【产品】-20V/-55A P沟道增强型场效应晶体管YJQ55P02A，封装为DFN3.3×3.3
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJQ55P02A，采用DFN3.3×3.3的封装设计，漏源电压为-20V，漏极电流为-55A（TA=25℃时）总耗散功率38W（Tc=25℃时），其产品图如图1。
图1 产品图和内部电路图
产品概述：
● VDS=-20V
● ID= -55A
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ＜8.3 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ＜10 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) ＜15 mohm
● 100% UIS 测试
● 100% ▽VDS 测试
产品特点：
•沟槽栅低压功率MOSFET技术
•低RDS（ON）的高密度单元设计
•出色的散热封装
产品应用：
•大电流负载应用
•负载开关
•硬开关和高频电路
•不间断电源
表1 最大额定值
表2 电气特性
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
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品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
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