【经验】纳芯微容隔离芯片NSi8241W1-DSWR用于SPI通信电路的设计经验
目前许多产品的设计都会涉及到SPI通信电路的设计，出于高可靠性设计需要，往往会在主从芯片通信之间加上隔离芯片，由于涉及到主从的通信，往往会选择3正一反的隔离芯片做设计，老的方案会选用高速光耦，光耦由于集成度不高，设计时会用到4颗光耦，体积会偏大，新的方案采用集成度更高的容隔离芯片，目前也是以国外大品牌为主，性价比可能不高。针对SPI通信电路的设计，纳芯微推出的NSi8241W1-DSWR属于容隔离芯片，集成了3正1反的通道，满足设计的小体积化，同时相比国外容隔离芯片，也具有一定优势。
图1为NSi8241W1-DSWR的引脚定义图，从图明显可以看到该芯片属于3正1反的输出通道芯片，另外该芯片属于带EN控制功能，即EN引脚给高电平时芯片正常会有输出，当EN被拉低给低电平时，芯片的输出引脚此时是无信号输出，所以设计者这点需要注意。
下图1和图2分别为NSi8241W1-DSWR的引脚定义图和在SPI通信中实际运用框图：
图1 NSi8241W1-DSWR的引脚定义图
图2 NSi8241W1-DSWR在SPI通信运用框图
从该图的设计可以看到NSi8241W1-DSWR主要在SPI通信中起到隔离作用，目前NSi8241W1-DSWR可以提供5kV隔离电压，提供8mm爬电距离和8mm电气间隙，这个可以满足相关安规，可靠性测试等要求，提高SPI通信电路的可靠性。另外该芯片提供8kV的ESD能力，可以提升系统的抗静电能力。芯片同时能提供250kV/μs的CMTI能力，对于通信两边地的干扰能提供更好保护；提供更宽的工作温度范围-55℃-125℃，可以保障芯片在不同工况下的稳定性，提供系统更好的可靠性。另外设计者在使用该芯片，需要注意默认的输出状态是高电平，工作电压是2.5V-5.5V，这些都有利于设计者更好使用该芯片做设计。此外对标高速光耦及其它国外品牌容耦，纳芯微该款容隔离芯片具有更好性价比。所以NSi8241W1-DSWR非常适合作为SPI通信电路设计时的隔离芯片选择。
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