【应用】英诺赛科联合恩智浦推出150W大功率氮化镓电源方案,打造大功率性能标杆
随着氮化镓器件的普及,其高频高效的特性,降低了开关损耗并提高了开关频率,显著提高了电源的转换效率并缩小了USB PD快充体积,使常规同功率快充的体积缩减到原有的一半。同时,氮化镓不仅可以用在USB PD快充上,还可以用在非常多的大功率电源转换的场合。笔记本电源或者多口快充,也可以使用氮化镓技术来降低发热,减小体积。
英诺赛科联合恩智浦开发了一款150W氮化镓电源方案,这款电源使用全套恩智浦的控制器,PFC和LLC开关管使用英诺赛科的氮化镓功率器件,输出电压为21.5V,可用于笔记本电脑供电或者独立降压的多口USB PD快充应用。电源方案的体积仅有65*55*22mm,功率密度达到1.9W/cm³,并且具有95%以上的高效率。这款氮化镓150W开关电源参考设计采用了PFC+LLC的电路架构,支持90-264V宽电压输入,空载功率小于80mW,内部采用恩智浦全套控制器方案。主动桥式整流,二合一Combo控制器和同步整流控制器全部来自恩智浦,PFC升压开关管和LLC开关管采用英诺赛科的氮化镓开关器件。
实测这款150W氮化镓电源参考设计满载输出效率,在115Vac输入时,转换效率高于94%,230Vac输入时,转换效率高于95%。在230Vac输入下的空载损耗小于100mW。
一、150W氮化镓电源参考设计外观
从正面可以看出,这款150W参考设计采用了4块小板垂直焊接在大板上的方式,增加电路板可用面积,提高空间利用率。四块小板分别是主动桥式整流,PFC开关管,LLC开关管和同步整流,穿插在PFC升压电感和LLC变压器之间。
由于使用多块小板焊接,以及使用了高集成度的恩智浦PFC+LLC二合一控制器,这款150W参考设计的电路元件非常精简,大幅降低了电源方案调试生产工序。
使用游标卡尺实测电路板长度约为65mm。
使用游标卡尺实测电路板宽度约为55mm。
使用游标卡尺实测电路板高度为19.32mm。
重量为100.7g。
二、150W氮化镓电源参考设计电路解析
这款150W氮化镓电源,在初级使用了主动整流,以降低整流管压降带来的损耗。使用TEA2206T主动整流控制器+TEA2017AAT PFC+LLC控制器+TEA2095T同步整流控制器的全套恩智浦电源方案,搭配英诺赛科新款INN650DA260A氮化镓器件,采用DFN5*6封装,实现高性能小体积的150W开关电源设计。
开关电源输入采用主动整流桥设计,以降低整流桥压降带来的损耗。使用主动整流,还免去了传统整流桥的散热要求,使电源的设计更加紧凑。
恩智浦TEA2206T是一种有源桥式整流器控制器,适用于采用MOSFET代替传统二极管桥中的两个低边二极管。通过把TEA2206T与低导阻高压外置MOSFET配合使用,可显著提高功率转换器的效率,因为典型的整流二极管正向传导损耗降低了50%。
电源内部采用恩智浦TEA2017控制器,这是一颗集成了多模式PFC和数字配置的LLC二合一的控制器,将两颗芯片整合在一起,可以同时输出PFC和LLC驱动信号,无需传统独立的两颗芯片。
恩智浦TEA2017AAT是一款数字化可配置LLC和PFC组合控制器,用于高效谐振电源。它包括LLC和PFC控制器功能。PFC经配置可在DCM/QR、CCM固定频率或支持所有操作模式的多模式下运行,优化PFC效率。TEA2017AAT能够构建一个完整的谐振电源,电源设计简便,组件数量少。TEA2017AAT采用小型窄条SO16封装。
TEA2017AAT数字架构基于高速可配置硬件状态机,确保可靠性、实时性。在电源开发过程中,LLC和PFC控制器的多种操作和保护设置都可以通过向设备加载新设置来进行调整,以满足特定的应用要求。专有TEA2017AAT配置内容未经授权无法复制,配置安全得以保证。
与传统的谐振拓扑相比,TEA2017AAT由于采用LLC低功耗模式,在低负载时表现出非常高的效率。此模式在连续切换(也称为大功率模式)和间歇模式之间的功率区域内运行。
PFC升压开关管采用两颗英诺赛科 INN650DA260A并联。
LLC开关管采用两颗英诺赛科 INN650DA260A组成半桥,PFC开关管和LLC开关管均由TEA2017AAT控制。
英诺赛科INN650DA260A是一颗650V耐压的增强型氮化镓开关管,采用DFN5*6封装,瞬态耐压可达800V,支持超高的开关频率,无反向恢复电荷,具有极低的栅极电荷和输出电荷,符合JEDEC标准的工业应用要求,内置ESD保护,符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。
英诺赛科INN650DA260A导阻典型值为260mΩ,支持开尔文源极,栅极驱动电压6V,支持7V耐压,最高可承受-20V到10V的脉冲。可用于65-120W的反激架构适配器,120-200W的PFC、LLC架构适配器。
次级同步整流控制器采用恩智浦TEA2095T进行同步整流控制,内置两个驱动器,可以同时驱动两个同步整流管,并支持独立工作。
TEA2095T/TE是一款开关模式电源用的高性能同步整流器(SR)控制器IC。同步整流控制器采用自适应栅极驱动方法,可在任何负载下节省最大能量。提高轻载效率,TEA2095T/TE可在90μA的条件下以-25 mV的稳压水平工作,从而优化了与低导阻MOSFET配合使用。
通过使用恩智浦高集成的电源方案,搭配英诺赛科的氮化镓器件,两者的性能得到充分发挥,实现了紧凑可靠高效率的开关电源设计。主动桥式整流,可将传统整流桥的传导损耗降低一半,从而减小整流桥的散热设计。使用LLC拓扑能够有效减小初级开关管的开关损耗,提高转换效率。输出使用同步整流,有效降低传统二极管压降损耗,配合紧凑的电源设计,实现高效率,小体积的氮化镓电源方案设计。
恩智浦是一家领先的综合性半导体公司,其产品应用非常广泛,产品涵盖安全互联汽车、移动设备、工业物联网、智慧城市、智慧家居、通信基础设施等市场与应用领域。恩智浦比较闻名的是汽车领域,推动安全互联应用的创新。同时恩智浦旗下也有着丰富的芯片产品线,本次介绍的电源参考设计的全部控制器方案都是来自恩智浦半导体。
英诺赛科是全球领先的硅基氮化镓IDM企业,当前出货量已突破4000万颗,其中应用于快充的高压器件已经被联想、努比亚、魅族、ANKER、绿联、倍思、品胜、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic 等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用,市场前景非常广阔。
充电头网总结
随着手机快充大面积使用氮化镓,氮化镓高频高效的优势充分发挥出来。英诺赛科将氮化镓技术引入到固定电压的适配器中,可满足笔记本电脑,电动自行车充电等多种需求。通过减小充电器体积,方便出行携带。
恩智浦全套的现代化高效电源解决方案,不仅外围元件精简,功能全面,搭载数字化控制内核,简化电源的开发难度。同时芯片内置完善的保护功能,能够最大限度的提高可靠性。高可靠性的电源芯片与高性能氮化镓器件联合,将成为高品质电源的首选。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由红烧个排骨转载自英诺赛科,原文标题为:恩智浦联合英诺赛科推出150W大功率氮化镓电源方案,打造大功率性能标杆,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
森国科第五代TMPS碳化硅二极管KS06065D应用于讯天宏100W 3C1A氮化镓充电器设计
充电头网的拆解报告显示:东莞市讯天宏智能科技推出的一款氮化镓充电器的PFC升压整流管采用了森国科第五代TMPS碳化硅二极管:型号为KS06065D,耐压650V,正向电流6A,最高工作温度175℃,采用PDFN5*6封装。
【应用】英诺赛科60W氮化镓LED驱动电源方案,支持90~264V输入电压,满载输出效率达93.5%
英诺赛科推出了一款60W LED驱动电源参考设计,这款电源为单级高PF值反激设计,并且为原边反馈,无需光耦和输出电流检测电路,在初级完成恒压控制,电路精简,简化设计并降低成本;电源支持90~264V输入电压,220V输入满载输出效率高达93.5%。
【应用】英诺赛科耐压650V的GaN芯片INN650DA260A助力Realme闪充,有效节省空间
英诺赛科INN650DA260A,耐压650V,瞬态耐压750V,支持超高开关频率,无反向恢复电荷,具有极低的栅极电荷和输出电荷,符合JEDEC标准的工业应用要求。得益于工业的迭代,性能明显提升,适用于65-120W的反激架构,120-200W的LLC架构。
拆解报告:品胜65W 2C1A氮化镓快充充电器
充电头网通过拆解了解到,这款充电器采用芯朋PN8213主控芯片搭配英诺赛科INN650D190A增强型氮化镓开关管,PN8213是一颗高频准谐振反激控制器,支持使用增强型或者级联型氮化镓开关管以及传统硅MOS使用,芯片内置高压启动,保护功能全面。
英诺赛科(Innoscience)高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
目录- HV GaN FET LV GaN FET & Wafer
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
耐压650V的氮化镓开关管INN650DA260A,适用于65-120W反激架构及120-200W LLC架构
英诺赛科推出了一款高性价比氮化镓开关管,型号为INN650DA260A,这是一颗耐压650V的氮化镓高压单管,瞬态耐压750V,得益于工艺改进,相比英诺赛科之前的氮化镓器件,性能有明显的提升,适用于65-120W的反激架构,120-200W的LLC架构。
英诺赛科氮化镓芯片进入安克、倍思、联想、摩托罗拉、OPPO等一线供应链,出货超1.7亿颗
英诺赛科高频高效的氮化镓芯片可以帮助客户设计更高功率密度的电源解决方案,其产品已被三星,OPPO,VIVO,华硕,努比亚,绿联,多家知名品牌和厂商所采用,今年年初与VGaN系列产品,以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机,实现手机全链路氮化镓快充。
【产品】英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管,采用双平面无引线封装(DFN),尺寸为8mm×8mm
英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管,双平面无引线封装(DFN),尺寸为8mm×8mm。支持超高开关频率,并且具有无反向恢复电荷,低栅极电荷,低输出电荷的优点,符合JEDEC标准的工业应用资格。
【视频】650V国产GaN器件,为不同功率需求的PD快充设计提供对应的设计方案
描述- 本文介绍了英诺赛科(Innoscience)的650V GaN FET产品,包括其特性、驱动设计、PCB布局注意事项以及产品选型。该GaN FET具有超低开关频率、零反向恢复损耗、更小的导通和开关损耗,适用于高频应用。文章还提供了驱动电路设计、PCB布局建议以及不同功率等级的产品选型指南。
型号- INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA150A,INN650DA260A
【应用】650V,22A的GaN FET INN650DA260A用于高频电源,可实现更快的导通和关断
在高频电源中,为了降低损耗,开关管会采用GaN FET,GaN的低栅极电容可在硬开关期间实现更快的导通和关断,从而减少了交叉功率损耗。某一高频电源,开关管用的是英诺赛科的GaN FET,INN650DA260A,650V,22A 。
英诺赛科持续推出高压和低压GaN功率器件,氮化镓场效应管等产品高频高效助力绿色能源革命
2022年,在全球“双碳”战略的推动下,第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒,基于其高频、高效、低能耗的优势,终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业,一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破,于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品。
【应用】国产英诺赛科的增强型氮化镓场效应管INN100W08适用于消费级激光雷达项目,脉冲电流高达50A
客户为了降成本想要一款国产的单管GaN,英诺赛科的INN100W08耐压100V,具有超高开关频率、超低导通电阻、快速可控的下降和上升时间以及零反向恢复损耗等特点,脉冲电流高达50A,适合用于客户的消费级激光雷达项目!
【产品】650V硅上氮化镓增强型功率晶体管INN650D350A,无反向恢复电荷,符合JEDEC标准
英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管,采用了双平面无引线封装(DFN),尺寸为8mm×8mm。支持超高开关频率,并且具有无反向恢复电荷,低栅极电荷,低输出电荷的优点,符合JEDEC标准的工业应用资格。
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制平板变压器、主变压器的开关频率2MHz以内、输入电压1400V以内、输出电压1400V以内,50%以上的产品采用自动化生产,最快3天提供样品、7天交货。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论