【产品】20V/238mA/3Ω的N沟道MOSFET GDSSF22A5E
固锝推出的N沟道MOSFET GDSSF22A5E，利用最新的沟槽处理技术实现快速开关速度和较短的反向恢复时间。这些功能相结合的设计，使GDSSF22A5E成为非常高效和可靠的产品，更具竞争力，可用于电源管理，负载开关，电平转换，手机，媒体播放器，数码相机，PDA，视频游戏，手持式计算机等。
主要特点
●低栅极电荷实现快速开关
●尺寸小：1.6 x 1.6 mm
●提供无铅封装
●工作温度：150 ℃
主要参数
●漏源电压：20V
●连续漏电流：238 mA
●功耗：300 mW
●RDS(on)最大值：3Ω（VGS = 4.5V, ID = 10mA时）
z●脉冲漏极电流（tp≤10μs）：714 mA
●工作结温和存储温度范围：-55 至 150 ℃
●热阻，结到环境（稳态）：416℃/ W
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