【产品】结电容典型值仅0.4pF的TVS阵列AR3603P3可同时对3条数据线和1条功率线进行保护
应能微推出的低结电容TVS阵列AR3603P3采用业界领先的单片硅技术制造,具有快速响应时间和低ESD钳位电压的优点,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。采用6管脚无铅DFN1616-6封装,每个设备可以保护高达4条的高速线路。AR3603P3满足 IEC 61000-4-2(ESD)±25kV空气放电和±20kV接触放电标准,具有尺寸小、超低电容、高浪涌保护能力等特点,使其成为保护USB之类接口的理想选择。
AR3603P3内部电路原理图和管脚配置
绝对最大额定值(TA=25℃,除非其他说明)
电气性能(TA=25℃,除非其他说明)
特点
- 低结电容:0.4pF典型值(I/O管脚到I/O管脚)
- 超低漏电流:nA级
- 低工作电压:5V
- 低钳位电压
- 可以同时对3条数据线路和1条功率线路提供保护
- 符合以下标准:
IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度试验:
空气放电:±25kV
接触放电:±20kV
- 符合RoHS
机械数据
- 封装:DFN1616-6
- 外壳材料:“绿色”环保模塑料。
- 湿敏度:根据J-STD-020,3级
应用
- USB 2.0
- USB OTG
Marking信息
订购信息
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应能微TVS&二极管选型表
应能微提供以下技术参数的TVS选型,VRWM:1V~80V,Cj Typ:0.15pF~3700pF,IR Max:0.02μA-600μA,PPP:10W-8000W;二极管选型,VRWM(V):45V,Cj Typ(pF):90pF、25pF。
产品型号
|
品类
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UNI/BI
|
Line Config
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VRWM(V)
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VBR Min(V)
|
Cj Typ(pF)
|
IR Max(μA)
|
PPP(W)
|
Package
|
ASK45V1RD3
|
Schottky Barrier Diode
|
Bi
|
1-Line
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45
|
40
|
90
|
100
|
0.32
|
SOD-323
|
选型表 - 应能微 立即选型
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