【产品】-5.4A/-40V的P沟道功率MOSFET DI005P04PW，采用QFN2×2薄型封装

时间： 2022-04-05 来源：Diotec

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI005P04PW的P沟道功率MOSFET，器件采用QFN2×2封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点。电气参数方面，漏源电压为-40 V（V_GS=0V），栅源电压为±12V，耗散功率为2W（T_A=25℃），允许通过的漏极持续电流为-5.4A（T_A = 25℃ ），漏极峰值电流为-40A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器等应用领域。

图1. 产品外形、尺寸及内部结构图

主要特征

薄型封装，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩耐量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定

典型应用

DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
同步整流器
商业/工业级应用
产品型号后缀-AQ表示符合AEC-Q101认证（DI005P04PW-AQ）

机械参数

编带和卷盘包装：4000/7”
重量约0.05 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1

最大额定值

电气特性

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Batman翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】-50A/-30V的P沟道功率MOSFET DI050P03PT, 采用QFN3×3封装

Diotec推出的商用级P沟道功率MOSFET DI050P03PT，采用QFN3×3封装，尺寸小，剖面低，节省空间，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为-30 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为40 W，允许通过的漏极持续电流为-50 A（TC = 25°C ），漏极峰值电流为-200 A。工作结温和存储温度范围-55~+150︒C。

2020-12-16 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】德欧泰克集成H型桥的N/P沟道功率MOSFET DI006H03SQ，耗散功率1.5W

Diotec推出型号为N/P沟道功率MOSFET DI006H03SQ，且集成H型桥，采用SO-8外壳封装。该器件剖面低，封装高度低，可节省空间，且其具有低导通电阻，开关速度快，低栅极电荷等产品特性。

2022-10-19 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】-30V/-14A的P沟道功率MOSFET RRH140P03，采用SOP8封装

RRH140P03是ROHM推出的一款P沟道功率MOSFET。这款MOSFET采用无铅镀层，符合RoHS标准，内置G-S保护二极管，具有较高安全性。同时，具有低导通电阻的特点，导通电阻为7mΩ，降低了导通损耗。RRH140P03采用SOP8封装形式，主要应用于DC/DC转换器。

2019-12-15 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

DIOTEC MOSFETs选型表

DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991

Drain Source Voltage VDS[V]

Drain Current ID[A]

Junction Temperature Tjmax[℃]

Polarity pol

Power Dissipation Ptot [W]

Peak Drain Current IDM [A]

Threshold Voltage VGSth[V]

On-Resistance RDSon[Ω]