【产品】低正向压降表面安装硅肖特基二极管，具有三重隔离
CMKSH-3T系列是CENTRAL半导体公司推出三重隔离的表面安装硅肖特基二极管，具有低正向压降、低反向漏电流、低功耗和反向恢复时间短等特点。该器件采用SOT-363封装，专为需要低正向压降的开关应用而设计。
CMKSH-3T系列硅肖特基二极管具有较低的正向压降，当IF=2.0mA时，正向压降的典型值只有0.29V，当IF=15mA时，正向压降的典型值也只有0.37V，正向导通时的损耗非常低。当VR=25V时，CMKSH-3T系列反向漏电流只有90nA，低反向漏电流值可以有效阻止器件随着温度升高而产生热失控的问题，对器件的运作具有一定程度的保护。且CMKSH-3T系列二极管的反向恢复时间最在5.0ns之内，恢复时间极短，有助于提高器件运转效率。（以上数据均在TA=25℃情况下测得）
CMKSH-3T系列硅肖特基二极管的反向重复峰值电压VRRM为30V，额定正向工作电流IF为100mA，正向浪涌电流IFSM（tp=10ms）为750mA，工作和存储结温在-65℃~+150℃范围内，热阻为357℃/W，功耗仅为350mW，即满足工业元件对温度的要求，又可满足低功耗的设计要求，本器件在各方面性能要求都具有很强的竞争力。
图1. CMKSH-3T系列产品图
图2. CMKSH-3T系列电气数据
图3. CMKSH-3T系列外形尺寸
CMKSH-3T系列三重隔离肖特基二极管的产品特性：
• 三重隔离，采用SOT-363封装
• 低正向压降（典型值VF=0.29V@IF=2.0mA）
• 低反向漏电流（典型值IR=90nA@VR=25V）
• 反向恢复时间短（最大值trr=5.0ns）
• 低功耗（PD=350mW）
CMKSH-3T系列表面安装硅肖特基二极管的应用领域：
• 低正向压降的开关应用
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Jeffrey Lv7. 资深专家 2018-10-24学习了！ -
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旭日东升 Lv5. 技术专家 2018-10-19好东西 -
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Techm Lv8. 研究员 2018-09-06保存 -
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LouBing Lv7. 资深专家 2018-08-05三重隔离，很棒的说
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