【应用】ATP动态随机存取存储器DRAM在物联网应用中的重要作用
动态随机存取存储器（DRAM）主要用作个人计算机和消费电子产品中的主存储器，为处理器提供工作内存。DRAM中的“随机”表示中央处理单元可以直接访问存储器的任何部分，而不必以特定的顺序进行访问。
其通常被简称为“内存”，RAM允许在处理器不必访问较慢的辅助存储器的情况下处理数据，例如固态驱动器（SSD）或硬盘驱动器（HDD）。主内存比辅助内存快，因此了解所需的内存量对于系统提供所需的性能至关重要。
近年来，DRAM已经越来越广泛的应用在个人电脑和消费电子领域。高容量和低延迟是DRAM在工业应用中广泛应用的驱动因素之一，如智能工厂、医疗保健、军事、汽车、网络系统和数据中心。
DRAM作为数据处理中的关键组件
DRAM是数据处理的重要组成部分。处理器直接访问它，从而允许处理器同时访问多个应用程序和服务。DRAM比闪存更快，但容易丢失数据。这里的意思是，断电时会丢失数据。因此，DRAM中的数据应刷新到非易失性辅助存储器，例如固态驱动器（SSD），硬盘驱动器（HDD）或可移动介质，例如存储卡，U盘或光盘。
图1.处理器内存子系统中数据流的简化图。
随着物联网（IoT）和工业物联网（IIoT）中连接设备的数据不断增长，处理器的功能越来越强大，DRAM解决方案应该能够满足不断增长的数据处理需求。
例如，英特尔®Xeon®可扩展平台（Purley）最多可支持八个第六代英特尔®酷睿™处理器（Skylake），每个处理器具有高达28个内核的计算能力，支持六个DDR4内存通道。每个内存通道最多可支持两个DIMM（每个处理器总共12个DIMM），在完全配置的系统中最多可支持96个DDR4 DIMM。
下图显示了Purley内存架构，该架构显示了每个处理器最多支持12个DIMM。
图2.两路配置示例。
英特尔®Xeon®可扩展平台中的每个CPU最多可以支持六个DDR4内存通道。每个内存通道最多支持两个DIMM，每个CPU总共支持12个DIMM。
DRAM是推动IoT / IIoT进步的技术
IoT / IIoT实际上可以将万物连接起来，从而产生了互联汽车，智能工厂，智能家居和建筑，智能城市，智能农场等。这种巨大趋势的核心是不断生成数据，即需要在本地，边缘或传输到云端进行收集，处理，聚合和存储数据。
大数据流突显了对具有更高容量，更快的性能和更长的耐用性的内存的需求将日益增长。仅在汽车应用中，高级驾驶员辅助系统（ADAS）的传感器就需要功能强大的处理器，进而需要更大的存储容量和更大的带宽。同样，用于智能工厂，视频监控和航空航天应用中的机器视觉系统的高分辨率成像也需要快速，可靠且经济高效的高密度内存。无论是在本地，边缘还是在云端处理数据，DRAM显然都是IIoT / IoT的重要组成部分。
工业DRAM和IoT / IIoT挑战
l 更高的密度，更快的性能以处理密集型工作存储产生的负载
在IoT中，必须处理大量数据。一些处理将发生在需要实时分析和快速响应的边缘区域。有些将在云端发生，在云端存储或存储大数据并进行分析以供将来决策。
ATP Electronics的DRAM解决方案具有内置的企业级密度，这大大提高了不断增长的嵌入式和云计算环境的能力。最新的DDR4-2666模块将接口速度从2400 / MT提高到2666 MT / s，理论峰值性能提高了15％。
l 恶劣环境中的稳健运行
IoT / IIoT正在改变业务开展方式。通过将人与机器互连，可以改善流程并提高生产率。通常，IoT / IIoT设备安装在温度可变且工况非常恶劣的环境中，这些危害可能会损害物理设备及其中的数据。
ATP充分意识到了这些挑战，因此设计并构建了其所有DRAM解决方案，以在任何环境中提供可靠，强大的性能。且可根据实际项目提供具有以下特点的产品：
1、工业温度：根据客户的需求，DRAM模块的iTemp工作温度范围为-40°C至85°C，集成电路经过精心筛选，以获得适合需要iTemp应用的可靠性和质量特性。在模块级，老化测试（TDBI）和自动测试设备（ATE）保证模块满足甚至超出精确的参数。
2、保形涂料：电子电路和模块涂有聚对二甲苯，以保护组件和故障点免受灰尘，化学物质，极端温度，潮湿和腐蚀的影响。
3、较厚的金手指镀层厚度：与竞争对手的DRAM模块厚度通常小于10µ”相比，ATP DRAM模块采用了30µ”的较厚的金手指镀层厚度。
4、防硫电阻器：ATP DRAM模块使用抗硫电阻器来消除硫污染的破坏性影响，硫污染会腐蚀并导致普通的银电阻器变得不导电。
关键任务应用程序的数据完整性
在物联网时代，数据非常宝贵。为了确保临时存储在DRAM中的数据的完整性，在任务和业务关键型应用程序中使用具有错误校正码（ECC）的双列直插式内存模块（DIMM）。精选的ATP DRAM模块还具有高级ECC（ChipKill™）技术，可检测和纠正标准ECC可能无法纠正的多位错误。
能源和空间效率
许多IoT / IIoT设备的设计都占用很小的空间，以适应紧凑的空间。通常，它们总是开着的，因此需要低功率运行。ATP DRAM模块提供低电压选项DDR4系列额定电压仅1.2V，而DDR3模块具有1.5V（正常）和1.35V（低电压）选项，以降低运行温度并降低能源成本。不同的外形尺寸提供了广泛的选择范围，适用于不同的使用情况，例如超薄和超薄DIMM。下图显示了标准高度和超薄（VLP）DDR4 ECC RDIMM。
图3. VLP选项中提供了一些ATP DRAM模块，例如带ECC的DDR4寄存器DIMM（RDIMM）。
随着传感器、设备以前所未有的速度创建数据，IoT /IIoT带来的创新产品和应用的热潮也带来了内存需求的增长。用于电信基础设施，网络存储系统，网络附加存储（NAS）服务器，微型/云服务器和嵌入式系统的高性能计算（HPC）应用程序将需要具有高密度，低功耗，出色的可扩展性和高效率高性能的加速处理和内存解决方案。
ATP DRAM产品能够满足IoT / IIoT时代不断增长的内存要求。这些模块按照严格的行业标准进行设计，测试，验证和构建，旨在长期可靠运行，提供可信赖的性能，从而拥有高投资回报率和较低的使用成本。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由Jackie S翻译自ATP ELECTRONICS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【经验】什么是常见内存错误类型？ECC DIMM如何工作？
损坏的主内存可能会因性能下降或硬件崩溃而中断业务运营，从而导致代价高昂的停机时间。动态随机存取存储器（DRAM）模块通常具有解决存储器错误的内置机制。这篇文章回答了有关计算机内存错误的最常见问题，以帮助您确保关键任务系统中安装的DRAM的高实用性和最大的可靠性。ATP 可提供软错误可纠错的DRAM产品。
DuraFlash™闪存存储产品
描述- SMART Modular Technologies提供广泛的内存和存储解决方案，包括DRAM和Flash存储产品。公司专注于为计算、网络、通信、存储、移动、军事、航空航天和工业市场提供标准、加固和定制内存和存储解决方案。SMART Modular的产品线包括固态存储产品、混合解决方案和多种形式的存储技术，旨在满足各种应用的需求，包括数据中心、网络、工业物联网、交通、POS/游戏、人工智能/高性能计算和军事/航空航天等领域。公司通过严格的品质控制和严格的过程，确保其产品的可靠性和性能。
型号- R800,N200,RU350,SP2800,S5E,RU150,T5E,M4,RD530M,RP1700,BGAE340,S1800,RD130M,ME2,M1HC,BGAE540,HU250E,M4P,T5PFLC,T5EN,RU150E,T5PF,H9,RD230M,XL,MDC7000,XL+,RD230
ATP（华腾国际）DRAM存储模块和NAND闪存产品选型指南（英文）
目录- Company Profile Segment Challenges and Solutions Thermal Solutions Endurance Solutions Security Solutions CFexpress & USB 3.0 Value Line SSDs DDR5 DRAM SOLUTIONS FLASH SOLUTIONS Flash Products Naming Rule Solutions & Technologies Flash Technology Overview table Complete Flash Spec Overview & Product Dimensions
型号- A750PI,E650SC SERIES,S600SC,B800PI,S750 SERIES,S600SI,S600SCA,E750PC SERIES,B600SC,N700PC,S700SC,E650SC,A750 SERIES,E600VC,S800PI,A750PI SERIES,I800PI,A600VC,A650SI,A650SC,N700 SERIES,S650SI,N750,N750PI,A800PI,A700PI,N700SI,N650 SERIES,E600SAA,N700SC,A750,N600SC,A600VC SERIES,E600SA,E650SI,E650SI SERIES,N750 SERIES,E700PIA,TR-03153,N600SI,S650,S650SC,E700PAA,N650SIA,E600SI,B600SC SERIES,S750SC,S600SIA,I700SC,N650SI,N600VI,E600SIA,E750PI,N650SC,N750PI SERIES,N600VC,I600SC,E750PC,S700PI,A650 SERIES,N650,N600 SERIES,N600VC SERIES,S650 SERIES,A650,AES-256,E700PI,A600SI,E750PI SERIES,N700PI,E700PA,S750,S750PI,E700PC,A600SC
【经验】DRAM的可靠性受什么因素影响？ATP DRAM为何具备高可靠性？
ATP的DRAM模块经过两个级别的测试，以确保最大的可靠性：1、先进的IC级集成电路测试；2、增强的模块水平测试：老化测试（TDBI）和自动测试设备（ATE）确保模块达到甚至超过合格参数。同时具有工业额定温度，采用密封涂层，使用使用抗硫电阻器（基于项目）和厚度为30µm的金手指镀层。
适用于IIoT应用的智能DRAM存储器可靠、值得信赖、久经考验
描述- 本文介绍了适用于工业物联网（IIoT）应用的SMART DRAM内存解决方案。文章强调了IIoT应用对内存的需求，包括数据增长、本地化数据处理、高可靠性和长生命周期服务。SMART DuraMemory内存因其高可靠性、广泛的内存产品组合和针对环境威胁的多种解决方案而被推荐。文章还概述了SMART Modular Technologies提供的不同类型的DRAM模块，包括速度、密度和模块类型。
ATP（华腾国际）DRAM存储模块和NAND闪存产品选型指南（中文）
目录- 公司简介 细分市场挑战和解决方案 热管理解决方案 TSE闪存解决方案 DRAM解决方案 闪存解决方案 闪存解决方案-固态驱动器和模块 闪存解决方案-存储卡 闪存解决方案-托管NAND 闪存产品命名规则 闪存规范概述和产品尺寸
型号- A750PI,S600SC,N750PI系列,B800PI,S750 SERIES,S600SI,S600SCA,B600SC,N700PC,S700SC,N600,E650SC,E750,E750PC系列,E600VC,S800PI,I800PI,E750 SERIES,A600VC,A650SI,N600系列,A650SC,N700 SERIES,S650SI,N750,N750PI,A800PI,A700PI,N700SI,E600SAA,N700SC,A750,N600SC,A600VC SERIES,E600SA,E650SI,E700PIA,N600SI,S650,S650SC,E700PAA,N600VC系列,N650系列,N650SIA,N750系列,E600SI,S750系列,E650,N700,S750SC,S600SIA,I700SC,N650SI,N600VI,E650SI系列,E600SIA,E650SC系列,E750PI,N650SC,S650系列,N600VC,I600SC,E750PC,A600VC系列,A650系列,S700PI,N700系列,N650,N600 SERIES,N600VC SERIES,A750PI系列,S650 SERIES,A650,E700PI,E750PI系列,A600SI,N700PI,A750系列,E700PA,E650 SERIES,S750,S750PI,E700PC,A600SC
Zetta存储器-EEPROM/NOR/NAND/DRAM
描述- 澜智集成电路（苏州）有限公司（Zetta）提供多种存储解决方案，包括SPI NOR Flash、SD-Nand和eMMC、I2C EEPROM以及DDR3L。其产品具备高性能、低功耗、高可靠性等特点，适用于工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动、网络和通信等多个领域。产品线涵盖不同电压、容量和封装类型，以满足不同应用需求。
型号- ZD24C512,ZD24C1M,ZDSD02G,ZDV4256M16A‐13DPH,ZDSD04G,ZD24C256,ZDV4256M16A‐11DPH,ZDSD64G,ZDSD32G,ZDSD256G,ZD24C64,ZD24C02,ZDEMDCM032G-84A8,ZDSD16G,ZD24C08,ZD25Q16C,ZDV4256M16A‐11IPH,ZDSD08G,ZDEMDCM016G-84A8,ZDV4256M16A‐13IPH,ZDV4128M16A‐13DPH,NB25Q40A,ZD25WQ80C,ZDV4128M16A‐13IPH,ZDV4128M16A‐11IPH,ZDV4128M16A‐11DPH,ZD24C128,ZDSD01G,ZD25WQ16C,ZD24C2M,ZDSD128G,ZD25Q128C,ZDV4256M16A‐14DPH,ZD24C32,ZD25WQ32C,ZD24C16,ZDV4256M16A‐14IPH,ZDEMDIW008G-84A8,ZD25Q80C,ZD25Q32C,ZD25Q64B,ZDV4128M16A‐14IPH,ZDEMMC04G,ZDEMDIW016G-95A8,ZDEMMC08G,ZD25WD20C,ZDEMDCM064G-95A8,ZDV4128M16A‐14DPH
Momentum DRAM系列：DDR4专业存储和内存解决方案的全球领导者
描述- 该资料介绍了ATP电子公司的Momentum DDR4内存模块系列。这些模块提供8GB至32GB的密度，最大带宽为3200MT/s（DDR4），采用1.2V电压标准，具有低功耗和高数据传输速率的特点。它们符合JEDEC标准，并利用高级DRAM芯片提供高可靠性和兼容性。适用于网络存储系统、嵌入式系统、边缘人工智能、工业个人电脑和零售与数字标牌等领域。
型号- R48G00SD328ACSC,R416G0SD3282CSC,R416G0UD328BCSC,R432G0SD3282ASC,R48G00UD328ACSC,R432G0UD328BASC
The ATP Gym and Coach System: Exercising SSDs to Ensure Total Fitness
With the Gym and Coach system, ATP has dramatically improved RDT and the initialization process for functional test details. By making industrial SSDs undergo a lot of “painful” exercises through stringent testing, ATP makes sure that customers have everything to gain by receiving the most robust, reliable and enduring flash storage products for their applications.
ATP Wide-Temp DDR4 RDIMMs with I-Temp Registered Clock Driver Ensure Maximum Reliability in Extreme Temperatures
Like all ATP ELECTRONICS DRAM modules, ATP‘s wide-temp DDR4 modules with I-Temp RCD undergo rigorous 100% module-level testing to ensure maximum reliability.
提供I-TEMP/C-TEMP可操作型号的无DRAM超值系列固态硬盘
描述- 该资料介绍了ATP Electronics的Value Line固态硬盘（SSD）系列，包括N600Vi/Vc和A600Vi/Vc两款产品。这些SSD专为工业/嵌入式应用设计，提供可靠的性能、多种容量选项和长期供应承诺。它们采用无DRAM配置，以降低功耗和热量产生。产品适用于读密集型或读写混合型应用，如网络服务器、盒式PC、自助服务亭/销售点系统（POS）和其他需要可靠性和低成本投资的工业/嵌入式启动驱动器。
型号- A600VC SERIES,N600VI,A600VI,A600VI SERIES,A600VC,N600VC SERIES,N600VC,N600VI SERIES
DDR4-3200 DRAM Solutions Deliver Memory Boost to AMD EPYC™ and 2nd Gen Intel® Xeon® Scal | ATP
Taipei, Taiwan (March 2020) – ATP Electronics announces the release of fast, low-power DDR4-3200 solutions to take full advantage of the latest AMD EPYC™ Family and 2nd Generation Intel® Xeon® Scalable Processors (formerly codenamed Rome and Cascade Lake, respectively). ATP’s DDR4-3200 modules ensure a big boost in performance, compute density and productivity with their fast 3200 MT/s data rate to optimize the power of AMD’s eight-memory channel and Intel’s six-memory channel architectures.
DDR5: What is On-Die ECC?
As dynamic random access memory (DRAM) capacity increases with each generation and wafer lithography shrinks to achieve higher speeds and better economies of scale, bit errors are also expected to increase. On-die ECC is an important feature of DDR5. It provides additional protection by correcting bit errors within the DRAM chip before sending data to the central processing unit (CPU).
ATP（华腾国际）固态硬盘选型指南
描述- Since 1991, we have consistently distinguished ourselves as one of the world’s leading original equipment manufacturers (OEM) of high-performance, high-quality and high-endurance NAND flash products and DRAM modules.
型号- A750PI,S600SC,B800PI,S750 SERIES,S600SI,B600SC,N700PC,A750 SERIES,E650SC,N601,N651SI,A600VI,S800PI,E600VC,I800PI,A600VC,A650SI,A650SC,N651SC,N750,S650SI,A600VI SERIES,N750PI,N651SIE,A800PI,N601 SERIES,A700PI,N651SIA,N650 SERIES,E600SAA,A750,A600VC SERIES,N600SC,E600SA,E650SI,N750 SERIES,E700PIA,N600SI,S650,S650SC,N651SI SERIES,E700PAA,B600SC SERIES,E600SI,N600VI SERIES,I700SC,N600VI,N650SI,E600SIA,N650SC,E750PI,N600VC,I600SC,E750PC,N651,S700PI,A650 SERIES,N650,N751PI,S700PC,N600VC SERIES,N651 SERIES,S650 SERIES,A650,N601SC,S750PC,E700PI,A600SI,N700PI,E700PA,S750,S750PI,E700PC,N651SCE,A600SC
电子商城
现货市场
服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论