【产品】罗姆发布第4代SiC MOSFET,导通电阻降低约40%,开关损失降低约50%

2022-03-27 ROHM
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如今,电动汽车(EV)、数据中心、基站、智能电网等为了提高了便利性,电源的高电压化和大容量化正在进行中。然而,从保护地球环境的角度来看,提高便利性之外,减少了电力转换部的损失,有效地使用也变得越来越重要。因此,能够进行高频动作,并且高电压大容量能量损失少的SiC功率半导体备受关注。


罗姆(ROHM)发布了第4代SiC MOSFET,是第3代SiC MOSFET的沟槽栅结构进一步演进,将导通电阻降低约40%,开关损失降低约50%。并且,罗姆还使用第4代SiC MOSFET,进行了500V输入7kW降压型DC-DC转换器的实机验证、EV的800V输入100kW的牵引逆变器的模拟行驶试验、以及Totem-polePFC的实机评价,确认了其有用性。

 

目前,电动汽车(EV)、数据中心、基站、智能电网等应用,电源的高电压和大容量趋势正在进行(图1)。理由是可以提高各个应用的便利性。作为身边例子的EV,如果推进高电压化(400V和800V)和大容量化(50kW-350kW),能实现续航距离的延长和快速充电的充电时间缩短,能大幅度提高人们生活的便利性。


然而,在世界范围内,保护地球环境的努力正在加强,单纯地提高便利性是不会被全球市场所接受的。今后除了便利性的提高之外,减少能源损失,有效的使用也会变得越来越重要。因此应该注意的点是电力转换。上述的应用都是从电力系统、电池、太阳光发电系统等接受电力供给,转换成最适合的电压值并有效利用,但是在这个电力转换时会发生能量损失。为了减少能量损失,提高电力转换效率,现在备受瞩目的是能够进行高频动作,并且在高电压大容量下能量损失较少的SiC功率半导体。罗姆已经将SiC功率半导体产品化,开始在各种用途上普及。利用SiC功率半导体,提高功率转换效率,是罗姆的社会使命。

图1.应用示例

 

这次,罗姆发布了第4代SiC MOSFET。进一步进化了已经量产中的第3代SiC MOSFET确立的沟槽栅结构,比第3代降低了约40%的导通电阻,由于高速切换特性造成的开关损失也减少了约50%。图2所示的标准化导通电阻(Ron-A:每单位面积导通电阻)的趋势显示了它的进化。

图2.导通电阻的趋势图


SiC功率半导体是在EV、数据中心、基站、智能电网等高电压、大容量的应用中,在提高便利性的同时,提高功率转换效率的关键功率设备。第4代SiC MOSFET大幅改善了沟槽结构的性能,归一化导通电阻也更小。活用这些得到的高速开关性能,低导通电阻对功率转换效率的提高有很大的贡献。


罗姆发布的应用手册记载了使用1200V/36mΩ的SiC分立元器件的500V输入7kW输出的降压型DC-DC转换器的实机验证,使用1200V/400A的SiC功率模块的EV的800V输入100kW的主牵引逆变器的模拟行驶试验,以及使用750V/45mΩ的SiC分立元器件的Totem-pole PFC的实机评估,均显示了它的有用性。可以期待它有助于提高世界上许多应用中的功率转换效率。


最后,介绍一下本次发布的750V和1200V第4代SiC MOSFET产品线。

表5 第4代SiC MOSFET 产品Line up 表

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  • 转身 Lv5. 技术专家 2022-04-07
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  • 小班学生 Lv7. 资深专家 2022-04-02
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型号- YQ10RSM10SD,BD52W04G-C,PSR SERIES,BD900N1W,BD5310XG-CZSERIES,YQ12RSM10SD,YQ15RSM10SD,SCT4062KW7HR,BR25H020,BR24H64,BD900N1G-C,YQ20BM10SD,BD9XXN1 SERIES,BD933N1,SCT4045DRHR,PSR400,BD5310XG-CZ,BD933N1WG-C,YQ3LAM10D,BD52W01G-C,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,BR25H128,BR25H010,BR25H1M,BR25H256,BD53103G-CZ,RB520ASA-30FH,BD950N1WEFJ-C,RB551ASA-30FH,BD53106G-CZ,BD950N1WG-C,BM2LE160FJ-C,BV1LE080EFJ-C,YQ2LAM10B,SCT4045DEHR,BD54105G-CZ,BR24H01,BR25H320,BM2LE250FJ-C,BR24H02,RGW00TS65CHR,BR24H04,YQ2MM10A,BR25H040,RB751ASA-40FH,BV1LE250EFJ-C,BR25H160,BR24H08,SCT4026DW7HR,YQ40NL10CD,BD52W03G-C,RB520ASA-40FH,SCT4045DW7HR,BD48W00G-C,RGW80TS65CHR,CISPR25,BD7XXL05G-C SERIES,BD53108G-CZ,BD54103G-CZ,BD52W06G-C,RB521ASA-30FH,BR24H512,BR24H256,BD900N1EFJ-C,RB550ASA-30FH,BR24HXXX-5AC,BR25HXXX-5AC SERIES,BD7XXL05G-C,BR24H1M,SMLVN6RGBFU,BD54102G-CZ,BD950N1,BD48HW0G-C,REFLED003-EVK-001,REFLED003-EVK-002,SCT4036KEHR,REFLED003-EVK-003,YQ8RSM10SD,BD9XXN1,REFLED003-EVK-004,YQ5RSM10SD,BR24H128,YQ3MM10B,YQ3RSM10SD,RB886ASAFH,BD53104G-CZ,YQ30NL10CD,BD52W05G-C,YQ SERIES,PSR,BD900N1WEFJ-C,BM2LEXXXFJ-C,YQ30NL10SE,BD733L05G-C,SCT4062KWAHR,BD933N1WEFJ-C,YQ30NL10SD,BD54107G-CZ,BD950N1W,BD725L05G-C,BM2LE040FJ-C,BR24H16,BD933N1W,BD730L05G-C,BD750L05G-C,BD900N1,BD933N1G-C,PSR350,REFRPT001-EVK-001,BD52W02G-C,SCT4036KRHR,BR25HXXX-5AC,BR25H512,BD933N1EFJ-C,BD950N1EFJ-C,BM2LE080FJ-C,BR25H640,BD53105G-CZ,BR24HXXX-5AC SERIES,BR25H080,PSR100,BV1LEXXXEFJ-C SERIES,BD950N1G-C,PSR500,YQ2VWM10B,YQ20NL10CD,LMR1901YG-M,RGW60TS65CHR,BD5410XG-CZ,SCT4062KEHR,BV1LE040EFJ-C,YQ1VWM10A,BD54104G-CZ,YQ60NL10CD,BD900N1WG-C,BD9S402MUF-C,SCT4045DWAHR,YQ20NL10SE,BV1LE160EFJ-C,YQ20NL10SD,BM2LEXXXFJ-C SERIES,BD53107G-CZ,BR24H32,YQ5LAM10C,YQ5LAM10D,YQ5LAM10E,SCT4026DRHR,PSR330,SCT4026DWAHR,BV1LEXXXEFJ-C,BD5410XG-CZ SERIES

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ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)

描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

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ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)

目录- SiC MOSFETs   

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

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品类:Anti-surge chip resistors

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品牌:ROHM

品类:Transistor

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品牌:ROHM

品类:transistor

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品类:Low-side switch

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品类:Transistor

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品牌:ROHM

品类:EEPROM

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紫外光固化丙烯酸酯胶粘剂定制

可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。

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单组份环氧胶定制

可定制环氧胶的粘度范围:9000~170000 mPa·s;固化方式:可加热、仅室温、可UV;其他参数如外观颜色、硬度等也可按需定制。

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