【产品】采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEAP60T12AK，漏源电压最大额定值为60V
NCE推出一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET——NCEAP60T12AK，可以提供最高效的高频开关性能。漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为150A（TC=25℃）。器件采用TO-252-2L封装，得益于RDS(ON)和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=150A
漏源导通电阻RDS(ON)<4.3mΩ@VGS=10V（典型值3.5mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<5.3mΩ@VGS=4.5V（典型值4mΩ）
优异的FOM产品：Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
AEC-Q101合格
应用
汽车应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1..由设计保证，不受产品测试限制
2.EAS条件：Tj=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
封装标识及订购信息
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