【产品】60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET，反向传输电容为85pF
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN5060-8L封装的PJQ5466A（60V/40A）N沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
该N沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON), VGS@10V,ID@15A<21mΩ
•RDS(ON), VGS@4.5V,ID@8A<24mΩ
•开关速度快
•改进的dv/dt能力
•反向传输电容低
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
该N沟道增强型MOSFET机械数据：
•外壳：DFN5060-8L封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.0028盎司，0.08克
•标记：PJQ5466A
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由民工翻译自PANJIT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460（60V/3.2A）N沟道增强型MOSFET。无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A（60V/42A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为250mA。
强茂（PANJIT）MOSFET选型表
提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品，覆盖漏源电压20V/30V/40V ，N沟道低压MOSFET，-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等，涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)10V
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ.(nC)10V
|
|
PJA3403_R1_00001
|
低压MOS
|
SOT-23
|
P
|
Single
|
-30V
|
12V
|
-3.1A
|
165mΩ
|
114mΩ
|
98mΩ
|
443pF
|
-1.3V
|
11nc
|
选型表 - PANJIT 立即选型
强茂（PANJIT）Medium Voltage MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-100~200,ID(A)：-16~166,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：3.3~4200等。强茂的中压产品开发BVDSS 60 - 200V系列产品，采沟槽式(Trench)结构设计提高产品特性；常被用于同步整流电路，可应用在消费性产品,电子电源,通讯电源系统等。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
ESD
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(7V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
|
PSMQC060N06LS1-AU
|
Medium Voltage MOSFET
|
DFV5060-8L
|
New Product
|
-
|
AEC-Q101 Qualified
|
-
|
N
|
Single
|
60
|
20
|
68
|
6
|
-
|
10
|
2057
|
3
|
-
|
19
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，采用先进沟槽工艺技术
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为1.0A。
【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管
PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW，采用SOT-23封装。
【产品】PANJIT推出N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，规格为30V/4.4A
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，在TA=25℃的条件下，其最大额定值方面，漏源电压为30V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为4.4A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，栅源电压±8V，专为开关负载、PWM应用等设计
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为5.1A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
【产品】TO-252AA封装的60V/11A N沟道增强型MOSFET PJD11N06A，反向传输电容典型值为23pF
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了TO-252AA封装的PJD11N06A（60V/11A）N沟道增强型MOSFET。反向传输电容典型值为23pF,具有开关速度快、低栅极电荷的特点，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】DFN3333-8L封装的60V/11A N沟道增强型MOSFET PJQ4460AP
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4460AP（60V/11A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】强茂推出20V/2A无铅N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，SOT-23封装
PANJIT（强茂）推出的N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，采用SOT-23封装，在TA=25℃条件下，漏源最大电压20V，漏极直流电流最大2A，在ESD保护方面，HBM保护2KV，专为开关负载、PWM应用等而设计，无铅。
【产品】100V/35A N沟道增强型MOSFET PJQ4476AP，采用DFN3333-8L封装
PJQ4476AP是PANJIT公司推出的一款采用DFN3333-8L封装的N沟道增强型MOSFET，漏源电压最大额定值为100V，连续漏极电流的最大额定值为35A，上升时间的典型值是42ns，下降时间的典型值是19ns。
【产品】40V/100A N沟道增强型MOSFET PJD100N04,采用TO-252AA封装
PANJIT（强茂）推出了PJD100N04为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为40V，连续漏极电流最大额定值为100A。
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E，漏源电压为30V
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为30V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为4.2A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0900
现货： 16,490
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥1.1300
现货： 5,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1989
现货： 4,050
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5537
现货： 3,574
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.8453
现货： 3,150
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.2848
现货： 3,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1537
现货： 2,930
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0057
现货： 2,900
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
价格：￥0.1994
现货：181,927
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论