【产品】20V/238mA/3Ω的N沟道MOSFET GDSSF22A5E

时间： 2020-10-22 来源：固锝

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固锝推出的N沟道MOSFET GDSSF22A5E，利用最新的沟槽处理技术实现快速开关速度和较短的反向恢复时间。这些功能相结合的设计，使GDSSF22A5E成为非常高效和可靠的产品，更具竞争力，可用于电源管理，负载开关，电平转换，手机，媒体播放器，数码相机，PDA，视频游戏，手持式计算机等。

主要特点

●低栅极电荷实现快速开关

●尺寸小：1.6 x 1.6 mm

●提供无铅封装

●工作温度：150 ℃

主要参数

●漏源电压：20V

●连续漏电流：238 mA

●功耗：300 mW

●RDS(on)最大值：3Ω（VGS = 4.5V, ID = 10mA时）

z●脉冲漏极电流（tp≤10μs）：714 mA

●工作结温和存储温度范围：-55 至 150 ℃

●热阻，结到环境（稳态）：416℃/ W

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