【产品】漏源电压高达1700V的碳化硅MOSFET FF17900，反向电容典型值为1pF
即思创意推出的碳化硅MOSFET产品FF17900，符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下，漏源电压最小为1700V (VGS=0V, ID=100μA)，漏源通态电阻典型值为900mΩ (VGS=18V, ID=500mA)。可应用于开关模式电源，脉冲电源应用，电池管理系统，电信电源，可再生能源，电机驱动等领域。
产品信息：
特点：
低电容，快速切换
高雪崩耐受能力
高阻断电压，低漏电流
针对高压应用进行了优化
强闩锁硬度
符合RoHS且无卤素
优势：
更高的系统效率
提高并联设备的便利性
实现高温应用
允许高频操作
实现系统的小型化和轻量化
高可靠性
潜在应用:
开关模式电源
脉冲电源应用
电池管理系统
电信电源
可再生能源
电机驱动
关键性能参数
订购信息：
最大额定值（Tj=25℃，除非另有说明）
电气特性
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即思创意（fastSiC）碳化硅MOSFET和肖特基二极管选型指南
目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET
型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06020E-2,FL06320A,FC06006D,FC06016C,FC06006C,FF17900Q,FC06010C,FH06004C,FH06006C,FC06002X,FL06150A,FL06320G,FF061K4A,FF12040Q
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