【产品】支持最大120W快充的合封氮化镓电源芯片RM6820NQ,采用先进的3D封装集成技术
亚成微电子推出的合封氮化镓电源芯片RM6820NQ采用行业先进的3D封装技术,芯片内部集成ZVS反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,支持最大120W快充,具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点,实现了高可靠、高效率、高集成的小型化大功率快充电源设计要求。
RM6820NQ 集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下,在低压输入时会进入 CCM 模式。在重载情况下,系统工作在 QR 模式,并采用专有 ZVS 技术,以降低开关损耗,同时结合 PFM 工作模式提高系统效率。RM6820NQ 采用专有的驱动技术,搭配高压 GaNFET功率器件改善 EMI 设计。在轻载或空载情况下,系统工作在 Burst Mode 模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6820NQ 本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善 EMI。
RM6820NQ 同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括 VCC OVP,内置 OTP,外置 OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护 OCP,过载保护(OLP),CS 短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿和 ZVS 线电压补偿。
更高的集成度
集成ZVS反激式PWM控制器
集成650V E-mode GaNFET
集成 Emode GaN驱动器
集成驱动保护
集成高压启动
更高的可靠性
采用先进的3D封装集成技术
效率高
通流量大
导热率高
更低的成本
大幅减少开关电源元件数量
PCB面积更小,利于小型化设计
功能特点
■ 支持 CCM/QR 混合模式;
■ 专有 ZVS 技术;
■ 内置 700V 高压启动;
■ 内置 650V GaNFET;
■ 支持最大 130KHz 工作频率;
■ 内置特有抖频技术改善 EMI;
■ Burst Mode 去噪音;
■ 低启动电流(2uA),低工作电流;
■ 集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿;
■ 集成 AC 输入 Brown out/in 功能;
■ 外置 OVP 保护;
■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护;
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
应用领域
PD/QC快速充电器
大功率适配器
TV电源
原理图
产品系列
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亚成微电子(Reactor Microelectronics)LED照明驱动芯片选型指南
型号- RM9003X 系列,RM9003XX,RM9001DE,RM9031A,RM9023D,RM9001DB,RM9023F,RM9001DA,RM9023E,RM9003B,RM9023-XX,RM9003A,RM9010GBV,RM9012GB,RM9010GB,RM9023-05,RM9010X,RM9226,RM9006X,RM9001AH,RM9005AC,RM9001AF,RM9001AE,RM9003EE,RM9023-29,RM9033GA,RM06R20X,RM9033GE,RM9033GF,RM9115,RM9006ABS,RM9031X,RM9023X,RM9003X,RM9015X,RM9003BD,RM9003BB,RM9002DE,RM9015CB,RM9002DC,RM9001D,RM9002DB,RM9005G,RM06R20E,RM9023-20,RM06R20D,RM06R20C,RM9005E,RM06R20B,RM9126A,RM06R20A,RM9126B,RM9012X,RM9001AS,RM901CE,RM923X,RM9016X,RM9016BH,RM9006AC,RM9006AB,RM9010E,RM9023-07,RM9030E,RM9001X 系列,RM9003GA,RM9013,RM9016,RM9030CF,RM9015,RM9023-15,RM9103A,RM9023-13,RM9001X
亚成微电子股份有限公司ACDC电源管理方案
描述- 亚成微电子股份有限公司,成立于2007年,是一家国家级高新技术企业,专注于集成电路设计。公司产品涵盖通讯设备用包络追踪芯片、智能手机/笔记本电脑快充用AC/DC电源管理芯片、智能功率开关芯片、LED驱动芯片等。公司拥有多项知识产权,包括专利和布图设计,技术实力雄厚。亚成微提供AC/DC电源管理方案,包括强制ZVS反激方案、SSR控制器、PSR控制器等,旨在提高产品功率密度和效率。公司还提供技术支持和客户服务,包括设计沟通、DEMO提供、现场服务、产品测试和售后服务。
型号- RM341XSH,RM6163D,RM6717S,RM3413SH,RM671X系列,RMG65R380SN,RM6801X,RM3364S,RM3352S,RM6601SNX,RMA65R2K5SN,RMC65R380SN,RMG65R280SN,RM3368S,RM3365D,RM6801S,RM6514S,RM673XS,RM335X系列,RM671XS,RM6801X系列,RM3401SH,RMC65R650SN,RM3405SH,RM3353S,RM3430T,RM65R1K6SG,LM3290,RM3410T,RM4100,RM335X,QFE4100,RM65R1K6SD,RM6801SNX,RMG65R650SN,RM6601,RM671X,RMA65R1K0SN,HUSB339,RM6601SN,RM343X,RM3366D,RM6715S,RM3412SH,RM6601X,RM343XSH,RMC65R1K0SN,RMA65R1K6SN,RMG65R1K6SN,RM6601X系列,RM343X系列,RM6517D,RMG65R1K0SN,RM3100,RM442D2,RM6601系列,RMA65R650SN,RM50055,RM6601S,RMA65R380SN,RM6801SNX系列,RM65R2K5SD,RM6801SN,RMX65R950SN,SW3517,RMX65R600BN,RM3402SH,RMC65R280SN,QET6100,RM6601SNX系列,RM67XX系列,RM4141N,RM6710S,RM65R2K5SG,SW3516,RM50085,RMA65R280SN,RM3400T,RMG65R2K5SN,RM67XX
亚成微电子智能功率开关选型表
亚成微智能功率开关,导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃(Typ)2.8mΩ-200mΩ;有过压保护、过流限制、过温保护
产品型号
|
品类
|
导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃(Typ)
|
导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃(Max)
|
负载电流典型值/IL(A)(Nom)
|
负载电流典型值/IL(A)(ISO)
|
短路电流保护值/IL(SC)(A)
|
通道数量
|
封装
|
保护特性
|
诊断特性
|
RM75200
|
智能功率开关
|
150
|
200
|
0.7
|
/
|
1.4
|
1
|
SOT-223
|
过压保护 过流限制 过温保护
|
/
|
选型表 - 亚成微电子 立即选型
亚成微电子(Reactor Microelectronics)AC-DC电源管理芯片选型指南
目录- 公司简介 AC/DC电源管理芯片
型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL
亚成微电源管理芯片选型表
亚成微电源管理芯片选型表包含开关电源芯片,ACDC电源管理芯片,参数:功率管2A/650V,工作频率65kHz,最大功率8W,分类:原边反馈(PSR)
产品型号
|
品类
|
封装
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功率管
|
工作频率
|
最大功率
|
分类
|
应用领域
|
RM3363SL
|
开关电源芯片
|
SOP-7
|
2A/650V
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65kHz
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8W
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原边反馈(PSR)
|
快速充电器、电源适配器、LED照明电源
|
选型表 - 亚成微电子 立即选型
【产品】耗散功率59W的智能高边功率开关RM77020T5S,具备电流和温度检测功能,工作电压5~62V
RM77020T5S是亚成微电子推出的一款超低待机功耗的智能高边功率开关,内部集成大电流MOSFET、电流检测和温度检测功能,可以接感性负载、阻性负载、容性负载等多种负载;集成多种保护功能,过载保护、电流限制、短路保护等功能。
亚成微电子(Reactor Microelectronics)功率MOSFET选型指南
型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN
电子商城
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>
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