【产品】N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB采用DFN 3*3A-8L塑封封装，适用于低压电路
蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB，采用DFN 3*3A-8L塑封封装。其VDS(V)值为20V，在VGS=±12V条件下ID值为12.6A，是一种无卤产品。BRCS080N02ZB适用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。其PD值为100W，IAS值为12.5A，TSTG温度范围为-55~+150°C。
图 1
特征
●VDS(V)=20V
●ID=12.6A (VGS=±12V)
●无卤产品
用途
用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
极限参数
表 1
电性能参数
表 2
外形尺寸图
图 2
包装规格
表 3
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自蓝箭电子，原文标题为:DFN 3*3A-8L塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】低输入电容的无卤N沟道MOS场效应管BRCS6570SC，适用于负荷开关及转换开关
蓝箭电子推出的BRCS6570SC是一款采用SOP-8塑封封装无卤N沟道MOS场效应管。具有低导通电阻，低输入电容，开关速度快的特征，适用于负荷开关，转换开关。
【产品】蓝箭推出双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，VDSS值30V，采用PDFN3×3-8L塑封封装
蓝箭电子推出的双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，采用PDFN3×3-8L塑封封装。具有VDS(V)=30V，ID=24A(VGS =±20V)，RDS(ON)@10V≤13mR(Typ.11mR)，HFProduct的特征。
【产品】TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A，适用于高功率DC/DC转换和功率开关
蓝箭电子推出的TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A，具有低栅电荷,低反馈电容,开关速度快的特征。该器件适用于高功率DC/DC转换和功率开关，其VDSS值80V。
【产品】30V/150A的N沟道MOS场效应管BRD100N03，采用TO-252塑封封装
蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRD100N03，采用TO-252塑封封装。该产品具有低栅电荷，低反馈电容，开关速度快，是一种无卤产品。其VDSS值为30V，VGSS值为±20V，BRD100N03可用于高功率DC/DC转换和功率开关。
【产品】蓝箭电子推出的无卤N沟道MOS场效应管BRCS080N04YB，规格为40V/45A
蓝箭电子N沟道MOS场效应管BRCS080N04YB，采用PDFN3×3A-8L塑封封装。具有VDS(V)=40V，ID=45A（VGS=±20V），RDS(ON)@10V≤8mR（Typ.6.4mR），无卤产品的特征。
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论