英诺赛科多款TO252/TO220封装的GaN强势出货，耐压从650V升级到700V为电源设计提供丰富选择

必易微针对USB PD快充推出的两款合封氮化镓芯片，内置导阻氮化镓开关管，支持45W/100W功率输出

必易微副总裁、电源管理AC-DC产品线总经理张波先生发表了《必易微高性能、高可靠性氮化镓快充解决方案介绍》为主题的演讲，基于对氮化镓器件特性的分析，详细介绍了必易微在氮化镓直驱以及合封方案上的优势，着重突出了方案的可靠性。

Tagore Tech和瞻芯电子联合开发采用CCM图腾柱PFC模拟控制的500W高性能电源

Tagore Technology与Inventchip Technology（上海瞻芯电子科技有限公司）共同参加业界知名的2024年美国应用能源电子展（APEC2024），同时宣布推出一款以图腾柱PFC为前端和LLC为后端的新型紧凑型500 W电源参考设计解决方案。Tagore Technology 12年来一直致力于提供颠覆性的 GaN半导体解决方案。

EPC与SHARGE合作设计快速充电器，尺寸3.5x1.95mm的GaN FET EPC2218助力实现更高转换效率

EPC与 SHARGE合作设计了一款带电源显示屏的67W USB PD快速充电器——Retro 67。Retro 67采用EPC的100 V GaN FET EPC2218。EPC2218的尺寸仅有3.5mmX1.95mm ，却能提供231A的脉冲电流，可让Retro 67实现更高的功率密度、更小的尺寸和更高效的电源转换。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

基于致能氮化镓的1.2kW的高效率无桥图腾柱PFC+半桥LLC通信电源解决方案

氮化镓凭借低栅极电容(Cgs)、低等效输出电容(Coss)、无体二极管反向恢复问题等优秀特点使得大功率CCM模式无桥图腾柱PFC的设计实现成为可能。致能在本文中提供了一种峰值效率可达97%的1200W GaN无桥图腾柱PFC+LLC通信电源性能与参数介绍，为实现高功率密度和高效率的通信电源提出一种新的解决方案。

【应用】聚能创芯增强型氮化镓开关管CGL65R260B助力米家120W磁吸轨道GaN电源设计，有效提升电源能效

米家磁吸轨道GaN电源采用PFC+反激开关电源设计，使用DIODES AL6562A PFC控制器搭配必易微 KP2206 反激控制器，使用两颗聚能创芯CGL65R260B增强型氮化镓开关管分别用于PFC和反激开关电源。输出采用肖特基二极管整流。

【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案

基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。

【经验】泰高Superior GaN功率级设计的散热注意事项

GaN FET实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。良好的热设计对于电力电子转换器非常重要。本文泰高将为您介绍Superior GaN功率级设计的散热注意事项。