【产品】20V/238mA/3Ω的N沟道MOSFET GDSSF22A5E
固锝推出的N沟道MOSFET GDSSF22A5E,利用最新的沟槽处理技术实现快速开关速度和较短的反向恢复时间。这些功能相结合的设计,使GDSSF22A5E成为非常高效和可靠的产品,更具竞争力,可用于电源管理,负载开关,电平转换,手机,媒体播放器,数码相机,PDA,视频游戏,手持式计算机等。
主要特点
●低栅极电荷实现快速开关
●尺寸小:1.6 x 1.6 mm
●提供无铅封装
●工作温度:150 ℃
主要参数
●漏源电压:20V
●连续漏电流:238 mA
●功耗:300 mW
●RDS(on)最大值:3Ω(VGS = 4.5V, ID = 10mA时)
z●脉冲漏极电流(tp≤10μs):714 mA
●工作结温和存储温度范围:-55 至 150 ℃
●热阻,结到环境(稳态):416℃/ W
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