【产品】美浦森推出的-100V/-20A的P沟道功率MOSFET，具有低漏源导通电阻、低反向传输电容和快速开关特性
SLD20P10T/SLP20P10T是美浦森（Maplesemi）推出的采用先进平面条纹沟槽技术的P沟道功率MOSFET，这项先进的技术是为实现导通损耗最小化而特别设计的，可提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。器件漏源电压最大额定值为-100V，连续漏极电流最大额定值为-20A（TC=25℃），具有非常低的漏源导通电阻RDS(ON)、低反向传输电容和快速开关特性，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品特点
P沟道：漏源电压-100V，连续漏极电流-20A（TC=25℃）
漏源导通电阻RDS(ON)=59mΩ（典型值）@VGS=-10V
极低的导通电阻RDS(ON)
低反向传输电容Crss
快速开关
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
应用
负载开关
PWM应用
电源管理
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤0.5%
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