【经验】以LSIC1MO120E0080为例分析驱动电压对Sic MOSFET的影响
Sic MOSFET主要是采用Sic技术的场效应晶体管。SiC材料相对于Si材料，具有较高的热导率，能实现更高的电流密度。Sic高禁带宽度，击穿场强更高以及可实现更高的工作温度。
LITTELFUSE的1200V/80mΩ的Sic MOSFE参数：
目前我们了解到市场的Sic MOSFET的驱动电压的正压设计一般是+15V~+20V，负压一般是-2V~-5V。驱动电压非常的宽。
我们通过Littelfuse的1200V/80mΩ的Sic MOSFET（LSIC1MO120E0080）的导通电阻和驱动电平数据分析驱动电压的大小和宽度对效率的影响。
1：Rdson与驱动电压大小的关系
图1：导通电阻和驱动电压关系曲线
由曲线信息可以看出，同样的测试条件下，我们测试了Vgs分别是14V/16V/18V和20V几个条件下的Sic MOSFET的导通电阻Rdson。测试结果显示在20V下，Rdson达到了完全导通状态80mΩ，当电压降到18V时，Rdson基本增加了5%，而且电压越低，导通电阻越大。因此，驱动正压越大，导通的电阻越低，经过同样电流的情况下，导通损耗就越低，整体的效率就越高。
2：驱动电平与开通损耗的关系
图2：驱动与开通损耗曲线关系图
图2中主要是淡蓝色曲线（驱动电平﹢20V/-5V）、棕色曲线（驱动电平+18V/-5V）和黄色曲线（驱动电平+18V/0V）的关系示意图。其中负压主要是防止误导通。同样的负压下，正压越高，开通损耗越低。同样的正压下，负压越低，开通损耗也是越低的。因此，正负压的范围设计越宽（在驱动条件范围内），开通损耗就更具优势，也就相当于应用系统效率更高。
综上是Sic MOFET的驱动正压越高且驱动的范围越宽，应用时的导通损耗就越低，应用的系统效率就越高。
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