【应用】SiC FET UF3SC065007K4S用于大电流电池充电系统,相比JBS二极管大幅降低导通损耗

2020-07-30 世强
SiC FET,UF3SC065007K4S,UnitedSiC SiC FET,UF3SC065007K4S,UnitedSiC SiC FET,UF3SC065007K4S,UnitedSiC SiC FET,UF3SC065007K4S,UnitedSiC

UF3SC065007K4SUnitedSiC公司的SiC FET,具有“共源共栅”的电路结构特点,由常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装得到。该器件采用TO-247-4L封装,在标准栅极驱动条件下能够直接替换Si IGBTs,Si FETs,SiC MOSFETs或Si超结器件,工作电流达到120A,导通阻抗仅为6.7mR,具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性。


在大电流电池充电系统中,常规JBS二极管整流工作损耗较大,热量负担也较大,使用UF3SC065007K4S同步整流能够有效减小工作损耗,减小热量负担,效提高系统效率和可靠性。

图1——电池充电系统电路及VI曲线对比


由上图VI曲线可知,同条件下UF3SC065007K4S比JBS二极管有更低的压降,即导通状态具有更小的损耗。以工作电流100A,占空比50%条件为例,JBS二极管导通损耗接近100W(2V压降@150℃),UF3SC065007K4S导通损耗不到55W(1.1V压降@150℃)。导通损耗相比JBS二极管小45W,减小的损耗相当可观,能够有效减小发热,设计时也能够在不牺牲效率的同时提高频率,缩小相关无源组件的体积,尤其是磁性器件的体积,节省材料的成本。所以,同步整流代替二极管整流具有相当大的优势,是减小工作损耗和提高工作效率中非常好的选择。

图2——UF3SC065007K4S基本参数


技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由西红柿炒番茄提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【应用】采用SiC FET提升图腾柱PFC级能效,实现99.3%以上的效率

图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率,相对于主流半导体开关技术,SiC FET能突破现有的局限性。UnitedSiC使用为750V/18毫欧/TO-247-4L开尔文连接封装的第四代器件构建了图腾柱PFC级演示板,效率达99.37%。

2021-05-28 -  应用方案

【应用】SiC FET UF3SC120009K4S用于电动汽车固态断路器和电池系统,有效降低插入损耗、驱动高压大电流

UnitedSiC的SiC共源共栅器件正越来越多地应用于电动汽车中——使用SiC共源共栅器件的碳化硅(SiC)开关被配置为断路器时,它们可在100纳秒至几微秒内运行,并避免了电弧;传导过程可以被控制来限制浪涌电流或对电容器进行预充电。除此以外,SiC共源共栅器件还可用来切换驱动器和电池系统中的高压和大电流。

2020-01-04 -  应用方案

【应用】SiC FET可替代Si-MOS和IGBT用于快速充电站,显著节省功率并缩减相关无源组件的体积

宽带隙(WBG)半导体为SiC或GaN开关和二极管形式,是许多需要更高能效的应用的解决方案。SiC FET的栅极驱动简单,可兼容宽裕量且其常态化导通电阻低于SiC MOSFET和GaN的现有Si-MOSFET和IGBT。采用TO-247-4L封装的SiC FET在许多实例中可以直接替换IGBT和Si-MOSFET,直接大幅提升电路的效率。

2020-06-25 -  应用方案

【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法

UnitedSiC​的SiC FET能直接替代Si MOSFET,但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡,使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。

2020-11-02 -  设计经验

SiC FET用户指南

型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S

April 2022  - UNITEDSIC  - 用户指南  - UnitedSiC_UG0001

1200V第4代SiC FET具有业界最佳性能,为高压市场提供最佳SiC电源解决方案

型号- UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC

May 2022  - UNITEDSIC  - 商品及供应商介绍

UnitedSiC FET用户指南

型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E

September 2021  - UNITEDSIC  - 用户指南 查看更多版本

SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较

使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是,碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展,直至最新一代产品,并将其性能与替代技术进行了比较。

2022-06-21 -  原厂动态

具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案

UnitedSiC扩充了1200V产品系列,将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧,现以TO247-4L(开尔文连接)封装提供,而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。

2022-06-29 -  原厂动态

【经验】适用于SiC FET的简单RC缓冲电路,可解决电压过冲和振铃等问题

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关,电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题,并带来更高的效率增益。UnitedSiC将在本文中进行详细的分析。

2022-01-27 -  设计经验

【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K3S,最高工作温度175℃

UnitedSiC的SiC FET(碳化硅场效应晶体管)采用了独特的共源共栅(cascode)电路配置,将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起,从而构建出常关型SiC FET器件。UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET。

2020-12-12 -  新产品

UnitedSiC提供1200V第四代SiC FET,具有出色的热能力,可助力找到您的高压功率设计的亮点

UnitedSiC(现名Qorvo)提供了1200V第四代器件,它们具有一系列导通电阻额定值,可满足通常使用800V总线的各种应用的需要。欢迎用新的1200V第四代SiC FET找到您的高压功率设计的亮点。

2022-05-25 -  原厂动态

可直接替换IGBT和Si MOS的第三代SiC FET,提供革命性的功率转换性能

现在已经出现了第三代SiC FET,这是一种Si-MOSFET和SiC JFET的共源共栅布置,处于宽带隙技术的前沿。作为IGBT和Si-MOSFET的直接替代品,SiC FET用于升级电动机驱动、UPS逆变器、焊机、大功率交直流和直流转换器等。

2020-08-29 -  原厂动态

【经验】在高速开关碳化硅场效应管(SiC FET)中接入RC缓冲电路,能有效解决高速开关损耗以及振铃效应

基于半桥结构这一典型应用,本文介绍了在开关速度快的SiC器件的漏极和源极之间接入RC缓冲吸收电路的优势,解决了如何抑制过多的电压冲击和振铃噪声的问题。此外本文还介绍了一种将RC缓冲吸收电路使用在高速碳化硅开关器件的实用方案——UnitedSiC推出的UF3C系列SiC FET,该方案通过了双脉冲测试的结果验证。

2019-12-07 -  设计经验

【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构

UnitedSiC宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源等应用。

2022-05-21 -  新产品
展开更多

现货市场

查看更多

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥682.8308

现货:30

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥399.2573

现货:54

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥459.6205

现货:54

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥46.6295

现货:50

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥35.2391

现货:30

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥82.1058

现货:30

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥243.5885

现货:30

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥59.2064

现货:30

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥81.7499

现货:29

品牌:UnitedSiC

品类:SiC FET

价格:¥189.9587

现货:27

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

电子商城

查看更多

暂无此商品

千家代理品牌,百万SKU现货供应/大批量采购订购/报价

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面