【产品】漏源电压30V的双N沟道功率MOSFET器件RUH30J30M，具备超低导通电阻
RUH30J30M是锐骏半导体推出的一款双N沟道功率MOSFET，在PDFN5060封装内集成了两个N沟道MOSFET。其漏源电压VDSS为30V，栅源电压VGSS为±20V，连续漏极电流ID为30A@（TC=25℃，VGS=10V），导通延时典型值为4ns，关断延时典型值为14ns，最大结温为+150℃，最大耗散功率为29W@TC=25℃。其热阻特性：结到壳的热阻为4.2℃/W，结到环境的热阻为42℃/W。产品外形及引脚说明如下图所示：
产品特征
漏源电压30V，连续漏极电流30A（TC=25℃）
RDS(ON)典型值6mΩ@VGS=10V
RDS(ON)典型值9.5mΩ@VGS=4.5V
超低导通电阻
快速开关速度
100%雪崩测试
可提供无铅且绿色环保器件（符合RoHS标准）
产品应用
DC/DC转换器
服务器板载电源
同步整流
电气参数（TC=25℃，除非另有说明）
订购信息
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锐骏半导体（Ruichips）沟槽MOSFET和超结MOSFET选型指南
型号- RU1HE4H,RU8048S,RU1H140R,RU30E4B,RU1HE4D,RU8048R,RU4090L,RU6051K,RU140N10R,RU6099S,RU6075R,RU6051M,RU6099R,RU75110R3,RU30C30M,RU75400Q,RU70200R,RU2H35S,RU2H35Q,RU8048L,RU2H35R,RU1H130R3,RU306C,RU1HE3H,RU60E2B,RU75260Q,RU1Z150R,RU2H100Q,RU1H301Q,RU1Z150S,RU2H100R,RUH30140M,RUH3051L,RU3089L,RUH3051M,RU3089M,RU1H150S,RU3065L,RU65110R,RU1H150R,RU1H130Q,RU1H130S,RU20D40M3,RU1H130R,RU40231Q2,RU6085L,RU6085M,RU75150R,RU40130R,RU2H80R,RUH30120L,RU1H20H,RU75N08R3,RU1HT3H,RU70E4D,RU20P17M2,RU6085H,RU70E4H,RU65110R3,RU30230R,RU7088R3,RU16P8M4,RU3020H,RU1Z120R3,RU6050R,RU6050S,RU8590R,RU8590S,RU68130R,RU190N08R,RU190N08Q,RU6050L,RU190N08S,RU80N15Q,RU80N15R,RU7588R3,RU40120M,RU40S4H,RU80N15S,RU3568L,RU30231R,RU3520H,RU20P7C,RU3568R,RU80T4H,RU40E80L,RU7089R,RUH30D18H,RU30J30M,RU65R900P,RU40120S,RU40120R,RU65R900L,RU40E25L,RU30P5H,RU40121M,RU30E40L,RU1H7H,RU30C10H,RU205B,RU7088R,RU30J41M,RU40121R,RU40L10H,RU40230S,RU40230R,RU75240R,RU4089R,RUH1H20H,RU30P5D,RU2H30R,RU2H30S,RU8205G,RU4089L,RUH30120M,RU30160R,RU60120R,RU30P4H,RU3040M2,RU2H30Q,RU30D20H,RU60E25R,RU7588R,RU40C40M,RU60E25K,RU1H140R3,RU60E25L,RU40190R,RU40190S,RU30L70L,RU40231R,RU1H40L,RU70140R,RU1H40M,RUH30100M,RU30L40M2,RU1Z121R,RU20P4C6,RU40L10L,RU4068L,RU3030M2,RU30L15H,RU20P4C,RU30290R,RU8099R3,RU304B,RU1HP35L,RU207C,RU40191S,RU55110R,RU1HE3D,RU3075R,RU1HE12L,RU30J51M,RU2560L,RU40220R,RUH4020H,RU60C8H,RU6070L,RU30200M,RU2HE5L,RU7085R,RU3041M2,RU1Z120R,RU20P3B,RU65120R,RU7550R,RU30291R,RU7550S,RU3075L,RU30E60M2,RU55111R,RU6888R3,RUH40130R,RU65R580L,RU30C8H,RU3070L,RU60P50S,RU3070M,RU6580R,RU1H100R,RU1H221R,RU1H221Q,RUH3090L,RUH40130M,RU1HP60S,RU1HP60R,RU1HP60Q,RU40180M,RU65R2KL,RU65R2KP,RU1HL13L,RU20P7C6,RU1HL13R,RUH3030M2,RUH30J51M,RU30E20H,2N7002K,RU3012M4,RU1HL13K,RU65R580P,RU3582R,RU8099R,RU1H220R,RU3582S,RU1H220Q,RU6080L,RU60101R,RU6888S,RU2H50Q,RU2H50S,RU6888R,RU2H50R,RU30S15H,RU6888M,RU1H190S,RUH40130L,RU1H190R,RU40P4H,RU35122S,RU35122R,2N7002,RU60D5H,RU1H60R,RU3060K,RU3060L,RU2030M2,RU40190Q2,RU65R740P,RUH40140M,RU65R740L,RU30300R,RU75110S,RU75110Q,RU60100R,RU75110R,RU30P4B,RU30P4C,RU68130R3,RUH3020L,RU60E16R,RU1HE16L,RU20P18L,RU16P4M4,RU60E16L,RU75N08S,RU75N08R,RU60450Q,RU75230S,RU4099Q,RU75N08L,RU4099R,RU40280R,RU30P3B,RU120N15Q,RUH4080L,RU7582S,RU2HE2D,RU60190R,RU30P4C6,RU30L18H,RU6010H,RUH4080M,RU120N15R,RU30D10H,RU7570L,RU1H180S,RU7582R,RU3710S,RU1H180R,RU3560L,RU3710R,RU60E5H,RU12200R,RU3090M,RU55200Q,RU6099R3,RU30120L,RUH8080H,RU30120M,RUH60100M,RU6055S,RU60E5D,RU70190R,RU75150R3,RU6055R,RU7080L,RU1Z200Q,RU7581R,RU6055L,RUH3051M2,RU3010H,RU80190R,RU75210R3,RU60E6H,RU80100R,RU80100S,RU1Z40L,RU190N10Q,RU190N10S,RU190N10R,RU1H35R,RU3070M2,RU1H35S,RU1H35Q,RU70E15L,RU1H35L,RU30120S,RU1H35K,RUH60100R,RU7580R,RUH30D20H,RUH30J30M,RU30120R,RU65R340L,RU1H150Q,RU30L30M,RU30D8H,RU3080L,RU75170S,RU3080M,RU1H300Q,RU75170R,RU1H36S,RU6881R,RUH4040M2,RU2020H,RU1H36R,RU40150R,RU55L18L,RU40150S,RU1H36L,RU30S5H,RU60280R,RU65R340P,RU40P3C,RU2520H,RU2568L,RU1088R,RU3091M,RU6199Q,RU30D20M2,RU75210R,RU8205C6,RU75210S,RU12150R,RU60200R,RU12150Q,RU4095L,RU6199R,RU75210Q,RUH30150M,RUH4060K,RU55L18R,RUH4060L,RU40E32L,RUH6020H,RU8080S,RU30S4H,RUH3025H,RU3011H,RU1HL8L,RU602B,RU70100R,RU1H160R,RUH8015H,RU1H80R,RU60P50L
DI038N04PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI038N04PQ2型双通道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、尺寸和封装信息。产品适用于直流转换器、电机驱动、同步整流器和商业工业级应用。
型号- DI038N04PQ2-AQ,DI038N04PQ2
【产品】28A/100V的商业级双N沟道功率MOSFET DI028N10PQ2， 漏源导通电阻典型值低至15mΩ
Diotec推出型号为DI028N10PQ2的双N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6-2封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点，其漏源电压为100V，栅源电压为±20V，耗散功率为32.7W，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器，商业级应用等领域。
DI048N04PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI048N04PQ2双通道功率MOSFET的特性、规格和应用。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、电源供应、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI048N04PQ2,DI048N04PQ2-AQ
ZMD68306N双N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMD68306N双通道功率MOSFET产品。这款器件采用先进的沟槽技术，具有极低的RDS(ON)，适用于计算设备和电信及工业领域的DC/DC转换器。
型号- ZMD68306N
ZMD68606S双N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMD68606S双通道N沟道功率MOSFET。这款器件结合了先进的槽栅MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。其主要特点是低导通损耗、快速开关和低热阻，适用于AC-DC/DC-DC转换器、过流保护和电源工具等领域。
型号- ZMD68606S
DI052N04PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI052N04PQ2双通道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、尺寸数据和应用领域。该器件适用于直流转换器、直流驱动器和同步整流器等应用。
型号- DI052N04PQ2,DI052N04PQ2-AQ
DI016N06PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI016N06PQ2双通道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、尺寸数据等。该器件适用于直流/直流转换器、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI016N06PQ2,DI016N06PQ2-AQ
DI035N06PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI035N06PQ2双通道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、尺寸和封装信息。该器件适用于直流转换器、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI035N06PQ2,DI035N06PQ2-AQ
RUH30J30M N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH30J30M双通道先进功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性、热阻、订购信息和封装信息。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于直流/直流转换器、服务器板载电源和同步整流等应用。
型号- RUH30J30M
DI028N10PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI028N10PQ2双通道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸、最大额定值以及应用领域。资料还提供了产品特性、机械数据、标记代码、SPICE模型和步骤文件等信息。
型号- DI028N10PQ2,DI028N10PQ2-AQ
DI005N06SQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI005N06SQ2双通道功率MOSFET的特性、应用领域和相关技术规格。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应和直流驱动等领域。
型号- DI005N06SQ2
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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