【产品】600V/±1.7A的超结MOSFET R6002ENH,采用SOP8封装,低噪声性能优
为了音响和照明等需要尽可能抑制噪声等应用中实现最佳性能,ROHM公司推出了一款重视易用性,以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET(超结MOSFET)产品,产品型号为R6002ENH,可应用于开关领域。该款MOSFET的特性包括:
1. 低导通电阻;
2. 开关速度快;
3. 易于并联使用;
4. 无铅,符合RoHS标准。
图1 R6002ENH的外形实物图、封装形式和内部电路
R6002ENH的最大额定值参数(Ta=25℃):
R6002ENH的电气参数(Ta=25℃):
R6002ENH的包装信息:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由西瓜头头大翻译自ROHM,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】-20V/±3A的双P沟道超结MOSFET UT6J3,采用DFN2020-8D封装
为了满足开关电源对于MOSFET的需求,ROHM公司推出了一款性能优异的双P沟道MOSFET-UT6J3,该器件是低导通电阻的功率MOSFET,漏源电压为-20V,RDS(on)(Max.)=85mΩ,漏极持续电流为±3.0A,耗散功率为2W,采用小型表面贴装封装(DFN2020-8D),有助于节省空间。
【产品】600V和650V Super Junction MOSFET,具有出色的 di/dt 耐用性和优化的开关性能
强茂推出全新600V和650V Super Junction MOSFET,主要特性之一为本体二极管出色的 di/dt 耐用性和优化的开关性能,可实现优秀EMI表现特性。主要应用于Power Supply Unit (PSU)当中,其广泛应用于消费性和工业控制的电源转换系统。
【产品】600V/±6A的汽车级N沟道超结MOSFET R6006PND3F,采用DPAK封装
ROHM公司推出了一款性能优异的汽车级N沟道超结MOSFET R6006PND3FRA,漏源电压600V,漏极持续电流±6.0A,耗散功率87W,封装为DPAK/TO-252,满足开关电源对于MOSFET的需求,尤其是车载MOSFET的高要求。
【选型】LLC谐振电路中推荐超结MOSFET TPP60R160MFD,Trr仅112ns
LLC拓扑高效和高功率密度受到广大工程师的青睐,但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却高于以往硬开关拓扑,MSOFET体二极管的反向恢复时间(TRR)尤为重要。本文推荐无锡紫光微电子的超结MOSFET,TPP60R160MFD为例,这是20A、600V的SJMOS,开关速度快,最大导通电阻190mR,TRR典型值仅为112ns。
SemiHow授权世强硬创代理,超结MOSFET产品供货三星/华为/LG等企业
目前,SemiHow的超结MOSFET产品已在三星、LG、华为、飞利浦、中兴、MW、vivo等客户产品中成功应用。
新洁能Gen.4超结MOSFET 500V产品系列,具有损耗低、可靠性高等性能优势
本次NCE新洁能重点介绍的是Gen.4超结MOSFET 500V产品系列。500V产品系列涵盖导通电阻从110mohm至2200mohm多个产品规格。500V电压平台还开发了具有快速恢复体二极管特性的F系列产品,该系列产品通过优化体二极管特性,减小反向恢复电荷和反向恢复时间,提升了体二极管反向恢复速度。在LLC等桥式电路中具有损耗低、可靠性高的性能优势。
【元件】ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET,采用SOT-223-3小型封装
ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”,新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。
亚成微高压超结MOSFET助力电视机电源模块PFC+LLC应用,采用多层外延工艺,有效实现节能降耗
创维OLED电视中电源系统PFC及LLC电路采用了亚成微电子超结MOSFET产品。亚成微高压超结MOSFET系列产品,采用业内先进的多层外延工艺,相比常规MOSFET,器件的开关特性和导通特性得到全面提升,产品参数稳定,器件EMI更优,可以有效助力电源系统实现节能降耗。
PJMF105N60FRC 600V N沟道超结MOSFET
描述- 本资料详细介绍了PJMF105N60FRC型600V N-Channel Super Junction MOSFET的电气特性、机械数据、热特性、应用领域和包装信息。该产品具有低导通电阻、快速恢复特性、高速度开关和低导通电阻等特性,适用于LLC/PSFB/HB/FB等应用。
型号- PJMF105N60FRC
13NM90 13A,900V功率MOSFET N沟道超结MOSFET
描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的13NM90型号N沟道超级结MOSFET。这款器件具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性,适用于直流-直流转换器和交流-直流转换器等电源应用。
型号- 13NM90L-TA3-T,13NM90L-T3P-T,13NM90G-T3B-T,13NM90G-T3P-T,13NM90,13NM90G-TA3-T,13NM90L-TF1-T,13NM90L-T47-T,13NM90L-T3B-T,13NM90G-TF1-T,13NM90G-T47-T
PJMH125N60FRC 600V N沟道超结MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PJMH125N60FRC型600V N-Channel Super Junction MOSFET的电气特性、机械数据、热特性、典型特性曲线以及产品信息和包装信息。该MOSFET适用于LLC / PSFB / HB / FB应用,具有低导通电阻、快速恢复特性、高速度开关性能和良好的可靠性。
型号- PJMH125N60FRC
【经验】LED照明行业中选用超结MOSFET的要点
本文美浦森将讨论一下在照明行业中如何选择合适的超结MOS。首先,我们需要了解超结MOS和VDMOS的优缺点,以及在照明产品中我们应该注意MOS的哪些重要参数。
7NM80 7.0A,800V N沟道超结MOSFET
描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的7NM80型号Super Junction MOSFET。这款MOSFET具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性,适用于直流-直流转换器和交流-直流转换器等电源应用。
型号- 7NM80L-TF1-T,7NM80,7NM80G-TN3-T,7NM80G-TF1-T,7NM80L-TN3-T,7NM80G-TA3-T,7NM80L-TA3-T
PJMP105N60FRC 600V N沟道超结MOSFET
描述- 本资料详细介绍了PJMP105N60FRC型600V N-Channel Super Junction MOSFET的特性、电气参数、机械数据和应用领域。该器件具有低导通电阻、快速恢复特性、高速度开关和符合环保要求的封装,适用于LLC、PSFB、HB、FB等应用。
型号- PJMP105N60FRC
21NM60 21A,600V N沟道超结MOSFET
描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的21NM60型号功率MOSFET。这款MOSFET采用超结结构,具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性。适用于直流-直流转换器和交流-直流转换器等电源应用。
型号- 21NM60G-TF3-T,21NM60G-T47-T,21NM60G-TF1-T,21NM60G-TF2-T,21NM60L-TF1-T,21NM60L-T47-T,21NM60L-TF3-T,21NM60G-TW1-T,21NM60L-TF2-T,21NM60G-TA3-T,21NM60L-TW1-T,21NM60L-TQ2-T,21NM60L-TQ2-R,21NM60,21NM60G-TQ2-T,21NM60G-T3F-T,21NM60L-TA3-T,21NM60G-TQ2-R,21NM60L-T3F-T,21NM60G-T3P-T,21NM60L-T3P-T
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论