【产品】-20V/-55A P沟道增强型场效应晶体管YJQ55P02A，封装为DFN3.3×3.3
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJQ55P02A，采用DFN3.3×3.3的封装设计，漏源电压为-20V，漏极电流为-55A（TA=25℃时）总耗散功率38W（Tc=25℃时），其产品图如图1。
图1 产品图和内部电路图
产品概述：
● VDS=-20V
● ID= -55A
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ＜8.3 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ＜10 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) ＜15 mohm
● 100% UIS 测试
● 100% ▽VDS 测试
产品特点：
•沟槽栅低压功率MOSFET技术
•低RDS（ON）的高密度单元设计
•出色的散热封装
产品应用：
•大电流负载应用
•负载开关
•硬开关和高频电路
•不间断电源
表1 最大额定值
表2 电气特性
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品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
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