【产品】采用TO-247高压封装功率模块IXFH40N80XA、IXFH50N80XA，漏极电压高达800V

时间： 2019-01-30 来源：IXYS（Littelfuse收购）

功率MOSFET,高压封装功率模块,HiPerFET功率MOSFET,AEC Q101功率模块

IXYS公司（LITTELFUSE收购）推出的IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET，符合AEC Q101标准，采用TO-247高压封装，低封装电感，节省空间且易于安装。主要应用于开关模式和谐振模式、电源、DC-DC转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动器、机器人和伺服控制等领域。

图1 IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET外观图

图2 IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET电路图

图3 IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET尺寸图

IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET储存温度范围是-55℃~150℃，结温范围为-55℃~150℃，结壳热阻分别为0.145°C/W、0.14°C/W，具有优异的热传递性和极高的稳定性，提高温度和功率循环能力，满足军品级器件的温度要求。在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。

IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET重6g， IXFH40N80XA反向恢复时间更短，相比之下可以更快速响应；导通阻抗分别为145mΩ、105 mΩ，IXFH50N80XA可以改善信号完整性并减少功率损耗。相比之下IXFH50N80XA具有更低的导通和关断损耗。

IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET特点：

·高功率密度

·易于安装

·节省空间

·高压封装

·国际标准封装，TO-247封装

·低封装电感

·导通阻抗分别为145mΩ、105 mΩ

·总功耗分别为860W、890W

·储存温度范围是-55℃~150℃

·结温范围为-55℃~150℃

·符合AEC Q101标准

IXFH40N80XA、IXFH50N80XA X-Class HiPerFET^TM功率MOSFET应用领域：

·开关模式和谐振模式

·电源

·DC-DC转换器

·PFC电路

·交流和直流电机驱动器

·机器人

·伺服控制

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