【产品】100V/150A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板EPC9126HC，提升激光雷达系统整体性能
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出全新的100 V、150 A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板（EPC9126HC）。面向全自动汽车应用的激光雷达系统需要制作三维地图，因此，侦测四周的目标物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板可以看到，与等效MOSFET相比，具备快速转换特性的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）所提供的脉冲功率可以快十倍的速度驱动激光二极管，从而提升激光雷达系统的整体性能。
图一：产品图片
EPC9126HC开发板主要驱动激光二极管，备有参考接地的氮化镓场效应晶体管（EPC2001C）。该晶体管由德州仪器公司的UCC27611栅极驱动器驱动。EPC2001C的最高电压为100 V，可驱动高达150 A脉冲电流。EPC9126HC开发板给高功率triple-junction激光二极管的驱动电流高达75 A，其脉宽可以低至5 ns。
开发板为装贴激光二极管所需，提供多个可选并具备超低电感的连接，以及可利用电容器放电（装运时配备），或由电源总线直接驱动二极管。开发板并没有包含激光二极管，它需要由使用者提供，从而对不同的应用进行针对性的评估。
PCB的设计是把功率环路电感减至最小而同时保持装贴激光二极管的灵活性。板上备有多个无源探头（passive probe），可测量电压及放电电容器的电流，以及备有为50 Ω测量系统而设的输入及传感器的SMA连接器。此外，使用者可使用可选的高精度窄脉冲发生器。
最后，EPC9126HC可以在其它采用参考接地的eGaN FET的应用中发挥其效能，例如Class E或其它相同的电路。
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闲云 Lv7. 资深专家 2018-11-18用在雷达上不错 -
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30787 Lv7. 资深专家 2018-11-18了解下 -
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Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-04-08好，学习了 -
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用户18396822 Lv8 2018-02-01不错 -
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luose Lv8. 研究员 2017-12-04学习了，谢谢 -
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冷若冰 Lv7. 资深专家 2017-12-02好东西
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
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15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
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3.4
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28
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150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC9176演示板快速入门指南
描述- EPC9176演示板是一款基于EPC23102 eGaN IC的3相BLDC电机驱动逆变器板，具有14V至65V宽输入直流电压范围。该板可提供高达35Apk（25ARMS）的稳态输出电流和高达40Apk（28.3ARMS）的脉冲输出电流。EPC9176包含所有必要的功能电路，以支持完整的电机驱动逆变器，包括栅极驱动器、辅助电源轨、电压和温度感应、精确的电流感应和保护功能。该板与多种兼容控制器配合使用，支持快速开发。
型号- EPC9176
GaN Transistor for Several Power Applications
GaN transistors are significantly faster and smaller than silicon MOSFETs. The performance of GaN shows that efficiency and performance have improved significantly, leading to several new applications that were not possible with silicon technology. eGaN® FETs, from EPC, are supplied in a low inductance, low resistance, small and low-cost LGA or BGA packages. In addition, they offer designers the best in class compared to MOSFETs in both hard switching and soft-switching applications.
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型号- EPC2001C
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型号- EPC9126HC,EPC9126,EPC9126XX
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测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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