【产品】1700V的N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M173K0T3/P3M173K0F3
派恩杰推出的P3M173K0T3、P3M173K0F3是1700V N沟道增强型碳化硅MOSFET，P3M173K0T3采用TO-220-3封装，P3M173K0F3采用TO-220F-3封装，两款产品的导通电阻低，可在高频下工作，均通过100% UIS测试，可用于太阳能逆变器、EV电池充电器、高压DC/DC转换器、开关模式电源等。
电路和引脚说明
产品特点：
· 阻断电压高，导通电阻低
· 高频工作
· 采用全隔离封装，可直接散热（P3M173K0F3）
· 超小的栅极到漏极电荷（Qgd）
· 通过100% UIS测试
优势：
· 提高系统效率
· 提高功率密度
· 降低对散热器的要求
· 减少系统成本
最大额定值：（TJ=25℃，除非另有说明）
主要的电气参数：（TJ=25℃，除非另有说明）
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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