【产品】罗姆发布第4代SiC MOSFET,导通电阻降低约40%,开关损失降低约50%

2022-03-27 ROHM
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如今,电动汽车(EV)、数据中心、基站、智能电网等为了提高了便利性,电源的高电压化和大容量化正在进行中。然而,从保护地球环境的角度来看,提高便利性之外,减少了电力转换部的损失,有效地使用也变得越来越重要。因此,能够进行高频动作,并且高电压大容量能量损失少的SiC功率半导体备受关注。


罗姆(ROHM)发布了第4代SiC MOSFET,是第3代SiC MOSFET的沟槽栅结构进一步演进,将导通电阻降低约40%,开关损失降低约50%。并且,罗姆还使用第4代SiC MOSFET,进行了500V输入7kW降压型DC-DC转换器的实机验证、EV的800V输入100kW的牵引逆变器的模拟行驶试验、以及Totem-polePFC的实机评价,确认了其有用性。

 

目前,电动汽车(EV)、数据中心、基站、智能电网等应用,电源的高电压和大容量趋势正在进行(图1)。理由是可以提高各个应用的便利性。作为身边例子的EV,如果推进高电压化(400V和800V)和大容量化(50kW-350kW),能实现续航距离的延长和快速充电的充电时间缩短,能大幅度提高人们生活的便利性。


然而,在世界范围内,保护地球环境的努力正在加强,单纯地提高便利性是不会被全球市场所接受的。今后除了便利性的提高之外,减少能源损失,有效的使用也会变得越来越重要。因此应该注意的点是电力转换。上述的应用都是从电力系统、电池、太阳光发电系统等接受电力供给,转换成最适合的电压值并有效利用,但是在这个电力转换时会发生能量损失。为了减少能量损失,提高电力转换效率,现在备受瞩目的是能够进行高频动作,并且在高电压大容量下能量损失较少的SiC功率半导体。罗姆已经将SiC功率半导体产品化,开始在各种用途上普及。利用SiC功率半导体,提高功率转换效率,是罗姆的社会使命。

图1.应用示例

 

这次,罗姆发布了第4代SiC MOSFET。进一步进化了已经量产中的第3代SiC MOSFET确立的沟槽栅结构,比第3代降低了约40%的导通电阻,由于高速切换特性造成的开关损失也减少了约50%。图2所示的标准化导通电阻(Ron-A:每单位面积导通电阻)的趋势显示了它的进化。

图2.导通电阻的趋势图


SiC功率半导体是在EV、数据中心、基站、智能电网等高电压、大容量的应用中,在提高便利性的同时,提高功率转换效率的关键功率设备。第4代SiC MOSFET大幅改善了沟槽结构的性能,归一化导通电阻也更小。活用这些得到的高速开关性能,低导通电阻对功率转换效率的提高有很大的贡献。


罗姆发布的应用手册记载了使用1200V/36mΩ的SiC分立元器件的500V输入7kW输出的降压型DC-DC转换器的实机验证,使用1200V/400A的SiC功率模块的EV的800V输入100kW的主牵引逆变器的模拟行驶试验,以及使用750V/45mΩ的SiC分立元器件的Totem-pole PFC的实机评估,均显示了它的有用性。可以期待它有助于提高世界上许多应用中的功率转换效率。


最后,介绍一下本次发布的750V和1200V第4代SiC MOSFET产品线。

表5 第4代SiC MOSFET 产品Line up 表

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  • 转身 Lv5. 技术专家 2022-04-07
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  • 小班学生 Lv7. 资深专家 2022-04-02
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目录- SiC MOSFETs   

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