【产品】N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB采用DFN 3*3A-8L塑封封装，适用于低压电路
蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB，采用DFN 3*3A-8L塑封封装。其VDS(V)值为20V，在VGS=±12V条件下ID值为12.6A，是一种无卤产品。BRCS080N02ZB适用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。其PD值为100W，IAS值为12.5A，TSTG温度范围为-55~+150°C。
图 1
特征
●VDS(V)=20V
●ID=12.6A (VGS=±12V)
●无卤产品
用途
用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
极限参数
表 1
电性能参数
表 2
外形尺寸图
图 2
包装规格
表 3
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