【经验】纳芯微容隔离芯片NSi8241W1-DSWR用于SPI通信电路的设计经验

时间： 2022-09-30 来源：世强

目前许多产品的设计都会涉及到SPI通信电路的设计，出于高可靠性设计需要，往往会在主从芯片通信之间加上隔离芯片，由于涉及到主从的通信，往往会选择3正一反的隔离芯片做设计，老的方案会选用高速光耦，光耦由于集成度不高，设计时会用到4颗光耦，体积会偏大，新的方案采用集成度更高的容隔离芯片，目前也是以国外大品牌为主，性价比可能不高。针对SPI通信电路的设计，纳芯微推出的NSi8241W1-DSWR属于容隔离芯片，集成了3正1反的通道，满足设计的小体积化，同时相比国外容隔离芯片，也具有一定优势。

图1为NSi8241W1-DSWR的引脚定义图，从图明显可以看到该芯片属于3正1反的输出通道芯片，另外该芯片属于带EN控制功能，即EN引脚给高电平时芯片正常会有输出，当EN被拉低给低电平时，芯片的输出引脚此时是无信号输出，所以设计者这点需要注意。

下图1和图2分别为NSi8241W1-DSWR的引脚定义图和在SPI通信中实际运用框图：

图1 NSi8241W1-DSWR的引脚定义图

图2 NSi8241W1-DSWR在SPI通信运用框图

从该图的设计可以看到NSi8241W1-DSWR主要在SPI通信中起到隔离作用，目前NSi8241W1-DSWR可以提供5kV隔离电压，提供8mm爬电距离和8mm电气间隙，这个可以满足相关安规，可靠性测试等要求，提高SPI通信电路的可靠性。另外该芯片提供8kV的ESD能力，可以提升系统的抗静电能力。芯片同时能提供250kV/μs的CMTI能力，对于通信两边地的干扰能提供更好保护；提供更宽的工作温度范围-55℃-125℃，可以保障芯片在不同工况下的稳定性，提供系统更好的可靠性。另外设计者在使用该芯片，需要注意默认的输出状态是高电平，工作电压是2.5V-5.5V，这些都有利于设计者更好使用该芯片做设计。此外对标高速光耦及其它国外品牌容耦，纳芯微该款容隔离芯片具有更好性价比。所以NSi8241W1-DSWR非常适合作为SPI通信电路设计时的隔离芯片选择。

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描述- 纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码688052）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自 2013 年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。

型号- NSI6602NA-DLAR,NCA1051,NSI6602VC-Q1SWR,NSI6622NB-Q1SWKR,NCA1051N-Q1SPR,NSM2017,NSI6602NC-Q1SWR,NSM2019,NSI6602A-Q1SWKR,NSM2013,NIRS485,NSIP83086,NSI6622VB-Q1SPOR,NSM2015,NSM2016,NSC9260X,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSM 2115,NSI8231,NSI8230,NSM 2117,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSM 2119,NSC9262,NSC9260,NSI6801LC-DDBR,NSI6602VD-Q1SWKR,NSC9264,NSP1830,NSG65N15K-DQAFR,NST112X,NCA1042C-Q1DNR,NCA1042,NCA1042A-Q1DNHR,NSI8220NX,NSI6622A-DSWKR,NSI6801TB-DDBR,NSD1624-DSPKR,NSP1833,NST7719,NSP1831,NSP1832,NSM1052,NSM1053,NSI8222,NSA2860X,NSI8100,NSI8221,NSI8220,NSI6642C-DSPNR,NSM1051,NSI822XC,NSIP8921W1-DSWR,NSI6602MNF-Q1SWTR,NSD11416-Q1STBR,NSI6602VB-Q1SPNR,NCA3491,NSI6642A-DLAR,NSI6602NB-Q1SWKR,NSA2860_TSSOP,NSD1026V,NSI8221CX-DSWR,NSE34050,NSD12416– Q1,NCA1043B-Q1DNKR,NCA1044N-Q1SPR,NSIP8944W1-DSWR,NSPGL1 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2024年4月 - 纳芯微电子 - 选型指南