【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A(60V/42A)N沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
PJQ5462A N沟道增强型MOSFET特点:
•RDS(ON), VGS@10V,ID@20A<12mΩ
•RDS(ON), VGS@4.5V,ID@10A<15mΩ
•开关速度快
•改进的dv/dt能力
•反向传输电容低
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封,符合IEC 61249标准
PJQ5462A N沟道增强型MOSFET机械数据:
•外壳:DFN5060-8L封装
•端子:可焊性均符合MIL-STD-750标准(方法2026)
•重量约:0.0028盎司,0.08克
•标记:Q5462A
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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强茂(PANJIT)MOSFET选型表
提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品,覆盖漏源电压20V/30V/40V ,N沟道低压MOSFET,-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等,涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。
产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)10V
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Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ.(nC)10V
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PJA3403_R1_00001
|
低压MOS
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SOT-23
|
P
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Single
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-30V
|
12V
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-3.1A
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165mΩ
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114mΩ
|
98mΩ
|
443pF
|
-1.3V
|
11nc
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选型表 - PANJIT 立即选型
强茂(PANJIT)Medium Voltage MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(7V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
PSMQC060N06LS1-AU
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Medium Voltage MOSFET
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DFV5060-8L
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New Product
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-
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AEC-Q101 Qualified
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-
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N
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Single
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60
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20
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68
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6
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-
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10
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2057
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3
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价格:¥0.0900
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品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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价格:¥0.1676
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品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品牌:PANJIT
品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
最小起订量: 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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