【应用】ROHM的IGBT单管RGTV00TS65DGC11用于5~10kW光伏逆变器，饱和压降VCE低至1.5V

时间： 2022-11-02 来源：世强

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光伏阵列在光伏效应的作用下产生直流电，通过DC-DC升压电路完成升压的同时得到一个稳定的电压，并且对电压电流采样后在内置MPPT（最大功率点追踪）算法的DSP的调控下使光伏逆变器工作在光伏阵列的最大输出功率点，最后通过逆变电路将直流电转换为交流电，可供给家用电器使用或给电池储能。本文主要介绍ROHM的IGBT单管 RGTV00TS65DGC11在DC-DC升压电路部分应用的优势。下图为光伏逆变器的功能实现框图：

图1 光伏逆变器的功能实现框图

在DC-DC升压电路部分，IGBT作为开关管使用，通过改变开关管的占空比可改变DC-DC升压电路的输出。ROHM的IGBT单管RGTV00TS65DGC11，规格为650V/50A，在5~10kW光伏逆变器的DC-DC升压电路部分中作为开关管使用的优势如下：

1、饱和压降V_CE（sat）@T_j=25℃为1.5V，导通损耗低，可降低整机功耗；

2、下降时间t_f@T_j=25℃为38ns，高速开关性能更好，配合高速运算的DSP可提高MPPT（最大功率点追踪）的工作效率；

3、内置快恢复二极管FRD，其正向压降V_F@T_j=25℃为1.45V，反向恢复电荷Q_RR@T_j=25℃为0.64μC，在IGBT高速开关时为IGBT提供软开关的特性，避免在IGBT开通与关断时电压和电流发生振荡，使得系统的输出更加稳定，避免用电负载因供电不稳定而受损；

4、短路耐受时间t_sc为2μs，在高频工作时可有效应对短路电流，提高系统工作时的稳定性；

5、光伏逆变器一般在室外工作，-40至175℃的宽工作温度可适应室外的恶劣环境。

图2 RGTV00TS65DGC11的封装及引脚定义图

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2024/3/11 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

阿基米德半导体（Archimedes）总部位于合肥市，主营新能源汽车及光伏储能充电用SiC/IGBT芯片及模块，致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者。公司核心技术团队由中国科学院院士领衔，团队成员来自英飞凌、安森美、华为、Vincotech、三菱等国内外大厂。公司将持续专注于功率半导体在新能源赛道的应用和升级，为中国实现碳达峰、碳中和目标贡献自己的力量。

IGBT 单管三电平IGBT模块 Boost IGBT模块 PFC IGBT模块半桥IGBT模块汽车电驱IGBT模块 SIC mos管 IGBT功率模块 IGBT分立器件 SiC功率模块 SiC分立器件

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Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用

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银河微电子 - IGBT模块,IGBT芯片,工业和光伏组件,SGT MOS,INDUSTRIAL AND PV MODULES,MOS,HYBRID IGBT+SIC SBD,车用模组,屏蔽栅沟槽MOSFET,IGBT,混合IGBT+SIC SBD,IGBT单管,AUTOMOTIVE MODULE,PIM 模块,GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120C1T1,GM400HF65S4T1A,GKU40N65,GM200SG65S1T1,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKB20N65,GKU50N65EH3,GKU40N120ET2-25C,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM150FFB120C2T1M,GM600HF65S4T1,GM300HF120S4T1M,GM450ML65Q2F2,GM25PJ120E2T3A,GKU40N120NH3-25C,GM10PJ120E1T3A,GM225TU120Q2T2H,GM100HF120S2F1B,GM75HF120S2F2,GM100PI120C2T1,GKU50N120CH3,GKY50N120,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GM50PI120C1T3A,GKU15N120ET2,GM40PI120C1T3A,GKF20N65,GKU10N120T2,GM225TU120E2T2H,GKP20N65,GM40HF120S2F2A,GKU30N65,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GKU20N65,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,GM450ML65C1T2,GM600HF120C3T1M,变频器,电机控制,PFC,储能领域,新能源大巴,PTC公司,新能源车PTC,不间断电源,UPS,伺服,PTC加热器,DCDC,BMS电池管理系统,重卡,DCDC公司,交流焊机,便携式储能,壁挂式直流桩,家用电磁灶,逆变器,压缩机,热管理系统,新能源车空压泵,PTC,电机驱动领域,MAIN INVERTER主电机驱动器,直流充电桩,空调INVERTER,高频电源领域,数码发电机,空调,新能源车,空调压缩机,逆变电源,水泵,OBC,光伏领域,工缝,便携式逆变电源,商用电磁灶,高频电源,户储,储能,空压机,AUXILIARY INVERTER辅电机驱动器,电机驱动,HV-LV DCDC变换器,OBC 车载充电机,充电桩,便携式储能电源,IH电饭煲,光伏,变频微波炉,感应加热领域,工业电源,新能源汽车领域,全氟化碳,数码电焊机,新能源车空压机,商灶,光伏逆变器,焊机

2024/7/31 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

华太（Watech）成立于2010年3月16日，是集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业，以射频芯片和功率芯片业务为主航道，是国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商，聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。

IGBT单管 SiC SBD 功率器件碳化硅单管 SIC MOS FS IGBT Hybrid IGBT SJ IGBT LVMOS单管 SGT MOS SGTMOS 功率模块 SIC 模块 IGBT 模块电源 IC LDO DC-DC 门极驱动

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阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！

6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

2024-06-22 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

虹美功率半导体特色产品介绍

深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。

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虹美功率半导体特色产品介绍

深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。

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虹美功率半导体特色产品介绍

深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。

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虹美功率半导体特色产品介绍

深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。

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虹美功率半导体特色产品介绍

深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。

虹美功率半导体 - GANFET,电动车 SGT MOS,高压PMOS,BMS SGT MOS,半桥驱动 MOS,氮化镓,BMS军士MOS,GAN (氮化镓) FET,SIC (碳化硅) 二极管,低压MOS,车规SIC二极管,中压大电流MOS,储能 SGT MOS,超轻薄低压MOS,莫斯中士,全桥驱动 MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,高压超结MOS,MOS管,高压平面MOS,SIC二极管,IGBT单管,车规SIC(碳化硅)二极管,N+P沟道中压大电流MOS,功率半导体器件,平衡车 SGT MOS,SIC 二极管,HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HMG20N65F,HM1N50MR,BSS84DW,HMG20N65D,HMC8N120,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HMS100N15,HM4889,HM35DN03D,HMG40N65FT,HM4616Q,HMC5N120,HM3N40PR,HMC10N65,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HMC20N120D,HM3N30R,HM4618D,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HMC4N65,HMC2N120K,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HMC6N65K,HM4618Q,HMS100N20D,HMC6N65Q,HM1P15MR,HMC15N65,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM40N120AT,HMC5N120K,HMC4N65K,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMG40N65AT,HMS80N10,HMC20N65D,HM3N100,HM25P15K,HMS80N85K,HMC20N65,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMG75N65AT,HMS15N65Q,HMC10N65Q,HM609K,HMC8N65,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMC2N120,HMS330N06,HMC10N65K,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HMC2N65,HM5P15D,HM2302BKR,HMS320N04LL,HM08DN10D,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMN9N65Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HMN9N65D,HM2N50PR,HM4489,HMN11N65D,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM40N120FT,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HMC15N65D,HMS310N85D,HM4N60R,HM2310DR,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HMS80N25D,HM07DP10D,HMS20N80D,HM3DN10D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM2800D,HMC8N65K,HM20DN04Q,HMC8N120K,HMC8N65Q,HMS100N85,HM2300DR,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM25N120FT,HM30DN02D,HM6604BWKR,HMS135N10G,HM40SDN02Q,HMG20N65,HMS135N10D,HMC15N65T2,HMC20N120T2,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HMS80N10K,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10G,HM2301BJR,HMS135N85D,BSS138DW,HMS15N80F,HM2301DR,HMC6N65,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM1N60PR,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HMS7N80I,HM7002KR,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HMS120N85G,HM2803D,HMS120N85,HMC2N65K,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMC20N120,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,HMC20N65T2,变频器,充电器适配器,智能手表,TWS蓝牙耳机,电机驱动电路,超充充电桩,PFC,智能门锁,适配器,不间断电源,USB PD快充,UPS,太阳能逆变器,电磁炉,智能插座,服务器电源,电焊机,高速吹风机,航模,无人机,工业变频器,QR快充,平衡车,便携式储能,UPS 电源,逆变器,能源汽车,伺服驱动,超级充电桩,开关电源,智能手环,车载充电机,筋膜枪,智能穿戴产品,电子烟,小家电电源板,无线充,LLC(谐振)电源,OBC,电饭煲,氮化镓快充,漏电保护开关,半桥驱动电路,DC-DC电源模块,变频家电,储能,电机驱动,充电桩,充电器,氮化镓快充产品,BMS,线充,新能源汽车,光伏,LED照明,电动车,感应加热,滑板车,电源,全氟化碳,PF,户外电源,全桥驱动电路,通信电源,LED电源,光伏逆变器

2023/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

SLKOR（萨科微）专业从事功率元器件的设计、生产和销售。技术骨干来自Infineon英飞凌、三菱、IR、TI德州仪器、ONSEMI安森美等同行业技术领先企业，主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、SCR、IGBT单管、SiC元器件等。

SIC碳化硅器件高压MOS管中低压MOS管 COOLMOS 碳化硅场效应管碳化硅肖特基二极管场效应管 TVS瞬态抑制二极管 ESD防静电二极管超结场效应管 IGBT单管 IGBT/SIC模块二极管三极管肖特基二极管线性稳压器LDO 霍尔传感器开关二极管可控硅单向可控硅双向可控硅整流桥通用二极管 DC-DC电源芯片驱动IC IC集成电路快恢复二极管电池管理IC 光耦光电二极管运算放大器 RS232芯片达林顿管电压基准芯片开关电源芯片

代理服务线上商城技术资料

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！

日前，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域。

2024-09-04 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - WIFI模块,FUSE,SIC场效应晶体管,PCB导热材料,保险丝,DC-DC,TVS,隔离芯片,导轨端子,LDO,电流传感器,驱动IC,滤波磁环,IGBT模块,驱动光耦,SIC二极管,半导体制冷片TEC,PCB端子,干簧继电器,SIC MOSFET,滤波电容,蓝牙模块,导热垫片,单片机,相变材料,IGBT单管,MCU,MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS,30~80KW组串式光伏逆变器,组串式光伏逆变器,光伏逆变器,光伏发电系统

优选器件方案 - V2.1

MASPOWER(麦思浦)IGBT/MOSFET/FRD模块/AC-DC电源转换器/IC选型指南

公司专注于电压800V—4700V超高压MOSFET细分领域系列化开发，解决客户缺芯问题，主要服务工业电源，光伏储能，仪器仪表，医疗电源，国网电力电源等行业。

MASPOWER - MOSFET,AC-DC POWER CONVERTER,OPA,FS-IGBT,FRD模块,SIC MOS,NPT-IGBT,IGBT,低压MOS,超高压MOSFET,FS - IGBT,快恢复二极管、超快恢复二极管,IC,高压MOS,LV MOS,AC - DC反激电源,SJ MOS,集成电路,半导体功率器件芯片,碳化硅MOS,运算放大器,HV MOS,IGBT单管,FRD,FRD 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2024/6/5 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【元件】平伟实业SOP-32封装的大功率MOS阵列产品最新发布！独立控制端、功率端、减少信号干扰

传统逆变器单管MOS会使转换效率不高，单管MOS的限制会使逆变器输出的功率有限，从而影响到逆变器的转换效率，且在安全性能以及稳定性方面会有所缺陷，所产出的噪音也会更大，适应体积也较大。平伟实业在这一方面不断创新研发最新推出SOP-32封装的大功率MOS阵列产品。

2024-07-30 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】长晶科技FST3.0 IGBT新品发布＆光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

长晶科技全新推出了FST3.0（对标国际Gen7.0）650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，提高载流子密度；芯片元胞/功率密度增大，经济性更好；针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗，同时又保证产品的鲁棒特性。

2024-12-04 - 产品代理服务技术支持采购服务