【经验】解析MOSFET的反向恢复特性对于LLC转换器失谐的重要性

时间： 2022-12-18 来源：ROHM R课堂

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本文将介绍“LLC转换器中一次侧开关器件反向恢复特性的重要性”系列最关键的要点“MOSFET的反向恢复特性对于LLC转换器失谐的重要性”，详细内容如下。

在中介绍的区域（2）中LLC转换器的波形和电流路径时，可以看到其中有一个期间电流会流过体二极管。然而，在正常工作时，在该期间体二极管不会关断，因此通常不会出现反向恢复电流。

接下来，我们通过图5来看LLC转换器在过负载状态下的工作波形，这也是区域（3）中LLC转换器的工作示例。通过图5中Q1和Q2的漏极电流波形，可以看到是ZCS工作而不是ZVS工作。因此，体二极管的反向恢复电流引发直通电流，MOSFET的开关损耗增加，最坏的情况下可能会导致MOSFET损坏。

图 1 LLC转换器在过负载条件下的工作波形

如上所述，在区域（3）中，由于偏离设想中的谐振条件而出现直通电流。图1为过负载状态下的波形，当输入电压较低时，或当负载条件变化急剧时，或当电源启动时，将会失谐并流过直通电流。要想防止因失振造成的MOSFET损坏，行之有效的方法是选择体二极管反向恢复特性优异的MOSFET，降低直通电流值。

R60xxVNx系列正是符合要求的MOSFET。ROHM R60xxVNx系列是新一代PrestoMOS™，是以出色的反向恢复特性著称的超级结MOSFET。出色的反向恢复性能可以降低直通电流带来的损耗，非常适用于LLC转换器的一次侧MOSFET。

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