【产品】漏源电压30V的双N沟道功率MOSFET器件RUH30J30M，具备超低导通电阻

时间： 2022-03-15 来源：锐骏半导体

技术问答

RUH30J30M是锐骏半导体推出的一款双N沟道功率MOSFET，在PDFN5060封装内集成了两个N沟道MOSFET。其漏源电压V_DSS为30V，栅源电压V_GSS为±20V，连续漏极电流I_D为30A@（T_C=25℃，V_GS=10V），导通延时典型值为4ns，关断延时典型值为14ns，最大结温为+150℃，最大耗散功率为29W@T_C=25℃。其热阻特性：结到壳的热阻为4.2℃/W，结到环境的热阻为42℃/W。产品外形及引脚说明如下图所示：

产品特征

漏源电压30V，连续漏极电流30A（T_C=25℃）
R_DS(ON)典型值6mΩ@V_GS=10V
R_DS(ON)典型值9.5mΩ@V_GS=4.5V
超低导通电阻
快速开关速度
100%雪崩测试
可提供无铅且绿色环保器件（符合RoHS标准）

产品应用

DC/DC转换器
服务器板载电源
同步整流

电气参数（T_C=25℃，除非另有说明）

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