【产品】漏源电压-30V的P沟道MOSFET SLN30P03T，具有极低的漏源导通电阻
美浦森推出的SLN30P03T是一款漏源电压为-30V的P沟道MOSFET，该功率MOSFET是使用美浦森先进的平面条纹沟槽技术生产的。这种先进的技术专为最小化传导损耗而定制，可提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
除非另有说明，否则当TC=25°C，该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V，连续漏极电流-35A，脉冲漏极电流-140A，栅源电压±20V，耗散功率21.5W，工作温度与存储温度范围为：-55℃~+150℃。该产品采用DFN3*3封装，引脚分布和等效电路图如下图。
产品特性
● P沟道MOSFET：-30V / -35A
RDS(on)Typ= 8mΩ@VGS = -10 V
RDS(on))Typ= 13mΩ@VGS =- 4.5V
● 极低的漏源导通电阻 RDS(ON)
● 低Crss
● 快速开关
● 100% 雪崩测试
产品应用
● PWM应用
● 负载开关
● 电源管理
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由扶摇翻译自美浦森，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品 发布时间 : 2023-07-04
导通电阻46mΩ的P沟道低压MOS管SL4459，电感电压低至4.5V，非常适合负载开关或PWM应用
本文要介绍的是SLKOR低压MOS管SL4459，采用了先进的微处理器技术，为各种应用提供了卓越的性能，特点包括出色的Ron（导通电阻）、低电感以及低至4.5V的电感电压。这些特性使得该器件非常适合负载开关或PWM（脉宽调制）应用。
产品 发布时间 : 2024-01-13
【产品】漏源电压-30V的P沟道MOSFET SLV3407T，导通电阻低至36mΩ，可用于电池保护
美浦森推出的SLV3407T是一款漏源电压-30V的P沟道MOSFET。这种功率MOSFET是使用美浦森先进的平面条纹沟槽技术生产的。这种先进的技术是为实现最小化传导损失而定制的，提供优越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
产品 发布时间 : 2021-12-30
【元件】长晶科技新推P沟道MOSFET CJ4459A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V
长晶科技推出的P沟道MOSFET CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择，该器件采用SOT-23封装。
新产品 发布时间 : 2023-02-07
【产品】输入电压2.5V至5.5V的单P沟道MOSFET负载开关TMI6263系列，非常适合3V和5V供电系统
西安拓尔生产的TMI6263系列是高性价比，单P沟道MOSFET负载开关，具有超低漏源导通电阻RDS（ON）。针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。输入电压范围2.5V至5.5V，非常适合3V和5V供电系统。
新产品 发布时间 : 2020-11-20
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论