【产品】采用ATP 16 Gb单片设计的DDR4-3200 DRAM模块，单模块密度达64GB

时间： 2020-10-16 来源：ATP

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在高性能计算（HPC）环境中，例如大型数据中心，电信基础设施和网络存储系统等，通常以惊人的速度处理海量数据。据估计，每秒大约进行千万亿次计算！由于处理数据的速度和数量，ATP客户需要更高密度，更快速和更低功耗的DRAM模块。

解决方案
ATP最快的低功耗16 Gb单片IC设计，可满足客户对其高密度服务器模块的要求。与上一代8 Gb基本解决方案相比，DDR4-3200 64 GB RDIMM和LRDIMM通过36片16 Gb内存芯片，实现了更高的模块密度和数据速率，单模块密度从32 GB翻倍至64 GB。

成效
使用新的16 Gb单片IC设计的DRAM模块，不仅存储模块密度是上一代8 Gb设计的两倍，而且最大峰值传输速率达到25,600 MB / s，比DDR4-2666快了20％。ATP的客户对模块密度的提高以及性能的大幅提升感到非常满意。此外，模块采用1.2V低功耗设计，允许在更高的速度下运行，而无需更高的功率和冷却要求。因此，模块具有更低的功耗和更低的成本。

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