【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A与TI的CSD18503Q5A参数性能对比分析
在电源行业市场上，除去Buck电源，反激开关电源可以占到60%~70%的份额。目前国产化的反激开关电源更如雨后春笋般涌现。在中美贸易摩擦的影响下，开关电源行业国外品牌元器件与国产品牌的性能比对是大家比较关心的问题。一般NMOS用于同步整流，逆变等电路，在电源上应用广泛，现介绍一款扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A，其功能与TI的CSD18503Q5A相似，二者对比如下：
一、性能对比如下：
二、管脚定义：
三、分析：
1、在耐压、过流、存储温度及工作结温方面，扬杰科技的YJG100N04A与TI的CSD18503Q5A表现一致；
2、TI的CSD18503Q5A在VGS=10V时，RDSON较扬杰科技的YJG100N04A小1mΩ，所以CSD18503Q5A导通损耗低于YJG100N04A；
3、TI的CSD18503Q5A的Qg、Qgd参数较扬杰的YJG100N04A分别少了75nc及17.6nc，所以在驱动电流大小相同的情况下，CSD18503Q5A开关速度快于YJG100N04A，CSD18503Q5A开关损耗低于YJG100N04A；
4、TI的CSD18503Q5A的Vgs阈值电压范围比扬杰的YJG100N04A窄0.7V，开关状态更容易控制，抗干扰性强；
5、在外形结构方面，TI的CSD18503Q5A与扬杰科技的YJG100N04A封装相同，管脚定义相同。
综上，TI的CSD18503Q5A与扬杰科技的YJG100N04A在驱动电路相同的情况下，CSD18503Q5A的损耗及开关速度都优于YJG100N04A，但YJG100N04A是国产芯片，价格及供货方面优于CSD18503Q5A。电路设计在非极限值的状态下，扬杰科技的YJG100N04A与TI的CSD18503Q5A功能及性能较相似，封装兼容。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
|
0.35
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±20
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150
|
1.5
|
1200
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2500
|
1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
YJH03N10A N沟道增强型场效应晶体管
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
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