【产品】四款导通电阻仅85mΩ的MOSFET功率模块,连续漏电流为85A

2017-11-30 Kyocera(世强编辑整理)
MOSFET功率模块,P2H10M440H,P2H10M441H,PD10M440H MOSFET功率模块,P2H10M440H,P2H10M441H,PD10M440H MOSFET功率模块,P2H10M440H,P2H10M441H,PD10M440H MOSFET功率模块,P2H10M440H,P2H10M441H,PD10M440H

MOSFET模块一直以来都在功率元件中是很重要的一部分。京瓷推出的PD10M441H/PD10M440H/P2H10M441H/P2H10M440H等MOSFET集成模块方便高效,采用了陶瓷和铜板的组合,结构紧凑,轻小便捷,占用较小空间,可以应用在驱动电路、逆变电路、斩波电路等。


温度为25℃,Duty=50%时的连续漏电流ID为85A,最大漏电流IDM为170A,由此可见PD10M441H/PD10M440H/P2H10M441H/P2H10M440H等MOSFET集成模块可以在较大电流的情况下工作,提高了电路稳定性,能在较大功率电路中有很好的应用。在栅源电压VGS为10V,连续漏电流ID为40A时,漏源通态电阻rDS(on)的典型值仅为75mΩ,最大值仅为85mΩ,可见其导通电阻极小,降低了导通损耗,节约了能源。


PD10M441H/P2H10M441H等模块的漏源击穿电压为450V,PD10M440H/P2H10M440H等模块的漏源击穿电压为500V。它们的总功耗为730W,隔离电压Viso为2000V,工作结温范围Tjw为-40~+150℃,存储温度范围为-40~+125℃,较大程度上满足了工业需求的环境温度。它们质量为220g,较轻便,是较庞大电路很好的选择。


主要数据:

· VDD为VDSS的一半,ID为40A,VGS为-5V和+10V,RG为7Ω时:

——td(on)=140nS,td(off)=300nS,tr=110nS,tf=50nS

——VDSS=450V/500V

· 温度为25℃(Duty=50%)时:

——连续漏电流ID=85A

——最大漏电流IDM=175A

——功耗PD=730W

——隔离电压Viso=2000V


主要应用:

· 小型EV

· 室内搬运车

· 无人搬运车


图1:模块实物图


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  • Cccccyn Lv3. 高级工程师 2018-07-08
    学习了
  • 幸运星 Lv7. 资深专家 2018-01-15
    这个和igbt 在这个电流层次上哪个应用性更好?
  • alice Lv4. 资深工程师 2017-12-26
    很好的东西,值得学习
  • Jerry65 Lv5. 技术专家 2017-12-10
    挺好的,多多学习一下。。。
  • ken2089 Lv4. 资深工程师 2017-12-01
    好东西
  • Clarence Lv8. 研究员 2017-11-30
    好东西
  • ggss Lv8. 研究员 2017-11-30
    好东西收藏了!
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