.6A。

新产品发布时间 : 2019-11-02

【产品】-30V/-50A P沟道增强型功率MOSFET RM50P30D3，采用DFN 3X3封装

RM50P30D3是丽正国际推出的一款采用DFN 3X3封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

新产品发布时间 : 2019-11-15

【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用

上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。

产品发布时间 : 2023-07-04

RM60P04Y P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM60P04YV,RM60P04Y

数据手册 - 丽正国际 - REV:B - 2019-02 PDF 英文下载

RM6P20ES6 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM6P20ES6

数据手册 - 丽正国际 - REV:O - 2024-05 PDF 英文下载

JMTK130P04A JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- JMT,JMTK130P04A

数据手册 - 捷捷微电 - Version:1.2 - 2022/3/3 PDF 英文下载

【产品】-30V/-5.1A P沟道增强型功率MOSFET RM5A1P30S6，采用SOT-23-6封装

RM5A1P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。

新产品发布时间 : 2019-11-20

RM3415 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM3415,RM3415V

数据手册 - 丽正国际 - REV:A - 2018-01/15 PDF 英文下载

【产品】P沟道增强型功率MOSFET RM3401，具有出色的RDS（ON）性能

丽正国际推出的RM3401是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM3401漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为-4.2A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~150℃。

新产品发布时间 : 2019-11-11