【应用】SiC FET UF3SC065007K4S用于大电流电池充电系统,相比JBS二极管大幅降低导通损耗
UF3SC065007K4S是UnitedSiC公司的SiC FET,具有“共源共栅”的电路结构特点,由常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装得到。该器件采用TO-247-4L封装,在标准栅极驱动条件下能够直接替换Si IGBTs,Si FETs,SiC MOSFETs或Si超结器件,工作电流达到120A,导通阻抗仅为6.7mR,具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性。
在大电流电池充电系统中,常规JBS二极管整流工作损耗较大,热量负担也较大,使用UF3SC065007K4S同步整流能够有效减小工作损耗,减小热量负担,效提高系统效率和可靠性。
图1——电池充电系统电路及VI曲线对比
由上图VI曲线可知,同条件下UF3SC065007K4S比JBS二极管有更低的压降,即导通状态具有更小的损耗。以工作电流100A,占空比50%条件为例,JBS二极管导通损耗接近100W(2V压降@150℃),UF3SC065007K4S导通损耗不到55W(1.1V压降@150℃)。导通损耗相比JBS二极管小45W,减小的损耗相当可观,能够有效减小发热,设计时也能够在不牺牲效率的同时提高频率,缩小相关无源组件的体积,尤其是磁性器件的体积,节省材料的成本。所以,同步整流代替二极管整流具有相当大的优势,是减小工作损耗和提高工作效率中非常好的选择。
图2——UF3SC065007K4S基本参数
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