【应用】N沟道增强型MOSFET HM2N25MR用于LED球泡灯驱动，漏源耐压高达250V
传统的白炽灯主要通过在钨丝两端通电，这样会有较大的电流流过钨丝，从而把钨丝加热到白炽状态，实现照明的功能，但是其缺点也比较明显，比如发热温度高，效率低，不环保，光照不稳定。LED球泡灯则更加节能环保，寿命更长，也更加健康，会让人眼睛更舒适，LED球泡灯优势明显，正在逐步替代白炽灯。当然，要想实现LED球泡灯的这些优势，核心在于其驱动电路的设计，MOSFET作为驱动电路的核心器件之一，选型也十分重要。
LED球泡灯需要工作在直流电压下，因此需要驱动电路对市电进行电压转换，这就要求MOSFET耐压要高。为了降低LED球泡灯的工作温度，需要MOSFET具有低导通电阻，以便降低发热的同时又能提高驱动电流能力。LED球泡灯一般尺寸较小，以便于安装，降低空间占用，因此MOSFET封装尺寸要小型化。
笔者较为推荐采用虹美功率半导体推出的N沟道增强型MOSFET HM2N25MR作为LED球泡灯驱动电路开关器件。HM2N25MR漏源击穿电压高达250V，对于110V供电的市电网络，其正弦峰值电压一般为有效值的√2倍，也就是156V左右，考虑到降额设计，HM2N25MR 250V漏源击穿电压可以较好的满足耐压要求，避免了MOSFET过压击穿，提高了LED球泡灯的可靠性。
如果LED球泡灯温度过高的话会影响其工作寿命，以及照明的稳定性。因此如何降低作为主要热源之一的MOSFET工作时的发热就十分关键。MOSFET发热主要是由于其工作时的损耗导致的，MOSFET漏源导通电阻越低，损耗就越低，发热就越小，环境温度25℃，VGS=10V, ID=2A，HM2N25MR的漏源导通电阻典型值仅为1300mΩ，对应的功耗为5.2W，散热设计较好时，温升能控制在30℃左右，性能优异。
HM2N25MR采用了SOT23-3的标准小尺寸封装，在保证大电流输出能力的同时，又能减小占用电路板空间，不仅可以降低方案的整体成本，同时又能较好的满足LED球泡灯小尺寸，安装便捷的需求。
虹美功率半导体推出的N沟道增强型MOSFET HM2N25MR具有较高的漏源击穿电压，较低的漏源导通电阻，以及标准小尺寸封装，可以较好的满足球泡灯工作电压的需求，提高球泡灯的可靠性，稳定性，延长球泡灯的工作寿命，并有助于实现球泡灯的小型化以及安装便捷的需求。
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虹美功率半导体MOS选型表
虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS，BMS&电动车&平衡车SGT MOS，USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS，储能 SGT MOS，串联半桥驱动MOS，带FRD高压平面MOS，低压SGT MOS，主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。
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产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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HMS120N03D
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中压大电流SGT MOS
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SGT工艺(Split Gate)
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N沟道
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DFN5X6-8L
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30V
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120A
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340A
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1.7V
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20V
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1.95mΩ
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2.85mΩ
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选型表 - 虹美功率半导体 立即选型
HM4616Q N和P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了HM4616Q型MOSFET的特性，包括其N沟道和P沟道的电气参数、封装类型、工作温度范围以及应用领域。资料详细描述了产品的性能特征，如低导通电阻、低栅极电荷、高工作温度范围和100% UIS测试等。
型号- HM4616Q
HM4622Q N和P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了HM4622Q元器件，一款采用先进沟槽技术的N沟道和P沟道增强型MOSFET。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于直流风扇和H桥应用，具有150°C的运行温度和Pb-free无铅镀层。
型号- HM4622Q
HM3422 N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了HM3422型N沟道增强型功率MOSFET的特性。它采用先进的槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和最低2.5V的栅极电压下的操作能力。适用于电池保护和开关应用。
型号- HM3422
HM4611 N和P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了一种增强型模式功率MOSFET（+0），采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。资料涵盖了N通道和P通道两种类型的电学特性、热特性、开关特性和二极管特性。
型号- HM4611
HM4622A N和P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了HM4622A N和P-Channel增强型功率MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于负载开关和PWM应用。资料中包含了产品的电气特性、热特性、开关特性、封装信息以及典型应用电路。
型号- HM4622A
HM180N02 N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了HM180N02型号的N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。产品具有高密度单元格设计、全特性雪崩电压和电流、良好的稳定性和均匀性、优秀的散热性能和高ESD能力。
型号- HM180N02
HM30DN02D N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了HM30DN02D型号的增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
型号- HM30DN02D
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型号- HM3N20PR
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型号- HM4410B
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可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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