【产品】20V/238mA/3Ω的N沟道MOSFET GDSSF22A5E

2020-10-22 固锝
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固锝推出的N沟道MOSFET GDSSF22A5E,利用最新的沟槽处理技术实现快速开关速度和较短的反向恢复时间。这些功能相结合的设计,使GDSSF22A5E成为非常高效和可靠的产品,更具竞争力,可用于电源管理,负载开关,电平转换,手机,媒体播放器,数码相机,PDA,视频游戏,手持式计算机等。


主要特点

●低栅极电荷实现快速开关

●尺寸小:1.6 x 1.6 mm

●提供无铅封装

●工作温度:150 ℃

主要参数

●漏源电压:20V

●连续漏电流:238 mA

●功耗:300 mW

●RDS(on)最大值:3Ω(VGS = 4.5V, ID = 10mA时)

z●脉冲漏极电流(tp≤10μs):714 mA

●工作结温和存储温度范围:-55 至 150 ℃

●热阻,结到环境(稳态):416℃/ W

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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