瞻芯电子碳化硅二极管批量助力麦格米特充电模块制造

力特碳化硅和氮化镓功率器件和模块助力电动汽车充电站应用设计，助力电动汽车发展

在未来几年，我们将看到混合动力汽车和电动汽车以惊人的速度增长。这种转变的速度取决于许多因素，目前存在两个最大的限制，一个是缺乏车辆充电的基础设施，另外一个是充电需要消耗一定的时间。所以搭建一个直流快速充电站的网络是非常重要的。Littelfuse的碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基(Schottky)二极管，为电动汽车充电应用而设计，可以提供低功率开关损耗。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。

瞻芯电子推出采用SOT-227封装的SiC模块产品，助力高效、大功率工业应用

近日，瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点，同时，SOT-227为内绝缘封装，安装简便，也更安全。

蓉矽半导体邀您共聚SEMI-e 2024第六届深圳国际半导体展

蓉矽半导体拥有高性价比的NovuSiC®(工业级)和高可靠性的DuraSiC®(车规级)碳化硅MOSFET、碳化硅二极管(EJBSTM)以及碳化硅模块(NovuPower®)产品。产品广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。

森国科碳化硅二极管，高效率且降低运营成本，为充电桩运营商提供更具竞争力的充电服务

随着电动汽车市场的蓬勃发展，对于快速、高效的充电设备需求日益增长。在这一背景下，SiC模块因其卓越的性能，正逐渐成为超级充电桩的核心器件，有望取代传统的硅基器件。这一变革预计将推动充电技术的重大进步，为电动车的普及和能源结构的优化提供强有力的支撑。

森国科1200V碳化硅二极管用于15kW充电桩模块中，具有高耐压、高耐温、开关速度快、低损耗等优势

随着新能源汽车的普及，充电桩、充电站的快速充电服务成为市场刚需，没有任何一个车主愿意耗费2个小时用来充满电，因而安全的高功率快充成为市场发展的新风向。不管是在住宅区充电、商超内充电还是在专业的公共充电站充电，都要能够满足车辆长时间行车的消耗需求，15kW充电桩模块在市场上具有较高的效率和可靠性，它们也成为了一些充电桩生产和运营企业的首选。

【选型】国产SIC肖特基功率二极管G3S12003C替换C4D02120E用于充电桩电源模块中，耗散功率大高达77W

本文推荐国产泰科天润SIC肖特基功率二极管G3S12003C替换CREE的C4D02120E用于充电模块输出高频整流电路，碳化硅二极管基本无开关损耗、效率高，对散热器要求降低、并联器件不会导致热失控的优点，被广泛应用于电源功率因数校正(PFC)。

【元件】瞻芯电子新推1200V/30A碳化硅肖特基二极管IV3D12030T2，其开关特性不受温度影响

瞻芯电子新推出的碳化硅肖特基二极管IV3D12030T2，其反向重复峰值电压VRRM为1200V，最大结温为175℃，总存储电荷QC为19nC，具有高浪涌电流容量，极快反向恢复，开关特性不受温度影响等特点，可减少电路能量损耗。

森国科SiC功率器件KS20120-C/C2凭借低开关损耗、快速开关速度为充电桩模块提供解决方案

森国科碳化硅二极管KS20120-C、KS40120-C2具有较高的工作温度能力和较低的开关损耗，可以用于实现高频率的开关充电电流，提高充电效率和功率密度。在充电桩模块上，碳化硅二极管常用于直流充电桩的充电模块中，用于整流和保护电路。

【产品】1200V/20A的碳化硅肖特基二极管 IV1D12020T2，TO247-2封装

上海瞻芯电子的碳化硅肖特基二极管IV1D12020T2，TO247-2封装，反向重复峰值电压为1200V，正向持续直流电流为20A（@Tc=151℃），具有零反向恢复电流，零正向恢复电压，开关特性不受温度影响等特点，最大结温为175°C，可应用于太阳能升压器，逆变器续流反并联二极管，维也纳三相PFC整流变换器，EV 充电桩，开关电源等领域。