【产品】低功耗单模半导体激光二极管,波长650nm
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,半导体激光产品的产量位居业内第一,产品阵容丰富,通过优越的市场业绩证明了高可靠性,其产品多种多样,也满足了各种需求。罗姆(ROHM)推出的RLD65PZX3、RLD65PZX2、RLD65NZX2、RLD65MQX1低功耗单模半导体激光二极管,采用高精度金属杆。这几款产品的激光波长均在650nm附近,在PO=10mW时,典型值分别为657nm、655nm、655nm、660nm。符合RoHS无铅标准,主要应用于传感器、条形码扫描器等领域。
图1 RLD65PZX3、RLD65PZX2低等效电路图
图2 RLD65NZX2等效电路图
图3 RLD65MQX1等效电路图
电气参数方面。在TC=25℃的标准下,RLD65PZX3、RLD65PZX2、RLD65NZX2、RLD65MQX1四款低功耗单模半导体激光二极管的发射部分(LD)的反向电压VR最高均为2V,激光二极管接收部分(PD)反向电压VR最高均为20V;RLD65PZX3、RLD65PZX2、RLD65NZX2的阈值电流最大值为35mA(RLD65MQX1为40mA);其工作电流最大值分别为55mA(PO=10mW)、45mA(PO=5mW)、45mA(PO=5mW)、50mA(PO=5mW);操作电压最大值分别为2.7V(PO=10mW)、2.6V(PO=5mW)、2.6V(PO=5mW)、2.8V(PO=5mW)。
另外,在PO=5mW(RLD65PZX3测试条件为PO=10mW)时,RLD65PZX3、RLD65PZX2、RLD65NZX2的平行光束发散角度典型值均为8.5°,垂直光束发散角度典型值为28°,平行光束公差为±2°,垂直光束公差为±3°;RLD65MQX1(PO=5mW)的平行光束发散角度典型值均为9°,垂直光束发散角度典型值为27°,平行光束公差为±2.5°,垂直光束公差为±3°。在应用环境方面,4款产品均具有较为优异的温度特性,操作温度范围为-10℃~70℃,存储温度范围为-40℃~85℃,具有出色的耐高温性能和极强的环境适应能力,满足部分工业环境应用温度要求。产品具体封装尺寸见图4-5。
图4 RLD65PZX3、RLD65PZX2、RLD65NZX2低功耗单模半导体激光二极管尺寸图(mm)
图5 RLD65MQX1低功耗单模半导体激光二极管尺寸图(mm)
RLD65PZX3、RLD65PZX2、RLD65NZX2、RLD65MQX1低功耗单模半导体激光二极管特点:
•光波输出功率:
RLD65PZX3:12mW
RLD65PZX2:7mW
RLD65NZX2:7mW
RLD65MQX1:10mW
•单模式
•RLD65PZX3、RLD65PZX2、、RLD65NZX2采用高精度Φ5.6金属杆
•RLD65MQX1采用高精度Φ3.5金属杆
RLD65PZX3、RLD65PZX2、RLD65NZX2、RLD65MQX1低功耗单模半导体激光二极管应用领域:
·传感器
·条形码扫描器
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产品型号
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品类
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Package
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Wavelength(nm)
|
Forward Voltage(V)
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IF(mA)
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Total Power Out(mW)
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OPR2800V
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Infrared Light Emitting VCSEL
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4-SMD
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850nm
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2.2V
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7mA
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1.5mW
|
选型表 - TT Electronics 立即选型
详细介绍激光二极管的基本原理、结构、材料、种类和应用
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电子商城
现货市场
服务
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最小起订量: 3000 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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