【选型】新洁能开发出具有良好的抗电流冲击能力的产品,满足电池管理系统的安全及可靠需求
电池管理系统 (BMS) 是一种电子控制电路,可监控并调节电池的充放电,并对整个系统进行调节。随着高功率密度的锂电池在日常生活中日益普及,随之配套的锂电池管理系统技术BMS也运营而生。BMS用于控制锂电池的充放电情况,控制充放电回路工作在适当的条件下,并且在锂电池面临失控的时候及时切断锂电池的通路,保证电池的安全性。
新洁能针对电池管理系统的安全及可靠需求,开发出具有良好的抗电流冲击能力的产品,可以充分保证被控电池周边人员的安全,极大的提高应用的可靠性也更能保证整个电池管理系统的正常运行。例如Super Trench MOSFET 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。产品将更适宜于高温严酷环境下的应用。
图 1 线路图
推荐产品
●充放电MOS:
N-channel Trench MOEFET:VDS=30V-150V Ron@10V(max)<11mΩ
N-channel SGT-II MOSFET&N-channel SGT-I MOSFET:VDS=30V-150V Ron@10V(max)<10mΩ
●均衡MOS:
P-channel Trench MOSFET:VDS=-20V Ron@4.5V(max)=40mΩ-70mΩ VDS=-30V Ron@4.5V(max)=35mΩ-95mΩ
N-channel Trench MOEFET:VDS=20V Ron@4.5V(max)=15mΩ-45mΩ VDS=30V Ron@4.5V(max)=15mΩ-75mΩ
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型号- HC20LO2030,SQ333,HC20OP0358,HC18P133L,HC32AT系列,HC20MD1225,HC89S105AC8T7M,HC89F3541B,AO3407,HC32F407VG,HC89F3531,HC20LO0012,HC89F0541,AO3401,HC20LO2033,AO3402,HC89S5840,HC89S003BF6P7M,YK2302A,AO3400,HC89F0411A,HC89F301C,HC18M303D,HC20LO1117-33,2N7002K,HC32F103BRB,HT66F0195,HC-ICD V4,YK3407,HC15P013A0,HC89F3541,HC89F3421,YK3401,HC32AT3781,HCP2019-5,HC89F0312,AO3415,SQL6970A2,HC89S105AK8T7CM,SQL6970A1,STM8S105K3,HC89S003AF4U7M,STM8S105S6,HC20LO0018,STM8S105S4,HC89F302C,HC18M302D,STM8S005C6,STM8S105K6,STM8S105K4,HC18M003,HC88T3681,HC89M7102,APM2306,HC89M7101,HC18M002,HC89M7103,STM8S003K3,HC60W2401,SQ3400,HC32F407系列,HC89F0421A,SQL6980A2,HC18P015B0,SQL6980A1,SQL6967,HC20CD4056,HC89S003BF6U7M,SQL6966,HC20LO1117-50,HC20CD4054,SQ2301A,HC89S001AJ4M7,HC20MD2012,HC32F030,HC20MD2011,HC32T3031,HC89S103K6T6,HC20LO1050,HC20MD2002,FDV301N,HC20BS6055,SQL4256,HC8M2401,HC20LO2025,HC89F0531,HT66F0185,BSS138K,HC88L051F4P7,HC8M603-SSOP20,YK2301A,SQL6973A2,SQL6973A1,HC8M603-SSOP24,HC16P100B1,HC20MD2001,HC18P018A0,N76E003AQ20,HC89S003AF4P7M,HC89S105AS8T7CM,HC20LO0050,HC18P110B0,HC88T3661,HC89F3521B,HCP2019-AD,HC20LO1025,HC-PM51 V5,HC15P121B1,HC32F407RG,HC32F103BVB,HC89F0431A,STM8L051F3,SQ2711L,HC8P2401L,SQL5811,SQL5810,HC16P122A1,HC20CD4156,HC20OP0324,HC20LO1150,S3F9454,HC88T3671,HC8M612-SOP16,HC32F030BK6,HC32T3051,SQ3407,HC18P235L,HC20LO1033,HC60W2401L,HC20LO1030,SQ3401,HC32F407,HC18P015A0,STM8S103K3,HC32F103系列,SQL6972A2,SQ2302A,SQL6972A1,HC16P122B1,SQL583,HC32F030BC8,HC-PM18 V5,STM8S005K6,HC8AT3541,HC20LO2050,XP152A,STM8S105C6,HC89F3531B,HC20LO1125,SQ7002,HC88L051F4U7,IRLML6402,HC20LO0033,IRLML6401,HC-LINK V4,AO3423,HC32F030BR8,HC89F0322,HC18M5830,HC20LO0030,HC89F303C,HC18M301D,AP2301,HC20LO1117-15,HC20LO1117-AD,AP2306,SI2307,STM8S003F3,SI2306,HC18P110A0,HC18P233L,HC20MD1115,HC32AT,SQL5820,HC20LO1133,STM8S001J3,HC89F0332,HC20LO1130,HC32F103BCB,SQL6971A1,WNM2306,SQL5822,SQL6990A1,HC32F103,HC32F407ZG,SQL6971A2,HC20LO1117-20,SI2301,HC32F030系列,HC20LO1117-25
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48v BMS项目需求在充放电MOS VDS端增加TVS管保护,参数需求90v/SMC封装,峰值功率3000W,双向,麻烦帮忙推荐合适的型号。
推荐Littelfuse的SMDJ90CA,详情:https://www.sekorm.com/doc/37366.html。车规的可以评估TPSMD系列,详情:https://www.sekorm.com/doc/62639.html
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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