基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获2020年度中国IC设计成就奖
6月28日，在上海举行的2020中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼传来喜讯，基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获2020年度中国IC设计成就奖之功率器件奖项！中国IC设计成就奖是中国电子业界最重要的技术奖项评选活动之一，基本半导体此次荣登榜单，代表公司研发实力和技术创新能力再次得到业界的肯定和认可。
基本半导体自成立以来，致力于碳化硅功率器件的研发及产业化，自主研发高性能、高可靠性的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和车规级全碳化硅功率模块产品。此次获奖的车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1针对新能源汽车主逆变器设计，采用业内主流的单面水冷散热形式，为高效电机控制器设计提供便利。基于基本半导体最新的碳化硅MOSFET设计生产工艺，BMB200120P1在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项主要参数上达到业内领先水平。
在中美科技冷战和全球新冠疫情的大变局下，中国半导体产业的发展面临极大的挑战和难得的机遇。作为快速成长的中国半导体企业，基本半导体将继续加大对碳化硅功率器件的自主研发投入，不断深化技术、产品和管理的创新模式，积极推进第三代半导体的国产替代进程。
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