英诺赛科多款TO252/TO220封装的GaN强势出货，耐压从650V升级到700V为电源设计提供丰富选择

时间： 2023-08-08 来源：英诺赛科微信公众号

英诺赛科推出多款采用TO252/TO220封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V升级到700V，并迅速量产出货，为终端产品的电源设计提供了丰富选择。

主要产品介绍

1、INN700TK140C

INN700TK140C是一颗耐压700V，导阻140mΩ的增强型氮化镓芯片，采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅极电荷和低输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

该产品可应用于交直流变换器，DC-DC转换器，图腾柱PFC，高功率密度和高效率的电源功率转换。

2、INN700TK190B

INN700TK190B是一颗耐压700V，导阻190mΩ的增强型氮化镓芯片，同样采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅极电荷和低输出电荷，符合JEDEC工业应用标准，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

可用于PFC开关电源，对称半桥/LLC/反激开关电源应用，DC-DC转换，LED照明，电池快充，笔记本电脑适配器，电脑以及电动工具电源等高能效高功率密度功率转换应用。

该系列InnoGaN还囊括了240mΩ/350mΩ/480mΩ/600mΩ等不同导阻，相同封装的产品，极大满足了不同应用终端的需求。

INN700TH240B

INN700TH240B 是一颗耐压700V，导阻240mΩ的增强型氮化镓芯片，采用TO220封装。基于氮化镓的特性，该产品支持超高开关频率，无反向恢复电荷，低输出电荷，同时符合JEDEC工业应用标准，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

该产品可用于开关电源PFC图腾柱、AC-DC转换、DC-DC转换、电池快充等高能效、高功率密度的功率转换应用场景。

采用TO220封装的InnoGaN 同样集齐了140mΩ/190mΩ/240mΩ/350mΩ等不同导阻，为多场景应用提供高效支持。

TO 封装优势

从材料特性上看，相较于相同规格TO封装的Si MOS，InnoGaN 具备更高的开关速度，更低导通阻抗，且无反向恢复电荷等特性，能够提高方案的整体效率。

从结构上看，GaN TO封装的散热PAD连接source端，Si MOS连接Drian，这就使得在系统设计上，InnoGaN的Cpe 可以减小 5/6，共模噪音减小5/6。

从系统上看，TO252封装使得GaN器件可用于红胶工艺。客户可通过使用单面板进行设计生产，进一步降低系统成本。TO220封装可与传统散热方案结合，令产品适用于更多场景的开关电源产品。

InnoGaN

Si MOS

基于8英寸硅基氮化镓的研发工艺和大规模量产能力，英诺赛科产品得到迅速迭代和商用。截至2023年上半年，高、中、低压 InnoGaN 的封装形式日渐丰富，已从早期的DFN拓展到 Toll，TO 252/220，FCQFN，LGA，WLCSP 等多种样式，同时也推出了 Solid GaN 合封系列，加速氮化镓市场的应用，为高效能源助力。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由ll转载自英诺赛科微信公众号，原文标题为:英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】可替代传统MOS的EPC GaN晶体管，电源转换首选功率器件

首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓场效应晶体管，其器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍.使用EPC的氮化镓场效应晶体管可以获得更快的开关频率，更高的效率，更小的尺寸，更低的导通电阻。设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件.

2017-07-14 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

Tagore Tech和瞻芯电子联合开发采用CCM图腾柱PFC模拟控制的500W高性能电源

Tagore Technology与Inventchip Technology（上海瞻芯电子科技有限公司）共同参加业界知名的2024年美国应用能源电子展（APEC2024），同时宣布推出一款以图腾柱PFC为前端和LLC为后端的新型紧凑型500 W电源参考设计解决方案。Tagore Technology 12年来一直致力于提供颠覆性的 GaN半导体解决方案。

2024-02-29 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

EPC与SHARGE合作设计快速充电器，尺寸3.5x1.95mm的GaN FET EPC2218助力实现更高转换效率

EPC与 SHARGE合作设计了一款带电源显示屏的67W USB PD快速充电器——Retro 67。Retro 67采用EPC的100 V GaN FET EPC2218。EPC2218的尺寸仅有3.5mmX1.95mm ，却能提供231A的脉冲电流，可让Retro 67实现更高的功率密度、更小的尺寸和更高效的电源转换。

2023-04-23 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案

基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。

2020-04-10 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

从48V到负载电压：用氮化镓晶体管改善低压DC-DC转换器性能

本文探讨了使用氮化镓（GaN）晶体管提高低电压直流-直流转换器性能的方法。文章首先介绍了GaN技术的最新进展，包括其低导通电阻、快速开关速度和较小的尺寸优势。接着，文章详细讨论了eGaN FET的设计基础，包括栅极驱动、热管理和布局设计。此外，文章还比较了MOSFET和eGaN FET的成本，并展示了如何通过优化布局和热管理来提高效率。最后，文章展望了GaN技术的未来发展方向。

EPC - GAN TRANSISTORS,氮化镓晶体管,LOW VOLTAGE DC-DC CONVERTER,低压DC-DC转换器

March, 2016 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

HMn5N65Q 650V氮化镓增强型功率晶体管

本资料介绍了650V GaN增强型功率晶体管HMN5N65Q，该晶体管采用DFN封装，具有超高频切换、无反向恢复电荷、低栅极电荷和低输出电荷等特点。适用于工业应用，符合JEDEC标准，并符合RoHS、无铅和REACH标准。主要应用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、 Totem pole PFC、快速电池充电、高密度功率转换和高效率功率转换等领域。

虹美功率半导体 - 氮化镓增强型功率晶体管,GAN ENHANCEMENT-MODE POWER TRANSISTOR,GAN-ON-SILICON ENHANCEMENT-MODE POWER TRANSISTOR,硅上氮化镓增强型功率晶体管,HMN5N65Q,FAST BATTERY CHARGING,DC-DC CONVERTERS,HIGH-DENSITY POWER CONVERSION,AC-DC CONVERTERS,HIGH-EFFICIENCY POWER CONVERSION,电池快速充电,高效电源转换,DC-DC转换器,交直流变换器,高密度电源转换

2023/06/03 - 数据手册 - Rev. 1.1 代理服务技术支持采购服务

高频24v-to-1v DC-DC转换器使用EPC的氮化镓（galliumnitrin）功率晶体管

本文介绍了使用EPC的氮化镓（GaN）功率晶体管设计的转换器与传统硅基功率MOSFET相比的优势。EPC的GaN晶体管是新一代功率开关，在速度、开关和静态损耗（Rdson）方面提供了无与伦比的性能，同时具有优异的热特性。文章详细讨论了GaN晶体管在24V至1V直流直流转换器中的应用，包括其高开关速度、低静态和开关损耗、小型化设计以及易于集成的特点。通过实际案例和图表，展示了GaN晶体管在提高系统效率和性能方面的优势。

EPC - 氮化镓功率晶体管,GALLIUM NITRIDE POWER TRANSISTORS,EPC1014,DC-DC CONVERTERS,DC-DC转换器

2017/06/16 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

YHJ-65P080NT：TO-247-3集成共源共栅氮化镓规格书

YHJ-65P080NT是一款采用级联结构的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高压应用。该器件具有650伏的最小击穿电压、80毫欧姆的典型导通电阻和12纳库仑的典型栅极电荷，适合开关电源、AC-DC/DC-DC转换器和电机驱动等领域。

誉鸿锦 - INTEGRATED CASCODE GAN,集成共源共栅氮化镓,常关型氮化镓高电子迁移率晶体管器件,NORMALLY-OFF GAN HEMT DEVICE,NORMALLY-OFF GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE,YHJ-65P080NT,DC-DC CONVERTERS,电机驱动,开关模式电源,AC-DC CONVERTERS,SMPS,DC-DC转换器,模式电源开关,交直流变换器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,MOTOR DRIVES

2024/01/17 - 数据手册

【经验】泰高Superior GaN功率级设计的散热注意事项

GaN FET实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。良好的热设计对于电力电子转换器非常重要。本文泰高将为您介绍Superior GaN功率级设计的散热注意事项。

2022-08-26 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

YHJ-65R170AD：DFN 8x8集成共源共栅氮化镓IC数据手册

YHJ-65R170AD是一款集成式D模式级联GaN功率晶体管，具有Cascode GaN和改进的开关性能的优点。该器件提供高耐压、高电流和高工作速度，适用于高性能应用。

誉鸿锦 - INTEGRATED CASCODE GAN IC,集成共源共栅氮化镓IC,集成D型共源共栅氮化镓功率晶体管,INTEGRATED D-MODE CASCODE GAN POWER TRANSISTOR,YHJ-65R170AD,DC-DC CONVERTERS,电机驱动,开关模式电源,AC-DC CONVERTERS,SMPS,DC-DC转换器,模式电源开关,交直流变换器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,MOTOR DRIVES

2023/09/01 - 数据手册 - Version 0.1

用于电源转换的氮化镓发电封装

本文探讨了氮化镓（GaN）功率转换器件在功率封装方面的进展。文章首先介绍了GaN器件在2010年推出后的市场接受度，随后讨论了从晶圆级芯片尺寸（WLCS）封装到功率四引线扁平无引线（PQFN）封装的转变。文章强调了PQFN封装在保持GaN器件小尺寸、低导通电阻、高速度、良好热导率和低成本方面的优势。此外，还讨论了PQFN封装在热性能、引线间距和集成电路应用中的优势。最后，文章提供了EPC23102 GaN单片功率级IC的详细信息和参数。

EPC - GAN-ON-SI ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTORS,EGAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,GAN FETS,EPOWER™ STAGE ICS,氮化镓场效应晶体管,EPOWER™阶段IC,硅上氮化镓增强型功率晶体管,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC2308,EPC23101,EPC2307,EPC23102,EPC23103,EPC23104,HIGH-PERFORMANCE DC-DC CONVERTERS,激光雷达,机器人,高端音频放大器,高性能DC-DC转换器,VEHICLE HEADLAMPS,车辆前照灯,LIDAR,HIGH-END AUDIO AMPLIFIERS,ROBOTS

March 2023 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

P1H06150BD氮化镓高电子迁移率晶体管650V氮化镓增强型功率晶体管

该资料介绍了PNJ半导体公司生产的P1H06150BD型号650V GaN HEMT功率晶体管。该器件具有超快开关速度、无反向恢复电荷、可逆导通能力等特点，适用于提高系统效率、增加功率密度和实现更高工作频率。它主要用于消费级SMPS和高密度充电器等应用。

派恩杰 - 氮化镓高电子迁移率晶体管,氮化镓增强型功率晶体管,GAN HEMT,GAN ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,P1H06150BD,图腾柱PFC,CONSUMER SMPS,高频LLC,HIGH FREQUENCY LLC,HIGH DENSITY CHARGERS,TOTEM POLE PFC,高密度充电器,消费型SMPS

Jul. 2021 - 数据手册 - Ver. 1.0 代理服务技术支持采购服务

YHJ-65P240AMC：DFN 8x8共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管数据手册

YHJ-65P240AMC是一款采用级联配置的常关型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件，适用于高功率应用。该器件具有高击穿电压、高电流和高工作速度，兼容-20V至+20V的栅极驱动电压，适用于开关电源、AC-DC/DC-DC转换器和电机驱动等领域。

誉鸿锦 - 高电子迁移率晶体管,NORMALLY-OFF GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR,HEMT,常关型氮化镓高电子迁移率晶体管,CASCODE GAN HEMT,共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管,YHJ-65P240AMC,DC-DC CONVERTERS,电机驱动,开关模式电源,AC-DC CONVERTERS,SMPS,DC-DC转换器,模式电源开关,交直流变换器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,MOTOR DRIVES

2023/04/24 - 数据手册 - Version 0.2

卓越的氮化镓TP44100SG–90mΩ，650V氮化镓高电子迁移率晶体管

该资料介绍了TP44100SG是一款650V、90mΩ增强型功率GaN HEMT器件。它适用于多种PWM控制器，具有零反向恢复、可调开通斜率、高开关频率等特点。该器件可用于AC-DC、DC-DC、DC-AC转换器、PFC应用、高频LLC转换器、移动充电器和笔记本电脑适配器、LED和电机驱动等领域。

泰高 - GAN POWER HEMT DEVICE,PWM控制器,氮化镓高电子迁移率晶体管,EVALUATION BOARD,氮化镓功率高电子迁移率晶体管器件,评估板,增强型功率高电子迁移率晶体管,ENHANCEMENT MODE POWER HEMT,GAN HEMT,PWM CONTROLLER,TP44100SG,TP44100SG-EVB,服务器电源,电机驱动,高频LLC变换器,LAPTOP ADAPTERS,DC-AC CONVERTERS,直流-交流变换器,笔记本电脑适配器,PFC,LED DRIVES,LED驱动器,DC-DC CONVERTERS,移动充电器,全氟化碳,AC-DC CONVERTERS,MOBILE CHARGERS,DC-DC转换器,交直流变换器,HIGH FREQUENCY LLC CONVERTERS,MOTOR DRIVES,SERVER POWER SUPPLIES

2022-01-17 - 数据手册 - Revision 1.1 代理服务技术支持采购服务