【产品】采用TO-252封装的P沟道MOSFET DE180PG，漏源电压为-60V
杜因特DE180PG是一款采用先进的沟槽技术和设计的P沟道MOSFET，具有低栅极电荷和极低的漏源导通电阻。其漏源电压为-60V，持续漏极电流为-7A（Tc=25℃）。当VGS=-10V，ID=-3A时，漏源导通电阻最大值为180mΩ。在热性能方面，结到壳的热阻最大值为8℃/W，结到环境的热阻最大值为62℃/W。DE180PG采用TO-252封装形式，可用于多种应用中。
DE180PG的特性：
1）VDS=-60V，ID=-7A，RDS(ON)<180mΩ@VGS=-10V
2）低栅极电荷
3）绿色环保器件
4）采用高单元密度沟槽技术，具有出色的RDS(ON)特性
5）采用出色的封装形式，具有良好的散热性能
DE180PG的绝对最大额定值参数（Tc=25℃，除非特别说明）：
重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制
VDD=-25V，VGS=-10V，L=1mH，IAS=-8A，RG=25Ω，从TJ=25℃开始
DE180PG的订购信息：
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杜因特MOS选型表
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产品型号
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品类
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VDSS(V)(MIN)
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ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
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Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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|
DB010NG
|
MOSFET
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20V
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30A
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12V
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990pF
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8MΩ
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10MΩ
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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