【应用】力特SIC MOS帮助高频逆变电焊机效率提升至80%、体积减小15%

时间： 2018-11-30 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

高频逆变电焊机可以针对车身不同部位、不同材料钣金进行专业的修复。但由于受到功率器件等因素的限制，机器工作频率低仅为20KHz，效率不高为73%，同时频率低导致机器内部降压变压器体积不能缩小，致使机器整体体积偏大移动不方便，这些都是此类产品的痛点。本文介绍LITTELFUSE的SIC MOS LSIC1MO120E0080在高频逆变电焊机的应用，解决了产品效率低、体积大、操作时电焊机移动不方便等问题。

高频逆变电焊机的工作原理如图1所示：电网的交流电输入，通过缓启动电路后进行一次整流滤波，进入逆变电路，将直流电逆变成高频交流电，最后通过隔离变压器降压后二次整流成直流输出。在整个逆变电焊机主回路工作过程中，逆变电路是整个电路的功率核心部分，而LSIC1MO120E0080就是应用在逆变电路中。

图1 高频逆变电焊机工作原理框图

高频逆变电焊机采用Littelfuse的SIC MOS LSIC1MO120E0080做为逆变电路中的功率器件，由于栅极电荷低至95nC，开关损耗低，可将逆变开关频率提升到100KHz以上，效率提高到80%左右，频率提高后，同时使得降压变压器的磁芯体积缩小，从而让整机的体积相对应减小15%左右。产品整体效率提升、体积缩小、操作时电焊机移动也变得轻而易举。

产品特点：

1. 专为高频、高效率产品应用优化；

2. 极低栅极电荷和输出电容；

3. 低栅极电阻，适用于高频开关；

4. 在各种温度条件下保持常闭状态；

5. 超低导通电阻；

图2 LSIC1MO120E0080 器件图

应用领域：

1. 逆变电焊机

2. 光伏逆变器

3. 车载OBC和车载DC-DC

4. 电机驱动器

5. 充电桩

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 6
| 转发至：

本文由鲍鲍提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（6）

用户52297030 Lv4. 资深工程师 2021-02-01

学习
李传喜 Lv4. 资深工程师 2020-11-29

学习了
上善若水 Lv4. 资深工程师 2020-11-21

学习了
qm9698 Lv6. 高级专家 2020-11-16

学习
LEE Lv8. 研究员 2020-10-19

很好

随心飞翔 Lv7. 资深专家 2020-10-19

学习了

没有更多评论了

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求

SiC MOSFET产品在光伏逆变器中是一种重要的功率开关器件，可以承担关键的电源开关和电流控制功能。在光伏逆变器中，SiC MOSFET产品通常作为主开关管使用，用于控制输入直流电源的开关和输出交流电源的频率和电压。HI-SEMICON提供多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求。

2023-10-24 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】1200V/25A高性能SiC MOSFET在5-6KW车载OBC上的应用

LITTELFUSE推出全新高性能碳化硅SiC MOSFET，符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于车载OBC体积及发热要求较高的应用。本文介绍在Q1-Q6功率管选用LITTELFUSE SIC MOSFET LSIC1MO120E0080设计一个功率5-6KW的车载OBC。

2018-08-03 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性

随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。

2024-08-10 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来

光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备，主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来，希望对各位工程师朋友有所帮助。

2024-07-23 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持采购服务

SL87N120A 1200V 17mΩSiC MOSFET

描述- 本资料介绍了SL87N120A SiC MOSFET的特性，包括其高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点。该产品适用于EV主驱逆变器、光伏逆变器、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

型号- SL87N120A

03 May 2020 - SLKOR - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持采购服务

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案

描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - 优选器件方案 - V1.1

MC40UZ12ST 1200V SiC MOSFET功率模块

描述- 本资料详细介绍了MC40UZ12ST型1200V SiC MOSFET功率模块的技术规格和应用。该模块适用于光伏逆变器、电池充电器、服务器电源和储能系统等应用，具有零关断尾电流、高频率操作、低开关损耗等特性。

型号- MC40UZ12ST

13-Jun-24 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

SiC MOSFET 5kW 高效率无风扇逆变电路

描述- 采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路(1)、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中，平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的匝数减少、使铜损大幅度减少实现了高效率。在这份资料中，介绍这个全新的逆变器设计的例子。

型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD

2021.10 - ROHM - 应用笔记或设计指南 - Rev.001 代理服务技术支持采购服务

【方案】4KW便携式高频逆变电焊机优选元器件方案

描述- 本方案采用Littlefuse SIC功率器件、Silicon labs电容隔离驱动、Renesas高压MOSFET和Shindengen片状整流桥等器件组成的高频逆变电路，可将机器工作频率提升到100KHz以上,效率提高到80%左右，同时机器体积可缩小近15%左右。解决了产品效率低、体积大、操作时电焊机移动不方便等问题。

型号- 2SK2225-80-E,LRMAP3920,D50XB80,TFLEX HD300,TPCM780,SMDTF03100QA00MQ00,R5F562TAADFP,LRMAP5930,1.5KE150CA,EKMW401VSN821MA40S,SI8273,SI827X,SGM6130,LSIC1M0120E0080,SI8620,D50JCB80,LSIC2SD120E20CC,250R145,2SK2225,LSIC1MO120E0080

NIPPON CHEMI-CON,RENESAS,SHINDENGEN,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,SGMICRO,WIMA,TT ELECTRONICS - 优选器件方案 - V1.1

MC20UZ12ST 1200V SiC MOSFET功率模块

描述- 本资料详细介绍了MC20UZ12ST型1200V SiC MOSFET功率模块的技术规格和应用。该模块适用于光伏逆变器、电池充电器、服务器电源和储能系统等应用，具有零关断尾电流、高频率操作、低开关损耗等特性。

型号- MC20UZ12ST

13-Jun-24 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【经验】Littelfuse SiC MOS管让光伏逆变器峰值效率高达99%

以10kW三相光伏逆变器为例，在逆变电路中采用littelfuse 1200V/80mΩ的SiC MOS管（LSIC1MO120E0080）和650V/40A的IGBT单管相结合，开关频率由16kHz提高至50kHz。在输出三相交流400V时，其最大输出电流可达18A，峰值效率高达99%，功率密度达到1Kw/L，有效的提高了整机效率和功率密度。

2019-02-26 - 设计经验代理服务技术支持采购服务