【选型】屹晶微电子高压大电流半桥驱动EG1160应用于便携式储能,工作电压可达600V
在便携式储能的电路设计中,在DC/DC转换部分采用LC谐振型双有源桥(DAB)拓扑结构,在DC/DC部分需要用到半桥驱动用于控制功率开关管,屹晶微电子推出的高压大电流半桥驱动EG1160,非常适合电源、电机等场合使用。
EG1160内部逻辑框图:
图1 EG1160内部逻辑框图
由上图可知,EG1160内部集成了线性电源、运放、死区时间控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片。
图2 EG1160典型应用
主要参数特性如下:
表1,EG1160主要参数特性
由上可知,EG1160高端工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20,Vcc静态功耗小于1.5mA,还具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN 内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,内置保护功能齐全,工作温度范围为-40℃-125℃,完全满足工业设计要求。
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屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片:死区,低端电源,输出电流,悬浮电源,高端/低端电源欠压保护
产品型号
|
品类
|
悬浮电源(V)
|
低端电源(V)
|
输入逻辑
|
输出电流
|
低端电源欠压保护(V)
|
高端电源欠压保护(V)
|
闭锁保护
|
使能
|
死区(nS)
|
封装
|
EG1160
|
驱动芯片
|
600
|
10-20
|
HIN,LIN
|
2.0/2.5
|
8.5/7.9
|
8.2/7.5
|
有
|
无
|
160
|
SOP16
|
选型表 - 屹晶微电子 立即选型
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服务
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可定制电感可承受4.5KV高压,可适配于30MHz高频应用;支持平共模电感、谐振电感、PFC电感、大电流直流电感等产品电压/频率等参数性能定制;通过AECQ-200认证。
最小起订量: 100000 提交需求>
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