【产品】600V/60A工业级N沟道MOSFET，导通电阻低至0.04Ω
F31W60CP/F39W60CP/F60W60CP是日本新电元公司推出的一款工业级N沟道MOSFET，相比于P沟道MOS管，拥有更小的导通电阻。最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为31.0/39.0/60.0A，所用的框架和引脚采用无缝焊接技术锻造而成，拥有更好的包封和阻燃性能。具有高电压，低静态导通电阻，高切换速度的特点。广泛使用于继电器驱动，电源转换器电路，高速脉冲放大器等应用。
采用SMD（Surface Mounted Devices）表面贴装，以Sn为主要材料，大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为MTO-3P，是一款具体尺寸为41.0mm（W）X16.0mm（H）X5.0mm（D）mm，适用于小型嵌入式电器设计。
图1 F31W60CP外部视图
F31W60CP/F39W60CP/F60W60CP的最大栅极/源极电压VGSS为±30V，最大总耗散功率Pt为120.0/125.0/140.0W，提高了能源利用效率，同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.095/0.068/0.04Ω，最高沟道温度Tch为150.0℃，总栅极电荷量典型值Qg为60.0/83.0/146.0nC。
图2 F31W60CP典型输出特性及转移特性曲线
F31W60CP/F39W60CP/F60W60CP的主要特点：
• 最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V
• 最大漏极持续电流（DC）Id为31.0/39.0/60.0A，最大总耗散功率Pt为120.0/125.0/140.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.095/0.068/0.04Ω
• 最高沟道温度Tch为150.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为60.0/83.0/146.0nC
• 采用MTO-3P封装, 尺寸大小为41.0mm（W）X16.0mm（H）X5.0mm（D）
F31W60CP/F39W60CP/F60W60CP的典型应用：
• 继电器驱动
• 电源转换器电路
• 高速脉冲放大器
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