【选型】屹晶微电子高压大电流半桥驱动EG1160应用于便携式储能,工作电压可达600V

2022-07-06 世强
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在便携式储能的电路设计中,在DC/DC转换部分采用LC谐振型双有源桥(DAB)拓扑结构,在DC/DC部分需要用到半桥驱动用于控制功率开关管,屹晶微电子推出的高压大电流半桥驱动EG1160,非常适合电源、电机等场合使用。


EG1160内部逻辑框图:

图1 EG1160内部逻辑框图

由上图可知,EG1160内部集成了线性电源、运放、死区时间控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片。

图2 EG1160典型应用

主要参数特性如下:

表1,EG1160主要参数特性

由上可知,EG1160高端工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20,Vcc静态功耗小于1.5mA,还具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN 内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,内置保护功能齐全,工作温度范围为-40℃-125℃,完全满足工业设计要求。

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