【产品】FL06100系列650V/100mΩ碳化硅MOSFET,可兼容标准栅极驱动器,具有高雪崩耐受能力
即思创意推出FL06100系列碳化硅MOSFET(650V,100mΩ),可兼容标准栅极驱动器,具有高雪崩耐受能力及高可靠性,大大提高系统效率,采用薄型低寄生电感封装,结温/储存温度为-55℃至175℃,应用前景广阔。
产品信息
产品特性
·优化的漏源通态电阻,带快速开关动作
·薄型低寄生电感封装
·干净地开尔文源开关
·与标准栅极驱动器兼容
·高雪崩耐受能力
·针对大功率密度应用进行了优化
·符合RoHS,无卤素
优势
·系统效率更高
·增加器件并联的便利性
·可用于高温应用
·允许高频工作
·实现紧凑及轻巧的系统
·可靠性高
应用前景
·开关电源
·PFC&DC/DC变换器
·充电站
·电机驱动器
·再生能源
·逆变器
关键性能参数
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由努力搬砖的Cindy翻译自即思创意,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET,高频开关、低损耗,助力高效高密电源设计
为了满足高密度的功率变换的需求,瞻芯电子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(SiC)MOSFET产品,具有低损耗、散热性强等特点,让系统设计更紧凑、更高效,组装时能自动化生产。
【产品】雪崩耐受性强的碳化硅MOSFET FF06030系列,具有更高的系统效率,允许使用高温应用
即思创意推出的碳化硅MOSFET–Falcon Series FF06030具有快速切换行为的优化RDS(on),能够与标准栅极驱动器兼容,雪崩耐受性强。其具有更高的系统效率,允许使用高温应用并进行高频操作,可靠性高,符合RoHS标准且无卤素。
【产品】漏源电压高达1700V的碳化硅MOSFET FF17900,反向电容典型值为1pF
即思创意推出的碳化硅MOSFET产品FF17900,符合RoHS和无卤素标准,漏源电压最小值为1700V。可应用于开关模式电源,脉冲电源应用,电池管理系统,电信电源,可再生能源,电机驱动等领域。
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
【应用】瞻芯电子20kW碳化硅三相PFC参考设计
三相PFC是一种高效率大功率无桥功率因数校正电路,本文介绍瞻芯电子的20kW碳化硅三相PFC参考设计,额定功率为20kW,使用1200V/30mΩ SiC MOSFET IV1QXXXXT3,以及专用碳化硅MOSFET驱动IC IVCR1401用于高速桥臂。
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电,具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率,可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时,更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸,实现更高的功率密度。此外,低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
即思创意碳化硅肖特基二极管及MOSFET选型表
即思创意提供以下参数的技术选型,DC Blocking Voltage(V):650,Total Capacitive Charge(nC):10~45,Capacitance Stored Energy(μJ):1.6~6.5,Continuous Drain Current(A):2.5~60
产品型号
|
品类
|
Power Dissipation(W)
|
Continuous Drain Current(A)
|
Gate Charge(nC)
|
Output Capacitive Charge(nC)
|
Avalanche Energy(mJ)
|
FL12190A
|
碳化硅肖特基二极管
|
88
|
10
|
30
|
41
|
200
|
选型表 - 即思创意 立即选型
混合碳化硅分立器件深入图腾柱无桥PFC应用,国产龙头厂牌分享选型及方案设计经验
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率,现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求,为此,基本半导体推出的混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
森国科碳化硅MOSFET K3M075120-J用于焊机技术,大大提升能效转换,降低流程损耗
森国科的碳化硅MOS管K3M075120-J在120A焊机上的应用展现了碳化硅技术在工业焊接领域的巨大优势。通过提高能效、加快响应速度、增强可靠性、减小体积以及扩展使用范围,该技术不仅提升了焊接设备的性能,也为制造业带来了更高的生产效率和更低的运营成本。随着碳化硅技术的不断成熟和普及,我们有理由相信,未来焊接技术将因此实现更大的飞跃。
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论