【产品】一款雪崩击穿电压可达600V的MOS管，导通电阻仅为0.54Ω
F7F60C3M是新电元公司推出的一款性能优异的面向开关电源的N沟道金属氧化物场效应晶体管，相对于P沟道MOS管，导通电阻更小，并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为7.0A，性能稳定可靠，具有高电压、高切换速度、低静态导通电阻的特点，是设计中大功率开关电源的理想选择。主要面向负载/电源开关，逆变器，驱动器等市场应用。
采用SMD（Surface Mounted Devices）表面贴装，以Sn为主要材料，大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FTO-220A，是一款具体尺寸为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）mm，适用于小型嵌入式电器设计。
图1 F7F60C3M外部视图
F7F60C3M的最大栅极/源极电压VGSS为±30V，最大总耗散功率PT为30.0W，提高了能源利用效率，同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.54Ω，最高沟道温度Tch为150.0℃，总栅极电荷量典型值Qg为28.0 nC。
图2 F7F60C3M典型输出特性及转移特性曲线
F7F60C3M的主要特点：
• 最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V
• 最大漏极持续电流（DC）Id为7.0A，最大总耗散功率PT为30.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.54Ω
• 最高沟道温度Tch为150.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为28.0nC
• 采用FTO-220A封装, 尺寸大小为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）
F7F60C3M的典型应用：
• 负载/电源开关
• 逆变器
• 驱动器
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活影忍者 Lv7. 资深专家 2018-11-13学习 -
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LouBing Lv7. 资深专家 2018-05-02Rds不错，收藏了 -
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加油小陈 Lv8. 研究员 2018-05-02收藏
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
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