罗姆与赛米控就第4代SiC MOSFET展开新合作,碳化硅技术助力开发车载eMPack®功率模块
赛米控和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)在开发碳化硅(SiC)功率模块方面已经开展了十多年的合作。此次,罗姆的第4代SiC MOSFET正式被用于赛米控的车规级功率模块“eMPack®”,开启了双方合作的新征程。
此外,赛米控宣布已与德国一家大型汽车制造商签署了10亿欧元的合作合同,从2025年起将为这家客户供应这种创新型功率模块“eMPack®”,未来,罗姆与赛米控将会继续携手为全球客户提供高品质服务。
合作仪式剪影
赛米控CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生(左)
罗姆德国公司社长 Wolfram Harnack(中)
赛米控CSO Peter Sontheimer先生(右)
eMPack®功率模块旨在充分发挥新型半导体材料的特性、并专为中高功率的碳化硅逆变器而设计。利用赛米控的双面烧结技术和“芯片直接压接技术(DPD)”,可以使汽车逆变器的设计实现尺寸紧凑、高可靠性、并可扩展。另外,赛米控还为搭载了罗姆栅极驱动器IC的eMPack®提供评估板,这将有助于客户在评估和设计方面节省时间。此外,赛米控还计划在工业级功率模块中采用罗姆的IGBT产品。
赛米控eMPack®功率模块
搭载了罗姆栅极驱动器IC的eMPack®用评估板
赛米控CEO(兼CTO)表示:“借助罗姆的碳化硅技术,赛米控的eMPack®创新型功率模块将会在电动出行领域为减排做出重大贡献。我们将继续利用罗姆的碳化硅功率元器件为汽车和工业设备应用提供更高效率、更高性能和更高可靠性的产品。”
罗姆株式会社董事长表示:“很高兴罗姆获选赛米控车载eMPack®的碳化硅功率元器件。通过新的合作,将为电动汽车的主机逆变器提供非常有竞争力的解决方案。罗姆拥有从裸芯片到封装产品的丰富碳化硅产品阵容。长期以来,作为先进的半导体制造商,罗姆积累了丰厚的技术实力,随着市场对碳化硅功率元器件的需求不断增长,未来,罗姆将以这些技术积累为基础,进一步加快投资和产品开 发速度,并提供更多解决方案和客户支持。”
作为全球第一家开始量产SiC MOSFET的企业,罗姆在碳化硅产品技术开发方面一直是行业佼佼者。这次赛米控采用的第4代SiC MOSFET新产品,不仅短路耐受时间比以往产品更长,还实现了业界超低导通电阻,将其安装在车载主机逆变器中,将非常有助于电动汽车延长续航里程和减小电池的尺寸。
罗姆通过开发可以减轻环境负荷的先进碳化硅产品的同时,利用垂直统合型生产体系,为客户稳定供应高品质的节能产品。为满足不断增长的需求,集团旗下公司比如生产碳化硅晶圆的SiCrystal(总部位于德国纽伦堡)等也正在计划大幅提高产能。
今后,通过将罗姆的碳化硅产品和控制技术与赛米控的模块技术完美结合,双方将提供满足市场需求的出色电源解决方案,从而持续为汽车技术创新做出贡献。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由carat转载自ROHM,原文标题为:赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作,罗姆的碳化硅技术助力赛米控用于下一代电动汽车的 eMPack®功率模块,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
楼氏洞察 | 探索电动汽车技术发展的最新趋势(上):转向宽带隙半导体
本文将着眼于目前正在密切关注的影响电动汽车开发的三个关键趋势:包括半导体的发展变化、作为控制成本的车载系统集成以及电动汽车充电生态系统的演变。本文介绍转向宽带隙半导体趋势。
走进长安,2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会圆满落幕,扬杰科技展示在汽车电子领域的最新成果
7月26日,为期两天的“2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会”在长安全球研发中心圆满落幕。作为行业领军企业,扬杰科技凭借其在半导体领域的深厚积累和汽车电子领域的持续创新,受邀参与本次大会。
罗姆即将亮相2024慕尼黑电子展,并展示其在“电动交通”、“汽车”和“工业”主题下的最新解决方案
罗姆即将亮相2024慕尼黑电子展,展示其先进的功率和模拟技术,旨在提高汽车和工业应用中的功率密度、效率和可靠性。这些先进技术对于满足现代电子系统日益增长的需求至关重要,特别是在可持续性和创新的背景下。
【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)助力电动汽车功率转换器设计
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术,提供IPM这种已整合的解决方案。
【IC】ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT
ROHM面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT。此次发售的产品包括4款分立封装的产品(TO-247-4L和TO-247N各2款)和11款裸芯片产品“SG84xxWN”,预计未来将会进一步扩大产品阵容。
【应用】汽车级单管IGBT用于电动汽车空调PTC加热器项目,可有效降低能耗
电动汽车的空调PTC加热器进行加热的原理是:电流流过PTC元件使之产生热量,低温时会流过大电流,产生大量热量,随着发热量的增加,电阻值增大,电流受限,从而抑制发热量。利用这些特性,可加热空气和水,并使之循环,从而成为制热用的热源。这里主要会用到IGBT作为主要开关器件,IGBT常处于导通状态,故需求的导通压降要低。本文推荐罗姆的RGS00TS65D作为300V电动汽车空调PTC加热器的开关器件。
【产品】高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC BD2270HFV、BD2270HFV-LB,工作电流典型值为50μA
罗姆(ROHM)株式会社推出了两款高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC——BD2270HFV和BD2270HFV-LB。它们具有用于栅极驱动的内置电荷泵电路和用于输出电荷的内置放电电路,可在不使用任何外部元件的情况下配置用于N沟道MOSFET驱动的高侧负载开关,减少外部元件数量,且采用节省空间的HVSOF5封装。工作电流典型值为50μA,待机电流典型值为5μA,可以满足各类应用的低功耗需求。
电动汽车动力“心脏“IGBT全面解析:构成本质、原理、工作范围、关键特性、应用指南
本文将详细探讨IGBT的工作原理、结构特点、适用范围,以及与其他功率器件(如MOSFET和双极晶体管)的比较,并通过实际应用产品的分析,揭示IGBT在不同领域中的独特优势。
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上,有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
【IC】ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT,助力汽车和工业设备应用效率提升
ROHM面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT。
ROHM(罗姆)IGBT选型指南(英文)
目录- Field Stop Trench IGBT Ignition IGBT
型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW00TS65DHR,RGW40TS65,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGT8NS65D,RGW80TS65DHR,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGT50TM65D,RGW80TK65,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGS50TSX2D,RGT50NS65D,RGC80TSX8R,RGW00TK65D,RGW60TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS00TS65DHR,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGS60TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGSX5TS65E,RGW80TS65HR,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGT20NL65,RGTH00TS65D,RGWX5TS65DHR,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGS50TSX2HR,RGT20NS65D,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGT00TS65D,RGTH40TS65D,RGS80TSX2D,RGSX5TS65EHR,RGTH40TK65D,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGCL60TS60D,RGW40TS65D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGTH50TK65D,RGTH60TS65,RGW60TS65,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65
ROHM IGBT产品
描述- ROHM公司提供全面的功率器件产品线,包括硅基和碳化硅(SiC)器件。产品涵盖功率器件、模块、IC和智能功率模块。主要产品包括SiC二极管、MOSFET、IGBT、混合MOS、超结MOSFET、FRD、肖特基二极管、分流电阻IC、栅极驱动器和温度/高压监控器。资料中详细介绍了ROHM的IGBT产品路线图、封装路线图、产能计划和产品推荐。
型号- RGTVX2TR65,RGTVX2TS65,RGTV00TR65D,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGTVX2TR65D,RGTV00TR65,RGTV00TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGTV60TK65,RGTV60TS65D,RGTH,RGC SERIES,RGTV,RGS SERIES,RGTVX6TR65,RGP SERIES,RGTVX6TS65,RGT SERIES,RGTVX6TS65D,RGTVX2TS65D,RGTH60TS65D,RGTV80TK65,RGTV80TS65D,RGWS,RGTV00TK65D,RGCL,RGTVX6TR65D,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGTV80TK65D
【应用】1200V耐压的汽车级IGBT单管RGS系列在电动汽车空调压缩机中的应用
随着电动汽车市场占有率的不断增加,空调压缩机的市场规模在持续扩大,同时对压缩机的性能和功耗也提出了更高的要求。本文推荐采用ROHM的满足汽车电子可靠性标准AEC-Q101的IGBT单管RGS系列,实现了业界领先的低导通损耗,有助于空调压缩机驱动器的高效设计。
【应用】IGBT功率模块10-FY074PA100SM-L583F08助力充电桩实现电动汽车快速安全充电
Vincotech推出的650V、100A全桥IGBT功率模块组合10-FY074PA100SM-L583F08采用英飞凌H5晶元,系统效率可达99.2%,让充电桩轻松做到30kW!
1200V反向额定电压的SiC MOSFET DIW120SIC023-AQ,助力电动汽车实现快速、有效充电
DIOTEC的SiC MOSFET DIW120SIC023-AQ在电动汽车停放机器人的充电电路中采用了先进的技术。它提供1200V的反向额定电压,极低的导通电阻仅为23mΩ,以及超高的开关速度。这将最大限度地减少电能转换和传输过程中的功率损耗,从而实现更快速、更有效的充电。所有这些都使得充电过程更高效,减少了充电时间并提高了整体系统性能。
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论