【应用】国产氮化镓INN100W08助力激光雷达发射端ns级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。
国产英诺赛科的INN100W08(图1的eGaN FET)为氮化镓增强型场效应晶体管,其在激光雷达的应用原理如图2所示,主要是启动控制Laser的高能量开关的特性。
图1:INN100W08(eGaN FET)原理和引脚定义图
图2:激光雷达发射原理
INN100W08主要是用于Q1的位置(图3)。INN100W08是100V,瞬态电流高达50A(Tpluse=100μS),Qg低至1.4nC。根据Qg=It估算,当驱动的电流在1A时,相当于t为1.4ns,时间为ns级别。超低的Qg,可以实现激光二极管的tw时间在2~5个纳秒级别应用(图1所示的iDL脉冲波形)。在VIN电压60~80V条件, 大电流iDL的能量脉冲下,可实现高达上百米的检测距离。
图3:激光发射原理和波形
另外INN100W08为国产器件,整个晶圆设计和生产都是在国内,产品供应快,性价比非常的高。
INN100W08的相关参数:
INN100W08采用的是BGA封装,尺寸信息:
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