【产品】-5.4A/-40V的P沟道功率MOSFET DI005P04PW， 采用QFN2×2薄型封装
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI005P04PW的P沟道功率MOSFET，器件采用QFN2×2封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点。电气参数方面，漏源电压为-40 V（VGS=0V），栅源电压为±12V，耗散功率为2W（TA=25℃），允许通过的漏极持续电流为-5.4A（TA = 25℃ ），漏极峰值电流为-40A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器等应用领域。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征
薄型封装，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩耐量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
同步整流器
商业/工业级应用
产品型号后缀-AQ表示符合AEC-Q101认证（DI005P04PW-AQ）
机械参数
编带和卷盘包装：4000/7”
重量约0.05 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值
电气特性
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